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다결정 박막을 포함하고,상기 다결정 박막의 적어도 일부에 금속점이 형성되는, 박막형 트랜지스터 채널
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제 1 항에 있어서,상기 금속점은 다결정 박막의 결정립 계면 상에 형성되는, 박막형 트랜지스터 채널
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제 1 항에 있어서,상기 금속점은 결정립 계면에서의 운송자(carrier) 산란을 낮추는, 박막형 트랜지스터 채널
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제 1 항에 있어서,상기 금속점은, 상기 다결정 박막의 상부에 서로 이격되어 형성되는, 박막형 트랜지스터 채널
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제 1 항에 있어서, 상기 금속점은, 백금(Pt), 금(Au), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 팔라듐(Pd) 및 로듐(Rh) 으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는, 박막형 트랜지스터 채널
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제 1 항에 있어서, 상기 금속점의 크기가 0
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제 1 항에 있어서, 상기 금속점은, 금속 전구체를 이용하여 원자층증착법(Atomic layer deposition, ALD)으로 형성하는, 박막형 트랜지스터 채널
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제 7 항에 있어서, 상기 금속 전구체는, Ru(Cp)2, Ru(MeCp)2, Ru(EtCp)2, Ru(tmhd)3, Ru(thd)3, 2,4-(dimethylpentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)Ru, (MeCp)Ir(CHD), Ir(acac)3, Ir(COD)(Cp), Ir(EtCp)(COD), CpPtMe3, MeCpPtMe3, Pt(acac)2, Pt(hfac)2, Pt(tmhd)2 및 (COD)Pt(CH3)3으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인, 박막형 트랜지스터 채널
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제 1 항에 있어서, 상기 다결정 박막은 산화물 반도체로서, SnO, Cu2O, CuAlO2, ZnSnOx, ZnO, In-Sn-ZnO(ITZO) 및 In-Ga-ZnO(IGZO)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인, 박막형 트랜지스터 채널
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제 1 항에 있어서, 상기 다결정 박막이 p-형(p-type)인 경우, 상기 금속점의 일함수(Workfunction) 값이 상기 산화물 반도체의 일함수 값 보다 큰 값을 가지는, 박막형 트랜지스터 채널
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제 1 항에 있어서, 상기 다결정 박막이 n-형(n-type)인 경우, 상기 금속점의 일함수 값이 상기 산화물 반도체의 일함수 값보다 작은 값을 가지는, 박막형 트랜지스터 채널
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12
제 1 항에 있어서, 상기 금속점은, 상기 다결정 박막과 저항성 접촉(Ohmic contact)을 형성하는, 박막형 트랜지스터 채널
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제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항의 박막형 트랜지스터 채널을 포함하는 박막형 트랜지스터
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다결정 박막의 적어도 일부에 금속점을 형성하여, 결정립계에서의 운송자(carrier) 산란을 낮추는, 박막형 트랜지스터의 운송자 이동도 향상 방법
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