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고분자를 포함하는 패턴이 형성된 기판을 챔버 내에 준비하는 단계; 상기 챔버의 유출구를 밀폐시킨 상태에서, 상기 패턴 상에 금속 산화물 증착을 위한, 소스 가스를 제공하는 단계; 상기 챔버의 유입구 및 유출구를 밀폐시킨 상태에서, 상기 패턴을 상기 소스 가스에 소정의 시간 동안 노출(exposing)시켜, 상기 패턴의 표면 내로 상기 소스 가스를 침투시키는 제1 노출 단계; 상기 제1 노출 단계 이후, 상기 챔버의 유입구 및 유출구를 오픈시킨 상태에서, 퍼지시키는 제1 퍼지 단계;상기 챔버의 유출구를 다시 밀폐시킨 상태에서, 상기 패턴 상에 반응 가스를 제공하는 단계;상기 챔버의 유입구 및 유출구를 밀폐시킨 상태에서, 상기 패턴을 상기 반응 가스에 소정의 시간 동안 노출(exposing)시켜, 상기 패턴의 표면을 개질 시키는 제2 노출 단계; 및상기 제2 노출 단계 이후, 상기 챔버의 유입구 및 유출구를 오픈시킨 상태에서, 퍼지시키는 제2 퍼지 단계를 포함하는 고분자 패턴의 표면 개질 방법
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제1 항에 있어서, 상기 소스 가스 제공 단계, 상기 제1 노출 단계, 상기 제1 퍼지 단계, 상기 반응 가스 제공 단계, 상기 제2 노출 단계, 및 상기 제2 퍼지 단계는 하나의 유닛 공정(unit process)를 이루고, 상기 유닛 공정은 복수회 반복되는 것을 포함하는 고분자 패턴의 표면 개질 방법
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제2 항에 있어서, 상기 유닛 공정의 반복 횟수에 따라, 상기 패턴의 표면 개질 상태가 제어되는 것을 포함하는 고분자 패턴의 표면 개질 방법
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제3 항에 있어서, 상기 유닛 공정의 반복 횟수가 증가함에 따라, 상기 패턴의 표면은 친수성(hydrophile)이 증가되는 것을 포함하는 고분자 패턴의 표면 개질 방법
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제1 항에 있어서, 상기 고분자는 PET(polyethyleneterephtalate), 및 PS(polystyrene) 중 어느 하나를 포함하는 고분자 패턴의 표면 개질 방법
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제1 항에 있어서, 상기 소스 가스는 TMA(trimethyl aluminium)을 포함하고, 상기 반응 가스는 H2O를 포함하는 고분자 패턴의 표면 개질 방법
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제1 고분자를 포함하는 제1 패턴, 및 상기 제1 고분자와 다른 제2 고분자를 포함하는 제2 패턴이 형성된 기판을 챔버 내에 준비하는 단계; 상기 챔버의 유출구를 밀폐시킨 상태에서, 상기 제1 패턴 및 제2 패턴 상에 금속 산화물 증착을 위한, 소스 가스를 제공하는 단계; 상기 챔버의 유입구 및 유출구를 밀폐시킨 상태에서, 상기 제1 패턴 및 제2 패턴을 상기 소스 가스에 소정의 시간 동안 노출(exposing)시켜, 상기 제1 패턴의 표면 및 제2 패턴의 표면 내로 상기 소스 가스를 침투시키는 제1 노출 단계; 상기 제1 노출 단계 이후, 상기 챔버의 유입구 및 유출구를 오픈시킨 상태에서, 퍼지시키는 제1 퍼지 단계;상기 챔버의 유출구를 다시 밀폐시킨 상태에서, 상기 제1 패턴 및 제2 패턴 상에 반응 가스를 제공하는 단계; 상기 챔버의 유입구 및 유출구를 밀폐시킨 상태에서, 상기 제1 패턴 및 제2 패턴을 상기 반응 가스에 소정의 시간 동안 노출(exposing)시키는 제2 노출 단계; 및상기 제2 노출 단계 이후, 상기 챔버의 유입구 및 유출구를 오픈시킨 상태에서, 퍼지시키는 제2 퍼지 단계를 포함하는 고분자 패턴의 표면 개질 방법
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제7 항에 있어서, 상기 소스 가스 제공 단계, 상기 제1 노출 단계, 상기 제1 퍼지 단계, 상기 반응 가스 제공 단계, 상기 제2 노출 단계, 및 상기 제2 퍼지 단계는 하나의 유닛 공정(unit process)를 이루고, 상기 유닛 공정은 복수회 반복되는 것을 포함하는 고분자 패턴의 표면 개질 방법
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제8 항에 있어서, 상기 유닛 공정의 반복 횟수에 따라, 상기 제1 패턴 및 제2 패턴 중 어느 하나의 패턴 표면이 선택적으로 개질되는 것을 포함하는 고분자 패턴의 표면 개질 방법
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제8 항에 있어서, 상기 유닛 공정의 반복 횟수가 기준 횟수를 초과하는 경우, 상기 제1 패턴의 표면 및 상기 제2 패턴의 표면 모두가 개질되는 것을 포함하는 고분자 패턴의 표면 개질 방법
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