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반도체층;상기 반도체층에 형성되는 소스 또는 드레인 영역;상기 소스 또는 드레인 영역의 상부에 형성되는 유전체층; 및상기 유전체층의 상부에 형성되는 금속층을 포함하고,상기 유전체층은 산화아연(ZnO)이고, 상기 금속층은 질화금속인 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 질화금속은 질화 탄탈륨(TaN) 또는 질화 티타늄(TiN)인 반도체 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 산화아연은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 또는 인듐(In)으로 도핑된 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 반도체층은 저마늄(Ge)인 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 반도체 소자는 FET(field-effect transistor)인 반도체 소자
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반도체층에 형성된 소스 또는 드레인 영역의 상부에 유전체층을 형성하는 단계; 및상기 유전체층의 상부에 금속층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 유전체층은 산화아연(ZnO)이고, 상기 금속층은 질화금속인 반도체 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 질화금속은 질화 탄탈륨(TaN) 또는 질화 티타늄(TiN)인 반도체 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 유전체층을 형성하는 단계는 ALD(atomic layer deposition) 공정 또는 PVD(physical vapor deposition) 공정을 통해 상기 유전체층을 형성하는 반도체 제조 방법
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제6항 또는 제7항에 있어서,상기 유전체층은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 또는 인듐(In)으로 도핑된 반도체 제조 방법
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