맞춤기술찾기

이전대상기술

표시장치 및 그 표시장치의 제조방법

  • 기술번호 : KST2020004289
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 표시장치는 발광소자층 및 발광소자층 상에 배치된 광산란층을 포함한다. 광산란층은 복수 개의 돌출부를 포함하는 저굴절부 및 돌출부들을 커버하는 고굴절부를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01) H01L 27/32 (2006.01.01)
CPC H01L 51/5268(2013.01) H01L 51/5268(2013.01) H01L 51/5268(2013.01) H01L 51/5268(2013.01)
출원번호/일자 1020180124549 (2018.10.18)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0044260 (2020.04.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주병권 서울특별시 성북구
2 박영욱 서울특별시 성북구
3 박철휘 서울특별시 성북구
4 이영탁 경기도 화성
5 박진우 경기도 용인시 수지구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-1029211-09
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수 개의 유기전계 발광소자들 및 상기 유기전계 발광소자들 상에 배치된 박막 봉지층을 포함하는 발광소자층; 및 상기 발광소자층 상에 배치된 광산란층을 포함하고, 상기 광산란층은 복수 개의 돌출부들 포함하고, 고분자 수지로 형성된 저굴절부; 및 상기 돌출부들을 커버하며, 상기 저굴절부 보다 높은 굴절률을 갖는 고굴절부를 포함하는 표시장치
2 2
제1 항에 있어서, 상기 저굴절부는 베이스부를 더 포함하고 상기 돌출부들 각각은 상기 베이스부로부터 상기 고굴절부 방향으로 돌출된 표시장치
3 3
제1 항에 있어서, 상기 저굴절부의 굴절률은 1
4 4
제1 항에 있어서, 상기 저굴절부는 PMMA[Poly(methyl methacrylate)], SU-8, PVA(Polyvinyl alcohol), PET(Polyethylene terephthalate), PES(Polyethersulfone), 및 PEN(Polyethylene naphthalate) 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 고굴절부는 Al2O3, MgO, ZrO2, ZnO, TiO2, AZO(Aluminum zinc oxide), ITO(Indium tin oxide), 및 IZO(Indium zinc oxide) 중 적어도 하나를 포함하는 표시장치
5 5
제1 항에 있어서, 상기 저굴절부는 PMMA를 포함하고, 상기 고굴절부는 ZnO 또는 Al2O3를 포함하는 표시장치
6 6
제1 항에 있어서, 상기 돌출부들 각각의 높이는 200nm 이상 500nm 이하이고, 상기 돌출부들 각각의 너비는 50nm 이상 100nm 이하인 표시장치
7 7
제1 항에 있어서, 상기 고굴절부의 두께는 20nm 이상 100nm 이하인 표시장치
8 8
제1 항에 있어서, 상기 돌출부들 사이의 평균 이격거리는 10nm 이상 100nm 이하인 표시장치
9 9
제1 항에 있어서, 상기 광산란층의 광투과도는 400 nm 이상 780 nm 이하의 파장범위에서 80% 이상인 표시장치
10 10
제1 항에 있어서, 상기 박막 봉지층 및 상기 광산란층 사이에 배치된 윈도우 기판을 더 포함하고, 상기 광산란층은 상기 윈도우 기판의 상면에 직접 배치되는 표시장치
11 11
제10 항에 있어서, 상기 저굴절부의 굴절률은 상기 윈도우 기판의 굴절률 이상이고, 상기 윈도우 기판의 굴절률과 0
12 12
제1 항에 있어서, 상기 유기전계 발광소자들은 평면상에서 서로 이격되며, 적색광을 방출하는 제1 발광층을 포함하는 제1 유기전계 발광소자, 녹색광을 방출하는 제2 발광층을 포함하는 제2 유기전계 발광소자, 및 청색광을 방출하는 제3 발광층을 포함하는 제3 유기전계 발광소자를 포함하고, 상기 제1 내지 제3 유기전계 발광소자 각각은 상기 제1 내지 제3 발광층 상에 직접 배치된 제1 내지 제3 공진층을 포함하고, 상기 제1 내지 제3 공진층의 두께는 아래의 식 1을 만족하는 표시장치: [식 1] D1003e#D2003e#D3 상기 식 1에서, D1은 상기 제1 유기전계 발광소자에 포함된 상기 제1 공진층의 두께이고, D2는 상기 제2 유기전계 발광소자에 포함된 상기 제2 공진층의 두께이며, D3은 상기 제3 유기전계 발광소자에 포함된 상기 제3 공진층의 두께이다
13 13
제2 항에 있어서, 상기 베이스부 및 상기 돌출부들은 일체로 제공되는 표시장치
14 14
제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 복수 개의 유기층들, 및 상기 유기층들 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 유기전계 발광소자를 포함하는 발광소자층; 상기 발광소자층 상에 배치된 윈도우 기판; 및 상기 윈도우 기판의 상면에 직접 배치되는 돌출부들을 포함하는 저굴절부, 및 금속산화물로 형성되고 상기 돌출부들을 커버하며 배치되는 고굴절부를 포함하는 광산란층을 포함하고, 상기 돌출부들은, 상기 고굴절부 측으로 돌출되고, 상기 윈도우 기판의 굴절률보다 큰 고분자 수지로 형성되며, 서로 랜덤하게 이격된 표시장치
15 15
제14 항에 있어서, 상기 돌출부들 각각의 높이는 200nm 이상 500nm 이하이고, 상기 돌출부들 각각의 너비는 50nm 이상 100nm 이하인 표시장치
16 16
제14 항에 있어서, 상기 고굴절부는 상기 돌출부들의 형상에 대응하여 일정한 두께로 배치되고, 상기 두께는 20nm 이상 100nm 이하인 표시장치
17 17
제14 항에 있어서, 상기 저굴절부의 굴절률은 1
18 18
제 14 항에 있어서, 상기 저굴절부는 베이스부를 더 포함하고 상기 돌출부들 각각은 상기 베이스부로부터 돌출된 표시장치
19 19
복수 개의 유기전계 발광소자들을 포함하는 발광소자층을 제공하는 단계;윈도우 기판을 제공하는 단계;상기 윈도우 기판의 상면에 고분자 수지층을 제공하는 단계;상기 고분자 수지층을 식각하여 서로 랜덤하게 이격된 복수 개의 돌출부들을 포함하는 저굴절부를 형성하는 단계;상기 고분자 수지층 보다 높은 굴절률을 갖는 금속산화물을 상기 돌출부들 상에 증착하여 고굴절부를 형성하는 단계; 및상기 윈도우 기판 하면과 상기 발광소자층을 합착하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법
20 20
제19 항에 있어서, 상기 저굴절부를 형성하는 단계는 상기 저굴절부를 반응성 이온으로 식각하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
패밀리 정보가 없습니다

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN111081894 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 US2020127237 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.