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실리콘 기판 위에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 위에 실리콘층을 형성하고, 상기 실리콘 층을 식각하여 3차원 구조 실리콘 핀을 형성하는 단계;상기 실리콘 핀의 일단에 소스 영역과 소스 전극을 형성하고, 다른 일단에 드레인 영역과 드레인 전극을 형성하되, 중앙부는 게이트 영역으로 형성하는 단계;상기 게이트 영역의 3면을 게이트 절연층으로 둘러싸는 단계;상기 게이트 절연층의 드레인 또는 소스 쪽 일부를 둘러싸는 감지 게이트층을 형성하는 단계 및;상기 감지 게이트층을 제외한 상부가 밀봉되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원구조 트랜지스터 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 3차원 구조 실리콘 핀은 높이가 20 나노미터에서 1 마이크로미터, 폭이 10 나노미터에서 500 나노미터인 것을 특징으로 하는 3차원구조 트랜지스터 센서의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 소스 영역에는 P형의 불순물을 주입하고, 상기 드레인 영역에는 N형의 불순물을 주입하되, 상기 게이트 영역은 불순물을 주입하지 않는 것을 특징으로 하는 3차원구조 트랜지스터 센서의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 감지 게이트층은, 상기 드레인 또는 상기 소스 쪽에 접한 게이트 절연층의 일부분을 제거하여 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원구조 트랜지스터 센서의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 감지 게이트층은, 상기 게이트 절연층 위의 일부에 감지 게이트 전극으로 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원구조 트랜지스터 센서의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 감지 게이트층은, 물질을 감지할 수 있는 실리콘 산화막, Si3N4, Al2O3, Pr2O3, InN, RuO2, RuN, Ta2O5, SnO2, V2O5, TiO2, WO3, ZnO, Fe2O3, CuO, Cr2O3, 항체, 효소, 핵산(DNA), 나노물질, valinomicine, fluorescein, alizarian complexone, OCP(Organic Conducting Polymer) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 3차원구조 트랜지스터 센서의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 감지 게이트층의 길이는 10 나노미터에서 500 나노미터인 것을 특징으로 하는 3차원구조 트랜지스터 센서의 제조방법
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에스오아이 기판에 형성된 3차원 구조 실리콘 핀에 소스-게이트-드레인을 갖는 트랜지스터;상기 게이트의 3면을 둘러싼 게이트 절연층 및;상기 게이트 절연층의 일부를 둘러싸며, 상기 드레인 또는 상기 소스 쪽에 접한 상기 게이트 절연층의 일부분을 제거하여 형성된 감지 게이트층을 구비하되, 상기 감지 게이트층을 통해 물질을 감지할 경우 상기 소스와 상기 드레인 사이에 전류가 흐르는 것을 특징으로 하는 3차원구조 트랜지스터 센서
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에스오아이 기판에 형성된 3차원 구조 실리콘 핀에 소스-게이트-드레인을 갖는 트랜지스터;상기 게이트의 3면을 둘러싼 게이트 절연층 및;상기 게이트 절연층의 일부를 둘러싸며, 상기 드레인 또는 상기 소스 쪽에 접한 상기 게이트 절연층 위의 일부에 형성된 감지 게이트 전극을 구비하되,상기 감지 게이트 전극을 통해 물질을 감지할 경우 상기 소스와 상기 드레인 사이에 전류가 흐르는 것을 특징으로 하는 3차원구조 트랜지스터 센서
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제8항에 있어서, 상기 트랜지스터에 전압을 인가하지 않은 경우 상기 소스와 상기 드레인 사이에 전류가 흐르지 않는 오프 상태를 유지하고, 상기 감지 게이트층을 통해 물질을 감지할 경우, 상기 물질에 의해 상기 감지 게이트층을 통한 전계가 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원구조 트랜지스터 센서
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제8항에 있어서, 상기 감지 게이트층은, 물질을 감지할 수 있는 실리콘 산화막, Si3N4, Al2O3, Pr2O3, InN, RuO2, RuN, Ta2O5, SnO2, V2O5, TiO2, WO3, ZnO, Fe2O3, CuO, Cr2O3, 항체, 효소, 핵산(DNA), 나노물질, valinomicine, fluorescein, alizarian complexone, OCP(Organic Conducting Polymer) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 3차원구조 트랜지스터 센서
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제9항에 있어서, 상기 트랜지스터에 전압을 인가하지 않은 경우 상기 소스와 상기 드레인 사이에 전류가 흐르지 않는 오프 상태를 유지하고, 상기 감지 게이트 전극을 통해 물질을 감지할 경우, 상기 물질에 의해 상기 감지 게이트 전극을 통한 전계가 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원구조 트랜지스터 센서
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제9항에 있어서, 상기 감지 게이트 전극은, 물질을 감지할 수 있는 실리콘 산화막, Si3N4, Al2O3, Pr2O3, InN, RuO2, RuN, Ta2O5, SnO2, V2O5, TiO2, WO3, ZnO, Fe2O3, CuO, Cr2O3, 항체, 효소, 핵산(DNA), 나노물질, valinomicine, fluorescein, alizarian complexone, OCP(Organic Conducting Polymer) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 3차원구조 트랜지스터 센서
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제8항 또는 제9항에 의한 3차원구조 트랜지스터 센서가 어레이 형태로 배열된 3차원구조 트랜지스터 센서 어레이
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