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TRAM(thyristor-RAM) 소자의 제조를 위한 증착 방법으로서,챔버 내에 기판을 제공하는 단계;상기 챔버 내에 상기 TRAM 소자의 활성층을 형성하기 위한 성막 가스를 제공하는 제 1 단계; 및상기 성막 가스가 상기 챔버 내에 제공되는 동안, 또는 상기 챔버 내에 성막 가스를 제공한 후에, 순차적 펄스를 통해 도펀트 가스를 상기 챔버 내에 제공하는 제 2 단계를 포함하고,상기 순차적 펄스의 작동 시간(on time)이 짧아지거나, 상기 순차적 펄스의 비작동 시간(off time)이 길어질수록 도핑 농도가 감소되며,상기 제 1 단계 및 상기 제 2 단계는 적어도 1회 이상 반복되어 상기 활성층이 형성되는 원자층 증착법에 의해 수행되는 증착 방법
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제 1 항에 있어서상기 순차적 펄스의 작동 시간이 길어지거나, 상기 순차적 펄스의 비작동 시간이 짧아질수록 도핑 농도가 증가되는 증착 방법
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제 1 항에 있어서상기 순차적 펄스의 높이는 단위 시간당 흐르는 도펀트 가스의 유량에 대응하며, 상기 순차적 펄스의 높이는 점진적으로 증가되거나, 점진적으로 감소되는 증착 방법
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제 1 항에 있어서상기 순차적 펄스의 폭이 점진적으로 증가되거나, 점진적으로 감소되는 증착 방법
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제 1 항에 있어서상기 순차적 펄스의 작동 시간과 비작동 시간이 상이하며, 상기 순차적 펄스의 작동 시간보다 비작동 시간이 짧은 증착 방법
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제 1 항에 있어서상기 순차적 펄스의 작동 시간과 비작동 시간이 상이하며, 상기 순차적 펄스의 작동 시간보다 비작동 시간이 긴 증착 방법
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제 1 항에 있어서상기 순차적 펄스의 높이와 상기 순차적 펄스의 폭이 모두 점진적으로 증가하는 증착 방법
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제 1 항에 있어서상기 순차적 펄스의 높이와 상기 순차적 펄스의 폭이 모두 점진적으로 감소하는 증착 방법
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제 1 항에 있어서상기 챔버 내에 성막 가스에 의해 박막이 형성되며, 상기 챔버 내에 순차적 펄스를 통해 제공되는 도펀트 가스에 의해, 상기 박막 내에 도펀트가 형성되는 증착 방법
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제 10 항에 있어서상기 형성되는 박막은 산화물, 질화물, 황화물, 산화질화물, 셀렌화물 탄화물, 붕화물, 할로겐화물 또는 인화물 중 하나를 포함하는 증착 방법
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TRAM(thyristor-RAM) 소자의 제조를 위한 증착 방법으로서,형성할 박막의 도핑 농도를 결정하는 단계;상기 결정된 도핑 농도가 임계치보다 낮을 경우, 챔버 내에 상기 TRAM 소자의 활성층을 형성하기 위한 성막 가스를 제공하는 제 1 단계; 및상기 성막 가스가 상기 챔버 내에 제공되는 동안, 또는 상기 챔버 내에 성막 가스를 제공한 후에, 순차적 펄스를 통해 도펀트 가스를 상기 챔버 내에 제공하는 제 2 단계를 포함하며,상기 결정된 도핑 농도가 임계치보다 높을 경우, 상기 제 2 단계에서, 연속적인 도펀트 가스가 상기 챔버 내에 제공되고,상기 제 1 단계 및 상기 제 2 단계는 적어도 1회 이상 반복되어 상기 활성층이 형성되는 원자층 증착법에 의해 수행되는 증착 방법
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제 12 항에 있어서상기 순차적 펄스의 작동 시간(on time)이 짧아지거나, 상기 순차적 펄스의 비작동 시간(off time)이 길어질수록 도핑 농도가 감소되며,상기 순차적 펄스의 작동 시간이 길어지거나, 상기 순차적 펄스의 비작동 시간이 짧아질수록 도핑 농도가 증가되는 증착 방법
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제 12 항에 있어서상기 연속적인 도펀트 가스의 양이 감소되면, 도핑 농도가 감소되고, 상기 연속적인 도펀트 가스의 양이 증가되면, 도핑 농도가 증가되는 증착 방법
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