맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

저유전 물질을 포함하는 전자 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019012319
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 새로운 저유전율(low-k) 재료를 포함하는 전자소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 3D 캐드를 통해 나노격자 및 나노격자 상의 상부판(top plate)를 디자인하는 단계; PR을 상기 디자인대로 패터닝하는 단계; PR을 현상하는 단계; 유전체를 증착하는 단계; 상기 PR을 건식 에칭하는 단계; 상기 상부판 상에 금속을 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조 방법을 제공함으로써, 초저유전율과 함께 기계적 특성 및 열적 특성이 우수한 전자소자를 얻을 수 있다.
Int. CL H01L 27/02 (2006.01.01) H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 21/3065 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/285 (2006.01.01)
CPC H01L 27/0207(2013.01) H01L 27/0207(2013.01) H01L 27/0207(2013.01) H01L 27/0207(2013.01) H01L 27/0207(2013.01) H01L 27/0207(2013.01) H01L 27/0207(2013.01)
출원번호/일자 1020180023121 (2018.02.26)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1978345-0000 (2019.05.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.02.26)
심사청구항수 13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김봉중 광주광역시 북구
2 김민우 광주광역시 북구
3 맥스 리프손 미국 캘리포니아주 파사
4 줄리아 그리어 미국 캘리포니아주 파사

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-0198543-36
2 선행기술조사의뢰 취소
Revocation of Request for Prior Art Search		 2018.07.12 수리 (Accepted) 9-1-0000-0000000-00
3 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2018-0876447-76
4 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2018.09.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.09.06 수리 (Accepted) 9-1-2018-0047133-87
6 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2018.09.18 수리 (Accepted) 9-1-2018-0049306-25
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0855807-19
8 [출원서 등 보정(보완)]보정서
 2019.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-0143426-60
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.02.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0143413-77
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-0143412-21
11 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
 2019.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-0143435-71
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0221151-64
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2019-0420915-50
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.04.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0420914-15
15 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2019.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0327499-99
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
3D 캐드를 통해 나노격자 및 나노격자 상에 위치하며 나노격자 구조가 아닌 상부판(top plate)를 디자인하는 단계;PR을 상기 디자인대로 패터닝하는 단계;PR을 현상하는 단계;유전체를 증착하는 단계;상기 PR을 건식 에칭하는 단계;상기 상부판 상에 금속을 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 디자인 단계의 전 또는 후에 추가적으로,일면에 전극이 증착된 기판을 준비하는 단계;전극 상에 PR을 준비하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조 방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 전극은 금(Au)/티타늄(Ti) 적층체인 것;을 특징으로 하는 전자소자의 제조 방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 패터닝하는 단계에서는 펨토 초 레이저를 이용하는 것;을 특징으로 하는 전자소자의 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 유전체를 증착하는 단계는 ALD법을 이용하는 것;을 특징으로 하는 전자소자의 제조 방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 유전체는 Al2O3 또는 SiO2 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것;을 특징으로 하는 전자소자의 제조 방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 건식 에칭단계는 FIB 및 산소 플라즈마를 이용하는 것;을 특징으로 하는 전자소자의 제조 방법
8 8
유전체와 공기를 포함하는 3차원의 나노격자;상기 나노격자의 상부에 위치하고 나노 격자와 동일한 성분으로 이루어지며, 나노격자 구조가 아닌 상부판; 상기 상부판의 상부에 위치하는 금속 전극:을 포함하고,10MHz의 주파수에서의 유전율이 1
9 9
제 8항에 있어서,상기 나노격자의 하부 및 상부에 각각 위치하는 금속 전극을 포함하는 것;을 특징으로 하는 전자소자
10 10
제 8항에 있어서,상기 유전체는 Al2O3 또는 SiO2 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것;을 특징으로 하는 전자소자
11 11
제 8항에 있어서,상기 나노격자는 공동의 관으로 된 8 면체 구조의 단위 정으로 구성된 것;을 특징으로 하는 전자소자
12 12
제 8항에 있어서,상기 나노격자의 영률은 30 MPa 이상인 것;을 특징으로 하는 전자소자
13 13
제 8항에 있어서,상기 전자소자의 상온에서 800℃까지의 유전상수의 변화율이 2% 이하인 것;을 특징으로 하는 전자소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 광주과학기술원 광주과학기술원 GIST-Caltech 과제 실시간 전자 현미경 기법을 이용한, ZnO p-n 단일접합 나노선과 나노격자의 압력-특성의 정량화