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실리콘 나노와이어를 이용하는 센서의 접촉구조 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019003544
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일실시예는, 실리콘 기판, 상기 실리콘 기판에 적어도 하나 이상 형성되는 실리콘 나노와이어, 상기 실리콘 나노와이어의 끝단에 연결되며, 상기 실리콘 나노와이어보다 폭이 넓은 콘택트부, 및 상기 콘택트부에 연결되며, 상기 실리콘 나노와이어에 전기신호를 전달하는 전극패턴을 포함하는 실리콘 나노와이어를 이용하는 센서의 접촉구조 및 그 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/107 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/02 (2006.01.01)
CPC H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01)
출원번호/일자 1020170132579 (2017.10.12)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0041241 (2019.04.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.07.24)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정석원 경기도 오산
2 최연식 서울특별시 서초구
3 조영창 경기도 용인시 수지구
4 홍혁기 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 청운특허법인 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층 (서초동, 장생빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-1003402-80
2 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
 2020.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2020-0776309-19
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판;상기 실리콘 기판에 적어도 하나 이상 형성되는 실리콘 나노와이어;상기 실리콘 나노와이어의 끝단에 연결되며, 상기 실리콘 나노와이어보다 폭이 넓은 콘택트부; 및상기 콘택트부에 연결되며, 상기 실리콘 나노와이어에 전기신호를 전달하는 전극패턴을 포함하는 실리콘 나노와이어를 이용하는 센서의 접촉구조
2 2
청구항 1에 있어서,상기 콘택트부는상기 실리콘 나노와이어의 양단에 하나씩 연결되며, 상기 실리콘 나노와이어와 일체로 형성되는 실리콘 나노와이어를 이용하는 센서의 접촉구조
3 3
청구항 1에 있어서,실리콘 재질인 상기 콘택트부와 금속 재질인 상기 전극패턴의 접촉면에 형성되어, 상기 콘택트부와 전극패턴의 접합성을 향상시키는 실리사이드를 더 포함하는 실리콘 나노와이어를 이용하는 센서의 접촉구조
4 4
실리콘 기판의 일면에 제1 폭을 갖는 와이어영역 및 상기 와이어영역의 끝단에 연결되고 상기 제1 폭보다 큰 제2 폭을 갖는 콘택트영역을 갖는 패턴의 마스크를 적어도 하나 이상 형성하는 마스크 형성단계;상기 마스크를 이용한 식각 및 산화 공정을 수행하여, 상기 실리콘 기판에 실리콘 나노와이어 및 실리콘 나노와이어의 끝단에 상기 실리콘 나노와이어보다 폭이 넓은 콘택트부를 형성하는 나노와이어 형성단계;상기 콘택트부에 금속 재질의 전극패턴을 형성하는 전극패턴 형성단계를 포함하는 실리콘 나노와이어를 이용하는 센서의 접촉구조 제조방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 나노와이어 형성단계는상기 마스크를 이용하여 상기 실리콘 기판을 일정 깊이로 식각하여 높이가 일정하고 상기 마스크와 평면이 동일한 칼럼구조물을 형성하는 단계;상기 칼럼구조물을 이방성 식각하여 폭 방향의 단면이 모래시계 형상을 갖는 지지구조물을 형성하는 단계;상기 칼럼구조물을 습식산화하여 상기 칼럼구조물의 상단에 상기 실리콘 나노와이어 및 콘택트부를 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 나노와이어를 이용하는 센서의 접촉구조 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 지지구조물을 형성하는 단계는상기 패턴의 제1 폭 및 제2 폭에 비례하여 습식 산화 공정의 수행시간이 증가되는 나노와이어를 이용하는 센서의 접촉구조 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.