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MRAM에서 결함 셀 스크린 방법

  • 기술번호 : KST2019031002
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 MRAM에서 결함 셀 스크린 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 MRAM에서 결함 셀 스크린 방법은 MRAM에서 브레이크다운 전압에 대한 미리 설정된 퍼센트의 전압을 시작 전압으로 인가하는 단계; 1mV/s 이하의 램핑 스피드를 포함하는 RVS(ramped voltage stress) 방법으로 일정 전압까지 램프하는 단계; 및 상기 일정 전압까지 램프되는 1mV/s 이하의 램핑 스피드를 포함하는 RVS(ramped voltage stress) 방법을 이용하여 상기 MRAM에서 결함 셀을 스크린하는 단계를 포함한다.
Int. CL G11C 29/50 (2006.01.01) G11C 29/12 (2015.01.01) G11C 11/16 (2006.01.01)
CPC G11C 29/50(2013.01) G11C 29/50(2013.01) G11C 29/50(2013.01)
출원번호/일자 1020170052170 (2017.04.24)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1892855-0000 (2018.08.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20181004) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.04.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 최철민 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0397777-35
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0036094-29
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-0264220-87
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.04.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0376565-61
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-0376564-15
6 등록결정서
Decision to grant		 2018.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0558500-75
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
MRAM에서 브레이크다운 전압에 대한 50 퍼센트 내지 80 퍼센트의 전압을 시작 전압으로 인가하는 단계;1mV/s 이하의 램핑 스피드를 포함하는 RVS(ramped voltage stress) 방법으로 일정 전압까지 램프하는 단계; 및상기 일정 전압까지 램프되는 1mV/s 이하의 램핑 스피드를 포함하는 RVS(ramped voltage stress) 방법을 이용하여 상기 MRAM에서 결함 셀을 스크린하는 단계를 포함하고,상기 시작 전압은스크린 시간 및 램프 스텝 전압의 크기에 의해 결정되며,상기 램핑 스피드는상기 스크린 시간 및 스크린 정확도를 고려하여 결정되는 MRAM에서 결함 셀 스크린 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 램프하는 단계는미리 설정된 적어도 두 개 이상의 구간에 대하여, 1mV/s 이하에서 설정된 적어도 두 개 이상의 램핑 스피드를 적용한 RVS 방법으로 램프하고,상기 스크린하는 단계는1mV/s 이하에서 설정된 적어도 두 개 이상의 램핑 스피드를 적용한 RVS 방법을 이용하여 상기 MRAM에서 결함 셀을 스크린하는 것을 특징으로 하는 MRAM에서 결함 셀 스크린 방법
3 3
MRAM에서 브레이크다운 전압에 대한 50 퍼센트 내지 80 퍼센트의 전압을 시작 전압으로 인가하는 단계;1mV/s 이상의 램핑 스피드를 포함하는 RVS(ramped voltage stress) 방법으로 제1 전압까지 램프하여 상기 MRAM에서 결함 셀을 1차 스크린하는 단계; 및1mV/s 이하의 램핑 스피드를 포함하는 RVS(ramped voltage stress) 방법으로 상기 제1 전압에서 일정 전압까지 램프하여 상기 MRAM에서 결함 셀을 2차 스크린하는 단계를 포함하고,상기 1mV/s 이상의 램핑 스피드는1차 스크린 시간 및 1차 스크린 정확도를 고려하여 결정되며,상기 제1 전압은상기 시작 전압, 상기 1차 스크린 시간 및 상기 1차 스크린 정확도를 고려하여 결정되고,상기 1mV/s 이하의 램핑 스피드는2차 스크린 시간 및 2차 스크린 정확도를 고려하여 결정되며,상기 시작 전압은상기 1차 스크린 시간, 상기 2차 스크린 시간, 1차 스크린 구간의 램프 스텝 전압의 크기 및 2차 스크린 구간의 램프 스텝 전압의 크기에 의해 결정되는 MRAM에서 결함 셀 스크린 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 2차 스크린하는 단계는상기 제1 전압에서 상기 일정 전압까지 미리 설정된 적어도 두 개 이상의 구간에 대하여, 1mV/s 이하에서 설정된 적어도 두 개 이상의 램핑 스피드를 적용한 RVS 방법으로 램프하고, 1mV/s 이하에서 설정된 적어도 두 개 이상의 램핑 스피드를 적용한 RVS 방법을 이용하여 상기 MRAM에서 결함 셀을 2차 스크린하는 것을 특징으로 하는 MRAM에서 결함 셀 스크린 방법
5 5
제3항에 있어서,상기 1차 스크린을 위한 램핑 전압 간격은상기 2차 스크린을 위한 램핑 전압 간격보다 큰 것을 특징으로 하는 MRAM에서 결함 셀 스크린 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한양대학교산학협력단 산업기술혁신사업 / 산업핵심기술개발사업 / 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(RCMS) 10nm급 STT-MRAM의 MTJ 신뢰성 모델링 및 신뢰성 불량에 강인한 회로 기술 연구