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STT-MRAM에서 결함 MTJ 소자를 스크린하는 결함 셀 스크린 방법에 있어서,STTMRAM(Spin Transfer Torque Magneto Resistive Random Access Memory, 스핀전달 토크 자기 랜덤 액세스 메모리)에서 안전 영역, 스크린 영역 및 노미널 브레이크다운 영역 각각에 서로 다른 펄스 조건 및 리드 타임(lead time)을 포함하는 ISPS(Incremental Stepping Pulse Stress) 방법을 적용하는 단계; 및상기 ISPS 방법을 이용하여 상기 STTMRAM에서 결함 MTJ 소자(Magnetic Tunnel Junction, 자기 터널 접합)를 스크린하는 단계를 포함하되,상기 ISPS 방법을 적용하는 단계는상기 안전 영역(Safe Zone), 결함 셀이 존재할 수 있는 상기 스크린 영역(Screen Zone) 및 정상 셀의 브레이크다운(breakdown)이 발생할 수 있는 상기 노미널 브레이크다운 영역(Nominal Breakdown Zone) 각각에 상기 ISPS 방법을 차별화하여 적용하는 것을 특징으로 하는, 결함 셀 스크린 방법
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제1항에 있어서,상기 ISPS 방법을 적용하는 단계는상기 안전 영역으로 상기 스크린 영역에 비해 비교적 급속한 램핑 스피드(Ramping Speed)를 적용한 ISPS 방법으로 램프하고, 상기 스크린 영역으로 상기 안전 영역에 비해 비교적 완만한 램핑 스피드를 적용한 ISPS 방법으로 램프하며, 상기 노미널 브레이크다운 영역으로 일정한 전압과 시간 변수를 증가시키면서 ISPS 방법을 적용하는 것을 특징으로 하는, 결함 셀 스크린 방법
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제3항에 있어서,상기 ISPS 방법을 적용하는 단계는상기 안전 영역 및 상기 스크린 영역으로, 기 설정된 펄스 조건, 전압 및 리드 타임을 포함하는 서로 다른 램핑 스피드를 적용한 ISPS 방법으로 램프하는 것을 특징으로 하는, 결함 셀 스크린 방법
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제3항에 있어서,상기 결함 MTJ 소자를 스크린하는 단계는상기 안전 영역, 상기 스크린 영역 및 상기 노미널 브레이크다운 영역 각각으로 램프되는 서로 다른 ISPS 방법을 이용하여 상기 STTMRAM에서 상기 결함 MTJ 소자를 스크린하는, 결함 셀 스크린 방법
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STT-MRAM에서 결함 MTJ 소자를 스크린하는 결함 셀 스크린 방법에 있어서,STTMRAM(Spin Transfer Torque Magneto Resistive Random Access Memory, 스핀전달 토크 자기 랜덤 액세스 메모리)에서 안전 영역, 스크린 영역 및 노미널 브레이크다운 영역 각각에 미리 설정된 펄스 조건의 전압을 시작 전압으로 인가하는 단계;상기 안전 영역, 상기 스크린 영역 및 상기 노미널 브레이크다운 영역 각각에 서로 다른 펄스 조건 및 리드 타임(lead time)을 포함하는 ISPS(Incremental Stepping Pulse Stress) 방법을 적용하는 단계; 및상기 ISPS 방법을 이용하여 상기 STTMRAM에서 결함 MTJ 소자(Magnetic Tunnel Junction, 자기 터널 접합)를 스크린하는 단계를 포함하되,상기 ISPS 방법을 적용하는 단계는상기 안전 영역(Safe Zone), 결함 셀이 존재할 수 있는 상기 스크린 영역(Screen Zone) 및 정상 셀의 브레이크다운(breakdown)이 발생할 수 있는 상기 노미널 브레이크다운 영역(Nominal Breakdown Zone) 각각에 상기 ISPS 방법을 차별화하여 적용하는 것을 특징으로 하는, 결함 셀 스크린 방법
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STT-MRAM에서 결함 MTJ 소자를 스크린하는 결함 셀 스크린 시스템에 있어서,STTMRAM(Spin Transfer Torque Magneto Resistive Random Access Memory, 스핀전달 토크 자기 랜덤 액세스 메모리)에서 안전 영역, 스크린 영역 및 노미널 브레이크다운 영역 각각에 서로 다른 펄스 조건 및 리드 타임(lead time)을 포함하는 ISPS(Incremental Stepping Pulse Stress) 방법을 적용하는 적용부; 및상기 ISPS 방법을 이용하여 상기 STTMRAM에서 결함 MTJ 소자(Magnetic Tunnel Junction, 자기 터널 접합)를 스크린하는 스크린부를 포함하되,상기 적용부는상기 안전 영역(Safe Zone), 결함 셀이 존재할 수 있는 상기 스크린 영역(Screen Zone) 및 정상 셀의 브레이크다운(breakdown)이 발생할 수 있는 상기 노미널 브레이크다운 영역(Nominal Breakdown Zone) 각각에 상기 ISPS 방법을 차별화하여 적용하는 것을 특징으로 하는, 결함 셀 스크린 시스템
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제7항에 있어서,상기 적용부는상기 안전 영역(Safe Zone)으로 상기 스크린 영역에 비해 비교적 급속한 램핑 스피드(Ramping Speed)를 적용한 ISPS 방법으로 램프하는 안전 영역 적용부;상기 스크린 영역(Screen Zone)으로 상기 안전 영역에 비해 비교적 완만한 램핑 스피드를 적용한 ISPS 방법으로 램프하는 스크린 영역 적용부; 및상기 노미널 브레이크다운 영역(Nominal Breakdown Zone)으로 일정한 전압과 시간 변수를 증가시키면서 ISPS 방법을 적용하는 노미널 브레이크다운 영역 적용부를 포함하는 결함 셀 스크린 시스템
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제8항에 있어서,상기 안전 영역 적용부 및 상기 스크린 영역 적용부는상기 안전 영역 및 상기 스크린 영역으로, 기 설정된 펄스 조건, 전압 및 리드 타임을 포함하는 서로 다른 램핑 스피드를 적용한 ISPS 방법으로 램프하는 것을 특징으로 하는, 결함 셀 스크린 시스템
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제8항에 있어서,상기 스크린부는상기 안전 영역, 상기 스크린 영역 및 상기 노미널 브레이크다운 영역 각각으로 램프되는 서로 다른 ISPS 방법을 이용하여 상기 STTMRAM에서 상기 결함 MTJ 소자를 스크린하는, 결함 셀 스크린 시스템
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