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저마늄을 이용한 적외선 광 도파관 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2018011712
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 적외선 광 도파관은, 기판; 상기 기판상에 위치하는 클래딩(cladding); 및 저마늄(Ge)을 포함하며, 상기 클래딩상에 직접 위치하는 제1 층 및 상기 제1 층에 비해 폭이 작고 적외선 파장 대역의 광을 구속하도록 구성된 제2 층을 포함하는 코어(core)를 포함한다. 상기 클래딩은 플루오르(F) 또는 이트륨(Y)을 포함하는 물질, 예컨대 칼슘 플루오라이드(CaF2)로 이루어질 수 있다. 상기 적외선 광 도파관은, 종래에 약 2 ㎛ 이하의 파장에 국한되어 광학 전자 집적 회로(OptoElectronic Integrated Circuit; OEIC)의 커버리지(coverage)를 약 10 ㎛ 이상의 파장까지 확장할 수 있어 중적외선 파장 대역에서도 광학 플랫폼(platform)으로 사용될 수 있으며, 다른 전자 소자의 집적이 용이하게 이루어질 수 있고, 기존의 실리콘(Si) 대상 설비를 이용하여 용이하게 제조될 수 있어 원가 절감이 가능하다.
Int. CL G02B 6/136 (2006.01.01) H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 21/20 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020180094189 (2018.08.13)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0094819 (2018.08.24) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2016-0123935 (2016.09.27)
관련 출원번호 1020160123935
심사청구여부/일자 Y (2018.08.13)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상현 서울특별시 성북구
2 김형준 서울특별시 성북구
3 최원준 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2018.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0796203-99
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0721802-38
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-1283647-82
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.12.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1283646-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0304510-21
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.06.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0588598-63
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2019-0588599-19
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0853173-69
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.01.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0007199-57
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2020-0007198-12
11 등록결정서
Decision to grant
2020.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0219789-93
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번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판상에 위치하는 클래딩; 및 중적외선 파장 대역에서 투명한 특성을 갖는 순수한 저마늄(Ge)으로만 구성되며, 상기 클래딩상에 직접 위치하는 제1 층 및 상기 제1 층에 비해 폭이 작고 적외선 파장 대역의 광을 구속하도록 구성된 제2 층을 포함하는 코어를 포함하고,상기 클래딩은 중적외선 파장 대역에서 투명한 특성을 갖는 플루오르(F) 또는 이트륨(Y)을 포함하는 적외선 광 도파관
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서,상기 클래딩은 칼슘 플루오라이드(CaF2)로 이루어지는 적외선 광 도파관
4 4
제1 기판 및 상기 제1 기판상에 위치하는 희생층을 제공하는 단계;상기 희생층상에 중적외선 파장 대역에서 투명한 특성을 갖는 순수한 저마늄(Ge)으로만 구성되는 코어층을 형성하는 단계; 상기 코어층상에 클래딩층을 형성하는 단계; 상기 클래딩층을 제2 기판상에 접합하는 단계; 상기 클래딩층이 상기 제2 기판상에 접합된 상태에서, 상기 희생층을 제거함으로써 상기 제1 기판을 분리하는 단계; 및 상기 제1 기판이 분리된 후, 상기 코어층을 부분적으로 식각함으로써, 상기 클래딩층상에 직접 위치하는 제1 층 및 상기 제1 층에 비해 폭이 작고 적외선 파장 대역의 빛을 구속하도록 구성된 제2 층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 클래딩층은 중적외선 파장 대역에서 투명한 특성을 갖는 플루오르(F) 또는 이트륨(Y)을 포함하는 적외선 광 도파관의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
제 4항에 있어서,상기 클래딩층은 칼슘 플루오라이드(CaF2)로 이루어지는 적외선 광 도파관의 제조 방법
7 7
제 4항에 있어서,상기 클래딩층을 형성하는 단계는, 상기 클래딩층의 밀도를 높이고 중적외선 파장 대역을 흡수하는 수분의 함유량을 감소시키기 위해, 상기 제1 기판을 100℃ 이상의 온도로 가열하면서 상기 클래딩층을 증착하는 단계를 포함하는 적외선 광 도파관의 제조 방법
8 8
제 4항에 있어서,상기 제1 기판 및 상기 제1 기판상에 위치하는 희생층을 제공하는 단계는, 상기 제1 기판상에 에피택시 성장 방식으로 상기 희생층을 형성하는 단계; 및 상기 희생층상에 에피택시 성장 방식으로 에치스탑층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 제1 기판, 상기 희생층 및 상기 에치스탑층은 III-V족 화합물로 이루어지는 적외선 광 도파관의 제조 방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 제1 기판 및 상기 에치스탑층은 갈륨비소(GaAs)로 이루어지며,상기 희생층은 알루미늄 갈륨 비소(Al(Ga)As)로 이루어지는 적외선 광 도파관의 제조 방법
10 10
제 4항에 있어서, 상기 제1 기판은 실리콘(Si)으로 이루어지며, 상기 희생층은 상기 제1 기판에 매립된 산화물 층으로서 실리콘 산화물(SiO2)로 이루어지는 적외선 광 도파관의 제조 방법
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1 KR1020180034002 KR 대한민국 FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술연구원 개인연구지원 전사프린팅과 strain engineering을 이용한 실리콘 기판 상 III-V 화합물반도체 MOSFET 기술 개발
2 산업통상자원부 한국과학기술연구원 전자정보디바이스산업원천기술개발 실리콘 기판 상 III-V 화합물반도체 MOSFET 및 모놀리식 3차원 집적을 위한 전사공정 기술 개발