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기판;상기 기판 상에 형성되는 금속산화물 전극;상기 금속산화물 전극 상에 형성되는 전자수집층;상기 전자수집층 상에 형성되는 광활성층;상기 광활성층 상에 형성되는 정공수집층; 및상기 정공수집층 상에 형성되는 금속전극;을 포함하며, 상기 전자수집층 내에 하나 이상의 중성고분자가 포함되고, 상기 전자수집층의 일면이 분화구 모양의 돌출부를 구비한 것을 특징으로 하는 역구조 유기태양전지
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제 1항에 있어서,상기 중성고분자는 003c#화학식 1003e#로 표시된 고분자인 것을 특징으로 하는 역구조 유기태양전지:003c#화학식 1003e#단, 상기 n은 50 내지 10000의 정수이고, X는 N 또는 P이며, Y는 O, S, 또는 N 중 어느 하나이고, R은 탄소수 3개 이하의 지방족 사슬이다
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제 2항에 있어서,상기 중성고분자는 하기 003c#화학식 2003e#로 표시된 고분자인 것을 특징으로 하는 역구조 유기태양전지:003c#화학식 2003e#단, 상기 n은 50 내지 10000의 정수다
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제 3항에 있어서,상기 전자수집층은 금속 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 역구조 유기태양전지
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제 4항에 있어서,상기 전자수집층의 금속산화물은 아연 산화물인 것을 특징으로 하는 역구조 유기태양전지
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제 5항에 있어서,상기 아연 산화물의 중량과 비교하였을 때, 하기 003c#화학식 2003e#로 표시된 중성고분자의 질량비가 5wt% 내지 10wt% 사이인 것을 특징으로 하는 역구조 유기태양전지:003c#화학식 2003e#단, 상기 n은 50 내지 10000의 정수다
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제 1항에 있어서,상기 분화구 모양의 돌출부의 직경이 50nm 내지 500nm 사이인 것을 특징으로 하는 역구조 유기태양전지
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제 1항에 있어서,상기 기판이 PET, PEN, PC, 및 PI로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 역구조 유기태양전지
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기판 상에 금속산화물 전극을 적층하는 제1단계; 상기 금속산화물 전극 상에 하기 003c#화학식 1003e#로 표시된 중성고분자가 포함된 전자수집층을 적층하는 제2단계; 상기 전자수집층 상에 광활성층을 적층하는 제3단계; 상기 광활성층 상에 정공수집층을 적층하는 제4단계; 및 상기 정공수집층 상에 금속전극을 적층하는 제5단계;를 포함하며,상기 중성고분자를 포함함으로써 상기 전자수집층의 일면이 분화구 모양의 돌출부로 형성되는 것을 특징으로 하는 역구조 유기태양전지의 제조방법:003c#화학식 1003e#단, 상기 n은 50 내지 10000의 정수이고, X는 N 또는 P이며, Y는 O, S 또는 N 중 어느 하나이고, R은 탄소수 3개 이하의 지방족 사슬이다
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기판 상에 금속산화물 전극을 적층하는 제1단계; 상기 금속산화물 전극 상에 하기 003c#화학식 2003e#로 표시된 중성고분자가 포함된 전자수집층을 적층하는 제2단계; 상기 전자수집층 상에 광활성층을 적층하는 제3단계; 상기 광활성층 상에 정공수집층을 적층하는 제4단계; 및 상기 정공수집층 상에 금속전극을 적층하는 제5단계;를 포함하며,상기 중성고분자를 포함함으로써 상기 전자수집층의 일면이 분화구 모양의 돌출부로 형성되는 것을 특징으로 하는 역구조 유기태양전지의 제조방법:003c#화학식 2003e#단, 상기 n은 50 내지 10000의 정수다
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제 11항에 있어서,상기 제2단계는 150℃에서 어닐링하는 세부 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 역구조 유기태양전지의 제조방법
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제 12항에 있어서상기 기판은 PET, PEN, PC, 및 PI로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 역구조 유기태양전지의 제조방법
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