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반도체식 가스 반응 센서 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019022144
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 a) 수평에 대하여 소정의 기울기로 기판을 기울이고, 기판을 회전하는 단계; b) 기판으로 p형 반도체 소스 물질을 증착하여, 기판 상에 일단의 p형 반도체 나노 기둥을 형성하는 단계; c) 기판을 수평에 대하여 나란하게 배치하고, 일단의 p형 반도체 나노 기둥에 금속 촉매를 증착하는 단계; d) a) 내지 c) 단계를 반복하여 다단의 p형 반도체 나노 기둥을 형성하는 단계; e) 다단의 p형 반도체 나노 기둥을 열처리하는 단계;를 포함하는 반도체식 가스 반응 센서를 제조하는 방법 및 이를 이용하여 제조된 가스 반응 센서에 관한 것이다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01.01)
CPC G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01)
출원번호/일자 1020180003243 (2018.01.10)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2000160-0000 (2019.07.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190715) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.01.10)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장호원 서울특별시 관악구
2 서준민 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2018-0029690-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.12.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0034313-01
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0270422-70
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2019-0561984-18
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.05.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0561983-62
9 등록결정서
Decision to grant
2019.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0472790-38
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
11 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2020.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2020-0920802-18
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 수평에 대하여 소정의 기울기로 기판을 기울이고, 상기 기판을 회전하는 단계;b) 상기 기판으로 p형 반도체 소스 물질을 증착하여, 상기 기판 상에 일단의 p형 반도체 나노 기둥을 형성하는 단계;c) 상기 기판을 수평에 대하여 나란하게 배치하고, 상기 일단의 p형 반도체 나노 기둥을 금속 촉매를 증착하여 코팅하는 단계;d) 상기 a) 내지 상기 c) 단계를 반복하여 다단의 p형 반도체 나노 기둥을 형성하는 단계;e) 상기 다단의 p형 반도체 나노 기둥을 열처리하는 단계;를 포함하고, 상기 열처리 이후의 상기 다단의 p형 반도체 나노 기둥 내부와 외면에는 상기 금속 촉매가 입자로 응집되면서 산화된 산화물이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스 반응 센서를 제조하는 방법
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삭제
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제 1 항에 있어서, 상기 다단의 p형 반도체 나노 기둥과 상기 금속 촉매가 입자로 응집되면서 산화된 산화물 입자는 서로 이종접합하는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스 반응 센서를 제조하는 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 열처리는 550℃에서 2시간 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스 반응 센서를 제조하는 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 p형 반도체 소스 물질은 니켈 산화물이고, 상기 금속 촉매는 철로서, 상기 니켈 산화물 나노 기둥과 상기 철이 응집되어 산화된 철 산화물 입자는 서로 pn 이종접합을 형성하며, 상기 가스는 톨루엔인 것을 특징으로 하는 반도체식 가스 반응 센서를 제조하는 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 p형 반도체 소스 물질은 코발트 산화물이고, 상기 금속 촉매는 니켈로서, 상기 코발트 산화물 나노 기둥과 상기 니켈이 응집되어 산화된 니켈 산화물 입자는 서로 pp 이종접합을 형성하며, 상기 가스는 벤젠인 것을 특징으로 하는 반도체식 가스 반응 센서를 제조하는 방법
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삭제
8 8
삭제
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삭제
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 서울대학교 개인기초연구(미래부) 광전기화학 수소생산을 위한 전용액 공정 기반 대면적 나노구조 산화물 이종접합 소재 합성 및 응용 연구