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프리 스탠딩 그래핀의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019035214
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 프리 스탠딩 그래핀 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/16 (2006.01.01) H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01)
CPC H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01)
출원번호/일자 1020170160112 (2017.11.28)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0061583 (2019.06.05) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안종렬 경기도 수원시 장안구
2 김은혜 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-1183280-72
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0105235-46
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0658415-15
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-1174911-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-1307352-71
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1307750-39
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0364208-32
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2019-0615719-25
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.06.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0615736-02
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0516261-18
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-0951558-63
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.09.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0951564-37
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0925446-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘을 포함하는 기판 상에 트렌치를 형성하는 단계;상기 기판 상에 탄소 소스를 포함하는 반응 가스를 1,500℃ 내지 2,000℃의 온도에서 열처리하면서 상기 트렌치가 형성된 기판 상에 그래핀을 에피택셜 성장법에 의해 성장시키는 단계; 및상기 열처리를 계속하여 상기 트렌치와 상기 그래핀 사이에 갇혀 있던 실리콘과 탄소 원자들에 의해 상기 트렌치가 스스로 깎여 나가 상기 트렌치의 폭, 깊이 및 길이가 커지고, 상기 기판 상에 형성된 그래핀이 상기 트렌치 상에 걸쳐져서 스스로 떠 있는 프리 스탠딩 구조를 형성하는 단계;를 포함하는, 프리 스탠딩 그래핀의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘, 실리콘 다이옥사이드(SiO2), 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 것인, 프리 스탠딩 그래핀의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 트렌치는 집속 이온빔 리소그래피, 포토 리소그래피, 전자빔 리소그래피, 딥-펜 나노 리소그래피, 마이크로컨택 프린팅, 나노 그래프팅, 나노 쉐이빙, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 방법에 의해 형성되는 것인, 프리 스탠딩 그래핀의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 트렌치의 폭은 1 ㎛ 내지 5 ㎛ 인 것인, 프리 스탠딩 그래핀의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 트렌치의 깊이는 150 nm 내지 250 nm 인 것인, 프리 스탠딩 그래핀의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 트렌치의 길이는 10 ㎛ 내지 50 ㎛ 인 것인, 프리 스탠딩 그래핀의 제조 방법
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 프리 스탠딩 그래핀
10 10
제 9 항에 따른 프리 스탠딩 그래핀을 포함하는 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 방사선기술개발사업 실시간 방사선 조사 연구를 위한 마이크로/나노스케일 3차원 입체구조 리액터 구현