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산화물 층, 질화물 층, 그리고 상기 산화물 층 및 상기 질화물 층을 포함하는 단위 적층체 중 선택된 적어도 2 이상의 단위 층상 구조가 교호 반복하여 적층되는 교호 적층체; 및상기 교호 적층체의 상부면 또는 하부면에 접하여 배치되는 층상 구조의 칼코지나이드 층을 포함하는 강유전성 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 강유전성 구조체는 전기적 신호, 열적 신호, 광학적 신호 또는 이의 조합이 인가된 경우 자발 분극이 유도되는 강유전 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 교호 적층체는 상기 단위 층상 구조가 2 내지 20 회 교호 반복하여 적층되는 강유전성 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 층상 구조의 칼코지나이드 층은 하기 화학식 1로 표시되는 칼코지나이드 화합물을 포함하는 강유전성 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 층상 구조의 칼코지나이드 층의 두께는 1 nm 내지 15 nm의 범위 내인 강유전성 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 산화물 층 또는 질화물 층의 두께는 각각 1 nm 내지 15 nm의 범위 내인 강유전성 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 산화물 층은 하기 화학식 2로 표시되는 산화물을 포함하는 강유전성 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 질화물 층은 하기 화학식 3으로 표시되는 질화물을 포함하는 강유전성 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 산화물 층 및 질화물 층은 Li, Na, Mg, K, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Al, B, Si, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Ba, La, Hf, Ta, W, 및 Re 중 적어도 어느 하나의 도펀트를 포함하는 강유전성 구조체
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10
제 1 항에 있어서,상기 칼코지나이드 층은 에피택셜 방법으로 형성되지 않는 강유전성 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 층상 구조의 칼코지나이드 층은 비정질 구조를 갖는 강유전성 구조체
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제 1 항 구조의 강유전성 구조체를 포함하며, 상기 강유전성 구조체에 인가되는 전기적 신호, 열적 신호, 광학적 신호 또는 이의 조합에 의해 유도되는 상기 강유전성 구조체의 자발 분극 상태에 정보를 할당하는 비휘발성 메모리 소자
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메모리 셀의 적어도 일부는 전계 효과 트랜지스터를 포함하며, 상기 전계 효과 트랜지스터의 게이트 절연막의 적어도 일부가 제 1 항 기재의 강유전성 구조체를 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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메모리 셀의 적어도 일부는 커패시터를 포함하며, 상기 커패시터의 유전층의 적어도 일부가 제 1 항 기재의 강유전성 구조체를 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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