맞춤기술찾기

이전대상기술

STT-MRAM 불량 주소 우회 회로 및 이를 포함하는 STT-MRAM 디바이스

  • 기술번호 : KST2019030996
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 실시 예에 의한 STT-MRAM 디바이스는, 데이터를 저장하는 데이터 저장부와, 불량 영역 주소를 저장하는 불량 영역 주소 저장부 및 불량 영역의 데이터를 저장하는 스페어 영역(spare area)을 포함하는 STT-MRAM(Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) 메모리 어레이 및 불량 영역 주소 저장부에 저장된 불량 영역 주소가 제공되어 저장하는 휘발성 정보 저장 소자를 포함하며, 메모리 어레이 억세스(access)가 발생하면 억세스 주소와 휘발성 정보 저장 소자에 저장된 불량 영역 주소를 비교하여 상기 메모리 어레이 억세스를 스페어 영역으로 우회시키는 우회 판단부를 포함한다.
Int. CL G11C 29/00 (2006.01.01) G11C 11/16 (2006.01.01) G06F 11/10 (2006.01.01)
CPC G11C 29/808(2013.01) G11C 29/808(2013.01) G11C 29/808(2013.01)
출원번호/일자 1020170033701 (2017.03.17)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1933300-0000 (2018.12.20)
공개번호/일자 10-2018-0106091 (2018.10.01) 문서열기
공고번호/일자 (20190315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.17)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박상규 대한민국 서울특별시 송파구
2 이동기 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한)아이시스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0265763-90
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0020743-34
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2018-0230602-84
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0352850-17
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0456426-88
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.05.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0456454-56
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0656629-21
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2018.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-1037912-28
9 법정기간연장승인서
2018.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0163910-74
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.11.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-1182705-41
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-1182683-24
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0870925-06
13 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2019.03.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5006563-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
STT-MRAM 디바이스로, 상기 STT-MRAM 디바이스는:데이터를 저장하는 데이터 저장부와, 불량 영역 주소를 저장하는 불량 영역 주소 저장부 및 불량 영역의 데이터를 저장하는 스페어 영역(spare area)을 포함하는 STT-MRAM(Spin Transfer Torque Magentic Random Access Memory) 메모리 어레이; 및상기 불량 영역 주소 저장부에 저장된 불량 영역 주소가 제공되어 저장하는 휘발성 정보 저장 소자를 포함하며, 메모리 억세스(access)가 발생하면 억세스 주소와 상기 휘발성 정보 저장 소자에 저장된 불량 영역 주소를 비교하여 상기 메모리 억세스를 상기 스페어 영역으로 우회시키는 우회 판단부를 포함하고,상기 디바이스의 시동 및 리셋 중 어느 한 경우에 상기 불량 영역 주소 저장부에 저장된 상기 불량 영역 주소가 상기 우회 판단부에 제공되도록 상기 불량 영역 주소 저장부 활성화 신호가 상기 불량 영역 주소 저장부에 제공되고,상기 디바이스의 시동 및 리셋 중 어느 한 경우에는 상기 불량 영역 주소 저장부 활성화 신호가 반전된 상기 우회 판단부 불활성화 신호가 상기 우회 판단부에 제공되어 상기 우회 판단부가 불활성화되고,상기 우회 판단부는 상기 불량 영역의 주소를 저장하는 커패시터와, 상기 커패시터에 저장된 주소와 상기 억세스 주소를 제공받아 일치 여부에 대한 논리 연산을 수행하는 주소 비교부와, 상기 주소 비교부의 논리 연산 결과를 제공받고, 상기 스페어 영역을 활성화하는 스페어 영역 활성화부를 포함하며,상기 우회 판단부는, 활성화 플래그 비트를 저장하는 활성화 플래그 커패시터를 더 포함하며, 상기 우회 판단부는 상기 활성화 플래그 커패시터에 저장된 상기 플래그 비트에 의하여 활성화가 제어되며STT-MRAM 디바이스는 상기 커패시터와 상기 활성화 플래그 커패시터는 리프레시하는 리프레시부를 포함하며,상기 불량 영역 주소 저장부는 상기 데이터를 저장하는 데이터 저장부와 동일한 정보 저장 소자인 STT-MRAM 디바이스
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 메모리 어레이는 서로 상보적으로 데이터를 저장하는 2T2M(2-Transistor 2-MTJ) 구조인 STT-MRAM 디바이스
7 7
제1항에 있어서, 상기 메모리 어레이는 단일 비트 데이터를 저장하는 1T1M(1-Transistor 1-MTJ) 구조인 STT-MRAM 디바이스
8 8
제1항에 있어서, 상기 디바이스는, 상기 메모리 어레이에 저장된 데이터를 판독하는 감지 증폭기(sense amplifier); 및 상기 메모리 어레이에 저장된 정보를 읽거나, 쓰기 위하여 전기 신호를 제공하는 드라이버를 더 포함하는 STT-MRAM 디바이스
9 9
STT-MRAM 불량 주소 우회 회로로, 상기 우회 회로는:불량 영역 주소의 각 비트가 저장되는 주소 저장 커패시터들;억세스(access) 주소의 일 비트가 일단으로 제공되고, 상기 주소 저장 커패시터의 일단이 타단으로 제공되어 주소 비교 논리연산을 수행하는 주소 비교부;상기 주소 비교부의 출력 신호를 제공받아 상기 억세스 주소가 상기 불량 영역 주소와 일치하는지 여부를 연산하는 주소 일치 논리 연산부를 포함하며, 상기 주소 일치 논리 연산부는 상기 억세스 주소가 상기 불량 영역 주소와 일치하면 스페어 영역을 활성화하고, 상기 불량 영역 주소에 접근하는 억세스를 상기 활성화된 스페어 영역으로 우회(bypass)시키되,상기 우회 회로가 포함된 STT-MRAM 장치의 시동 또는 리셋시 상기 우회 회로는 비활성화 되고,상기 STT-MRAM 불량 주소 우회 회로는활성화 비트가 저장되는 활성화 커패시터를 더 포함하며, 상기 활성화 커패시터에 저장된 상기 활성화 비트에 의하여 상기 STT-MRAM 불량 주소 우회 회로의 활성화가 제어되고,상기 활성화 커패시터는 리프레시되는 STT-MRAM 불량 주소 우회 회로
10 10
삭제
11 11
제9항에 있어서,상기 주소 비교부는 입력으로 제공된 신호가 서로 동일할 때 활성화 신호를 제공하는 논리 게이트인 STT-MRAM 불량 주소 우회 회로
12 12
제11항에 있어서,상기 주소 일치 논리 연산부는 복수의 상기 주소 비교부들이 제공하는 상기 활성화 신호가 일치할 때 상기 스페어 영역을 활성화하고, 상기 불량 영역 주소에 접근하는 억세스를 상기 활성화된 스페어 영역으로 우회(bypass)시키는 STT-MRAM 불량 주소 우회 회로
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2018169335 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2020013479 US 미국 DOCDBFAMILY
2 WO2018169335 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한양대학교산학협력단 산업기술혁신사업 / 산업핵심기술개발사업 / 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(RCMS) 10nm급 STT-MRAM의 MTJ 신뢰성 모델링 및 신뢰성 불량에 강인한 회로 기술 연구