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일산화질소를 선택적으로 감지하는 가스센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019010931
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 적어도 하나의 가스감지영역을 포함하는 가스센서로서, 상기 가스감지영역이 아미노 화합물 및 탄소나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 일산화질소를 선택적으로 감지하는 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 아미노 화합물과 탄소나노튜브를 감지물질로 이용함으로써 상온에서 동작이 가능하고, 저농도 NO 가스를 높은 감도로 감지할 수 있는 가스센서 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
Int. CL G01N 27/407 (2006.01.01) G01N 27/12 (2006.01.01) G01N 33/497 (2006.01.01) C07F 7/10 (2006.01.01)
CPC G01N 27/4074(2013.01) G01N 27/4074(2013.01) G01N 27/4074(2013.01) G01N 27/4074(2013.01)
출원번호/일자 1020150117449 (2015.08.20)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1709626-0000 (2017.02.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170223) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.08.20)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변영태 대한민국 서울특별시 성북구
2 박민철 대한민국 서울특별시 성북구
3 김재성 대한민국 서울특별시 성북구
4 최선우 대한민국 서울특별시 성북구
5 이제행 대한민국 서울특별시 성북구
6 김신근 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0808950-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.06.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.08.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0034330-02
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0607575-47
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1026421-96
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1026420-40
7 등록결정서
Decision to grant		 2017.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0118983-60
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번호 청구항
1 1
기판 상에 적어도 하나의 가스감지영역을 포함하는 가스센서로서, 상기 가스감지영역은 아미노 화합물 및 탄소나노튜브를 포함하되,상기 가스감지영역이 상기 기판상에 형성된 APTES을 포함하는 층(이하, "APTES층"이라 함), 상기 APTES층 상에 형성된 탄소나노튜브층 및 상기 탄소나노튜브층 상에 형성된 en-APTAS을 포함하는 층(이하, "en-APTAS층"이라 함)을 포함하는 것을 특징으로 하는 일산화질소를 선택적으로 감지하는 가스센서
2 2
제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 일산화질소를 선택적으로 감지하는 가스센서
3 3
제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 산화막이 표면에 형성된 실리콘 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 일산화질소를 선택적으로 감지하는 가스센서
4 4
제1항에 있어서,상기 아미노 화합물은 아미노 실란을 포함하는 것을 특징으로 하는 일산화질소를 선택적으로 감지하는 가스센서
5 5
제4항에 있어서,상기 아미노 실란은 3-아미노프로필트리에톡시실란(3-Aminopropyltriethoxysilane, APTES), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란(N-(2-Aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, en-APTAS), 3-메르캅토프로필트리메톡시실란(3-Mercaptopropyltrimethoxysilane) 및 (N,N-디메틸아미노프로필)트리메톡시실란((N,N-Dimethylaminopropyl)trimethoxysilane)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 일산화질소를 선택적으로 감지하는 가스센서
6 6
제1항에 있어서,상기 가스감지영역은 복수개의 층으로 구성되고,상기 복수개의 층은 상기 탄소나노튜브로 이루어진 층(이하, "탄소나노튜브층"이라 함)과, 상기 탄소나노튜브층의 상하층 중 적어도 하나의 층에 위치하는 아미노 실란을 포함하는 층(이하, "아미노실란층"이라 함)을 포함하는 것을 특징으로 하는 일산화질소를 선택적으로 감지하는 가스센서
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브(SWCNT, single-walled carbon nanotube)을 포함하는 것을 특징으로 하는 일산화질소를 선택적으로 감지하는 가스센서
9 9
기판 상에 탄소나노튜브를 흡착시키는 단계를 포함하는 가스센서의 제조방법으로서,상기 탄소나노튜브를 흡착하기 전후 단계 중 적어도 하나의 단계에 아미노 화합물을 흡착시키는 단계를 더 포함하며,상기 기판 상에 APTES을 흡착시키는 단계,상기 APTES가 흡착된 기판 상에 탄소나노튜브를 흡착시키는 단계,상기 탄소나노튜브가 흡착된 기판 상에 en-APTAS를 흡착시키는 단계를 포함하는 일산화질소를 선택적으로 감지하는 가스센서의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 기판은 O2 플라즈마 전처리 단계를 거친 기판인 것을 특징으로 하는 일산화질소를 선택적으로 감지하는 가스센서의 제조방법
11 11
제9항에 있어서,상기 아미노 화합물은 아미노 실란을 포함하는 것을 특징으로 하는 일산화질소를 선택적으로 감지하는 가스센서의 제조방법
12 12
제11항에 있어서,상기 아미노 실란은 3-아미노프로필트리에톡시실란(3-Aminopropyltriethoxysilane, APTES), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란(N-(2-Aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, en-APTAS), 3-메르캅토프로필트리메톡시실란(3-Mercaptopropyltrimethoxysilane) 및 (N,N-디메틸아미노프로필)트리메톡시실란((N,N-Dimethylaminopropyl)trimethoxysilane)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 일산화질소를 선택적으로 감지하는 가스센서의 제조방법
13 13
삭제
14 14
제9항에 있어서,상기 탄소나노튜브 및 아미노 화합물을 흡착시키는 단계가 완료된 기판을 열처리하는 단계를 더 포함하는 일산화질소를 선택적으로 감지하는 가스센서의 제조방법
15 15
제14항에 있어서,상기 열처리는 50 ~ 100℃에서 30분 ~ 2시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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2 미래창조과학부 한국과학기술연구원 미래원천국가기반기술개발사업 그래핀 기반의 센서 어래이 시스템 기술개발