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열증착법으로 성장시킨 도핑된 갈륨산화물 나노와이어의 제조방법 및 상온에서 작동 가능한 도핑된 갈륨산화물 나노와이어 가스센서 및 그 제조방법
- 기술번호 : KST2015136869
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 열증착법으로 성장시킨 도핑된 갈륨산화물 나노와이어의 제조방법 및 상온에서 작동가능한 도핑된 갈륨산화물 나노와이어 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 갈륨산화물 나노와이어에 불순물을 도핑시켜 반도체 가스 센서로서의 감지 능력을 향상시킬 수 있는 갈륨산화물 나노와이어의 바람직한 조건의 제조방법과, 상온에서도 유독성 가스의 감지능력이 탁월한 가스 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은 불순물이 도핑된 Ga2O3 나노와이어 가스센서에 있어서, 기판위에 간격을 두고 분리 형성된 두 도전 전극과, 상기 두 도전 전극에 접촉하여 연결되어 있는 불순물이 도핑된 Ga2O3 나노와이어와, 상기 두 도전 전극에 흐르는 전류량 변화량을 측정하기 위하여 상기 두 도전 전극에 전기적으로 연결되어 있는 전류 변화 측정부를 포함하는 것을 특징으로 하며 상온에서 유독가스의 측정이 가능한 장점을 가진다. 가스센서, 나노와이어, 열증착법, 도핑, 갈륨산화물 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/02 (2006.01.01) G01N 27/12 (2006.01.01) C01G 7/00 (2006.01.01) C01F 17/00 (2006.01.01) B82Y 15/00 (2017.01.01) |
| CPC | H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020080098873 (2008.10.08) |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단, 삼성전자주식회사 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0039782 (2010.04.16) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 취하 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | N |
| 심사청구항수 | 12 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 2 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 강위경 | 대한민국 | 서울특별시 종로구 |
| 2 | 정영근 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박진호 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 송파대로 ***, 옥명빌딩 *층 (송파동)(플랜국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 최종권리자 정보가 없습니다 | |||
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.10.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0703483-52 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2008.10.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2008-0121247-92 |
| 3 | [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서 [Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document |
2008.11.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0768893-14 |
| 4 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2008.11.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0805178-01 |
| 5 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2008.12.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0878071-14 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 9 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2013.10.08 | 무효 (Invalidation) | 1-1-2013-0909027-94 |
| 10 | 보정요구서 Request for Amendment |
2013.10.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0125686-77 |
| 11 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.11.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1062679-87 |
| 12 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.12.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1174843-17 |
| 13 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.01.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0060785-83 |
| 14 | 보정요구서 Request for Amendment |
2014.02.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0018099-33 |
| 15 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number) |
2014.02.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0113040-19 |
| 16 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.02.21 | 무효 (Invalidation) | 1-1-2014-0172244-43 |
| 17 | 보정요구서 Request for Amendment |
2014.03.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0038847-47 |
| 18 | 무효처분통지서 Notice for Disposition of Invalidation |
2014.03.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0051637-16 |
| 19 | 무효처분통지서 Notice for Disposition of Invalidation |
