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나노 스케일의 그라스층을 포함한 고분자 박막을 이용한 습도 센서의 제조 방법 및 이를 이용한 습도 센서

  • 기술번호 : KST2014036944
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 스케일의 그라스(grass) 형상의 고분자 층을 이용한 습도 감지용 센서의 제조 방법 및 이를 이용한 습도 센서에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 종래의 플랫(flat) 형상의 고분자 층을 이용한 습도 센서에 비해 표면적 대 부피비를 최대 338배까지 향상시켜 감지 능력과 안정성을 향상시킨 습도 센서의 제조 방법 및 이를 이용한 습도 센서에 관한 것이다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01.01) G01N 27/22 (2006.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC G01N 27/121(2013.01) G01N 27/121(2013.01) G01N 27/121(2013.01) G01N 27/121(2013.01) G01N 27/121(2013.01) G01N 27/121(2013.01)
출원번호/일자 1020100035731 (2010.04.19)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0116355 (2011.10.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.19)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정훈 대한민국 서울특별시 서초구
2 이혜민 대한민국 서울특별시 강남구
3 이성준 대한민국 경상남도 김해시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0247036-41
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0266566-17
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0087671-03
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0738524-85
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0117171-16
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0204811-47
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0301247-04
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.04.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0301248-49
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0525977-48
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노(nano) 스케일의 그라스(grass) 구조물을 포함한 고분자 박막을 이용한 습도 감지용 센서의 제조 방법에 있어서,기판에 금속 전극부 및 히터부를 형성하는 제1 단계;상기 금속 전극부 및 히터부의 상면에 패시베이션(passivation) 층을 형성하는 제2 단계;상기 패시베이션 층의 상부에 고분자 박막을 형성하는 제3 단계;상기 고분자 박막에 산소 플라즈마 공정을 통해 나노(nano) 스케일의 그라스(grass) 구조물을 형성하는 제4 단계를 포함하는,고분자 박막을 이용한 습도 센서의 제조 방법
2 2
나노(nano) 스케일의 그라스(grass) 구조물을 포함한 고분자 박막을 이용한 습도 감지용 센서의 제조 방법에 있어서,실리콘 웨이퍼의 표면에 실리콘 산화(oxidation) 층을 형성하는 제1 단계;상기 실리콘 웨이퍼에 금속 전극부 및 히터부를 형성하는 제2 단계;상기 금속 전극부 및 히터부의 상면에 패시베이션(passivation) 층을 형성하는 제3 단계;상기 패시베이션 층의 상부에 고분자 박막을 형성하는 제4 단계;상기 고분자 박막에 산소 플라즈마 공정을 통해 나노(nano) 스케일의 그라스(grass) 구조물을 형성하는 제5 단계를 포함하는,고분자 박막을 이용한 습도 센서의 제조 방법
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 고분자 박막에 산소 플라즈마 공정을 통해 나노(nano) 스케일의 그라스(grass) 구조물을 형성하는 단계는,산소 플라즈마 공정을 통해 상기 그라스(grass) 구조물에 카르보닐기 그룹(Carbonyi Group)을 형성하는 것을 더 포함하는,고분자 박막을 이용한 습도 센서의 제조 방법
4 4
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 고분자 박막에 산소 플라즈마 공정을 통해 나노(nano) 스케일의 그라스(grass) 구조물을 형성하는 단계는,상기 고분자 박막을 0
5 5
청구항 2에 있어서,상기 제3 단계는,상기 패시베이션 층을 포함하여 상기 실리콘 웨이퍼의 상부에 고분자 박막을 형성하는 단계;상기 고분자 박막의 상측면에 포토레지스트(photoresist)를 원하는 형상으로 도포하고, 식각(etching) 공정을 통해 포토레지스트가 도포되지 않은 영역의 고분자 박막을 제거하는 단계;상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는,고분자 박막을 이용한 습도 센서의 제조 방법
6 6
청구항 2에 있어서,상기 제2 단계의 금속 전극부 또는 히터 전극부는,크롬(Cr)과 금(Au)을 e-gun을 이용하여 증착(deposition)하여 형성되는,고분자 박막을 이용한 습도 센서의 제조 방법
7 7
청구항 2에 있어서,상기 고분자는 폴리이미드(polyimide)인,고분자 박막을 이용한 습도 센서의 제조 방법
8 8
청구항 2에 있어서, 상기 제3 단계의 패시베이션(passivation) 층은 TEOS(Tetra-ethyl-orthosilicate)을 증착하여 형성하는,고분자 박막을 이용한 습도 센서의 제조 방법
9 9
실리콘 웨이퍼 기판과,상기 실리콘 웨이퍼 기판의 표면에 제공되는 금속 전극부와,상기 실리콘 웨이퍼 기판의 표면에 제공되는 히터부와,상기 금속 전극부 및 상기 히터부의 일부를 덮은 채로 실리콘 웨이퍼 기판에 제공되고, 나노 스케일의 그라스(grass) 구조물로 형성된 고분자 박막의 감습부를 포함하는 습도 감지용 센서에 있어서,상기 금속 전극부는, 양극과, 음극과, 상기 양극 및 음극을 상기 감습부를 통해 전기적으로 연결하는 도선을 포함하고, 상기 히터부는 양극과, 음극과, 상기 양극 및 음극을 전기적으로 연결하는 도선을 포함하고,상기 금속 전극부의 도선과 상기 히터부의 도선은 서로 겹치지 않게 제공되는,고분자 박막을 이용한 습도 센서
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 금속 전극부와 상기 감습부의 사이에는 TEOS(Tetra-ethyl-orthosilicate)을 증착하여 형성된 패시베이션(passivation) 층이 제공되는,고분자 박막을 이용한 습도 센서
11 11
청구항 9에 있어서,상기 나노 스케일의 그라스(grass) 구조물은, 상기 고분자 박막을 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단, 지식경제부 서울대학교 산학협력단 , 서울대학교 산학협력단 원천기술개발사업, 지식경제기술혁신사업 나노박막을 이용한 화학기계변환시스템 개발, 지능로봇용 MEMS 기반 전자후각 센서의 개발