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플라즈마를 이용한 박막 제조방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2019015905
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반응 소스 가스와 플라즈마 분위기 가스를 챔버 내부로 공급하는 제1 단계와, 상기 반응 소스 가스와 상기 플라즈마 분위기 가스의 공급을 차단한 상태에서 플라즈마 증착 공정을 진행하는 제2 단계를 포함하며, 상기 제1단계와 제2 단계를 진행하는 동안 압력 조절 가스를 이용하여 챔버 내부 압력을 소정 압력으로 유지하며, 상기 압력 조절 가스는 상기 플라즈마 분위기 가스와 다른 물질인 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 (PECVD)을 이용한 박막 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01) C23C 16/455 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01)
출원번호/일자 1020180011891 (2018.01.31)
출원인 연세대학교 산학협력단, 한경대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2094540-0000 (2020.03.23)
공개번호/일자 10-2019-0092762 (2019.08.08) 문서열기
공고번호/일자 (20200327) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.01.31)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
2 한경대학교 산학협력단 대한민국 경기도 안성시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오훈정 경기도 고양시 덕양구
2 고대홍 경기도 고양시 일산서구
3 류화연 서울특별시 서대문구
4 송창훈 서울특별시 강남구
5 신현수 경상북도 울릉군
6 백승재 경기도 안성시 석정*
7 조원기 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은영 대한민국 서울시 영등포구 여의대방로**길 * 센터빌딩 **층 ****호(곰마크)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
2 한경대학교 산학협력단 경기도 안성시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2018-0109306-68
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2018-5115990-39
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.12.23 수리 (Accepted) 9-1-2018-0072003-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0096208-78
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2019.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2019-0364209-31
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2019-0364213-14
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2019.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2019-0369141-97
9 보정요구서
Request for Amendment
2019.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0061082-49
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2019-0459819-77
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2019-0585818-09
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.06.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0585816-18
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2019.10.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0722090-39
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.10.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-1029373-10
15 등록결정서
Decision to grant
2020.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0190456-81
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 압력 조절 가스로 고순도 불활성 기체를 준비하는 단계와, 제2 압력 조절 가스로 저순도 불활성 기체 또는 질소를 준비하는 단계와, 상기 제1 압력 조절 가스를 챔버 천장에 위치한 제1 가스 공급부를 통해 챔버 내부로 공급하여 챔버 내부 압력을 원하는 제1 압력에 근접하도록 조정하는 A 단계와,반응 소스 가스를 챔버 천장에 위치한 제2 가스 공급부를 통해 챔버 내부로 공급하는 C1 단계와, 상기 반응 소스 가스 및 제1 압력 조절 가스의 공급을 차단한 상태에서, 상기 제2 압력 조절 가스를 주입하여 챔버 내부 압력을 원하는 제1 압력으로 유지하면서 플라즈마 증착 공정을 진행하는 C2 단계를 포함하며,상기 제2 압력 조절 가스는 챔버 배기구와 압력조절밸브 사이에 위치한 제3 가스 공급부를 통해 챔버로 주입되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 (PECVD)을 이용한 박막 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 가스 공급부와 상기 제2 가스 공급부는 일체형인 것을 특징으로 하는 박막 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 한 사이클의 상압 PECVD공정은 1회의 상기 A단계와, N회의 C 단계와, 1회의 D 단계와, 1회의 E단계를 포함하며, 상기 C단계는 상기 C1 및 상기 C2 단계를 포함하며,상기 D 단계는 챔버 내부의 가스를 외부로 배기하고,상기 E 단계는 상기 챔버를 초기화 하고, 상기 N은 1 이상의 자연수인 것을 특징으로 하는 박막 제조방법
5 5
삭제
6 6
챔버(1)와,상기 챔버 천장에 형성되어 제1 압력 조절 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와,상기 챔버 천장에 형성되어 반응 소스 가스를 공급하는 제2 가스 공급부와,상기 챔버 배기구와 압력조절밸브 사이에 형성되어 제2 압력 조절 가스를 공급하는 제3 가스 공급부를 포함하고,상기 제1 압력 조절 가스는 고순도 불활성 기체이고, 상기 제2 압력 조절 가스는 저순도 불활성 기체 또는 질소이며, 증착 공정이 진행되는 동안, 플라즈마 전극의 전원과 상기 제2 가스 공급은 역위상을 갖도록 제어되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한경대학교 기타사업 상압플라즈마를 이용한 저온 에피택시 박막 성장 원천기술