2014.03.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0051642-45 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 23 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 24 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 열탄화 환원반응을 이용한, 불순물 도핑된 Ga2O3 나노와이어의 제조방법에 있어서, i) 기판상에 금 나노입자를 증착시키는 단계; 및 ii) 가열로 내에서 Ga2O3와 그라파이트 분말을 혼합한 원료물질, 도핑하고자 하는 물질, 금 나노입자가 증착된 기판을 위치시키되, 원료물질, 도핑물질, 기판의 순으로 가열온도가 낮아지게 위치시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ga2O3 나노와이어 제조방법 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 금 나노입자를 증착시키는 단계는 펄스레이저 증착방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 원료물질은 Ga2O3 : 그라파이트가 1 : 2 내지 1 : 10인 것을 특징으로 하는 방법 |
| 4 |
4 제 1항에 있어서, 상기 도핑하고자 하는 물질은 금속Sn, SnO2, 금속Zr, ZrO2, 금속Ti 및 TiO2로 이루어진 군으로부터 일 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 방법 |
| 5 |
5 제 1항에 있어서, 상기 기판의 온도는 813℃ 내지 1065℃ 인 것을 특징으로 하는 방법 |
| 6 |
6 불순물이 도핑된 Ga2O3 나노와이어 가스센서에 있어서, 기판위에 간격을 두고 분리 형성된 두 도전 전극과, 상기 두 도전 전극에 접촉하여 연결되어 있는 불순물이 도핑된 Ga2O3 나노와이어와, 상기 두 도전 전극에 흐르는 전류량 변화량을 측정하기 위하여 상기 두 도전 전극에 전기적으로 연결되어 있는 전류 변화 측정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서 |
| 7 |
7 제 6항에 있어서, 상기 불순물은 금속Sn, SnO2, 금속Zr, ZrO2, 금속Ti 및 TiO2로 이루어진 군으로부터 일 이상 선택되는 것을 특징으로 가스 센서 |
| 8 |
8 제 7항에 있어서, 상기 나노와이어의 직경은 50 내지 80 nm인 것을 특징으로 하는 가스 센서 |
| 9 |
9 제 8항에 있어서, 상기 가스 센서는 H2S 또는 NO2 기체를 탐지하는 것을 특징으로 하는 가스 센서 |
| 10 |
10 불순물이 도핑된 Ga2O3 나노와이어 가스센서의 제조방법에 있어서, 가열로 내에서 Ga2O3와 그라파이트 분말을 혼합한 원료물질, 도핑하고자 하는 물질, 금 나노입자가 일정간격으로 증착된 기판을 위치시키되, 원료물질, 도핑물질, 기판의 순으로 가열온도가 낮아지게 위치시키고 열탄화 환원반응을 이용하여 기판상에 나노와이어를 성장시키는 단계와, 간격을 두고 분리 형성된 두 도전 전극에 상기 성장한 나노와이어를 접촉하여 연결시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법 |
| 11 |
11 제 10항에 있어서, 상기 증착된 기판의 온도는 813℃ 내지 1065℃ 인 것을 특징으로 하는 방법 |
| 12 |
12 제 10항에 있어서, 상기 나노와이어의 직경은 50 내지 80 nm가 되도록 상기 금 나노입자의 크기를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 서울특별시 | 서울대학교 산학협력재단 | 서울시 산학연 협력사업-기술기반구축사업 | 나노바이오 시스템 및 응용소재 |
| 등록사항 정보가 없습니다 |
|---|
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- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.10.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0703483-52 |
| 2 | 보정요구서 | 2008.10.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2008-0121247-92 |
| 3 | [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서 | 2008.11.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0768893-14 |
| 4 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2008.11.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0805178-01 |
| 5 | [출원서등 보정]보정서 | 2008.12.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0878071-14 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 9 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2013.10.08 | 무효 (Invalidation) | 1-1-2013-0909027-94 |
| 10 | 보정요구서 | 2013.10.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0125686-77 |
| 11 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.11.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1062679-87 |
| 12 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.12.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1174843-17 |
| 13 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.01.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0060785-83 |
| 14 | 보정요구서 | 2014.02.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0018099-33 |
| 15 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) | 2014.02.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0113040-19 |
| 16 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.02.21 | 무효 (Invalidation) | 1-1-2014-0172244-43 |
| 17 | 보정요구서 | 2014.03.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0038847-47 |
| 18 | 무효처분통지서 | 2014.03.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0051637-16 |
| 19 | 무효처분통지서 | 2014.03.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0051642-45 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 23 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 24 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345071023 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과06A1501 |
| 연구과제명 | 화학분자공학사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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