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제1 블록-상기 제1 블록은 제1 방향으로 연장 형성되어 교대로 적층된 희생층과 절연층을 포함함-에 하부 스트링을 형성하는 단계; 상기 하부 스트링이 형성된 제1 블록의 상부 영역에 스트링 간 절연막을 생성하는 단계; 상기 스트링 간 절연막의 적어도 일부분을 식각하여, 상기 적어도 일부분이 식각된 공간에 적어도 하나의 희생막을 형성하는 단계; 상기 적어도 하나의 희생막이 형성된 스트링 간 절연막의 상부 영역에 제2 블록-상기 제2 블록은 상기 제1 방향으로 연장 형성되어 교대로 적층된 희생층과 절연층을 포함함-을 생성하는 단계; 상기 제2 블록에 상부 스트링을 형성하는 단계; 상기 제1 블록에 포함되는 희생층, 상기 적어도 하나의 희생막 및 상기 제2 블록에 포함되는 희생층을 식각하는 단계; 및 상기 적어도 하나의 희생막이 식각된 공간에 적어도 하나의 중간 배선층으로 사용될 전극층과, 상기 제1 블록에 포함되는 희생층이 식각된 공간 및 상기 제2 블록에 포함되는 희생층이 식각된 공간에 워드라인으로 사용될 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 적어도 하나의 희생막을 형성하는 단계는,상기 적어도 하나의 희생막이 식각된 공간에 형성될 상기 적어도 하나의 중간 배선층이 상기 상부 스트링의 채널층의 적어도 일부분 및 상기 하부 스트링의 채널층의 적어도 일부분과 맞닿도록 상기 적어도 일부분을 식각하는 단계를 포함하는 후단 공정을 이용한 3차원 플래시 메모리 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 희생막을 형성하는 단계는, 상기 스트링 간 절연막 중 상기 적어도 하나의 희생막이 형성된 부분을 제외한 나머지 적어도 일부분을 식각하는 단계; 및 상기 나머지 적어도 일부분이 식각된 공간에 적어도 하나의 채널 연결부-상기 적어도 하나의 채널 연결부는 상기 상부 스트링의 채널층과 상기 하부 스트링의 채널층을 연결시킴-를 형성하는 단계를 더 포함하는 후단 공정을 이용한 3차원 플래시 메모리 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 나머지 적어도 일부분을 식각하는 단계는, 상기 나머지 적어도 일부분이 식각된 공간에 형성될 상기 적어도 하나의 채널 연결부가 상기 상부 스트링의 채널층의 적어도 일부분 및 상기 하부 스트링의 채널층의 적어도 일부분과 맞닿도록 상기 나머지 적어도 일부분을 식각하는 단계를 포함하는 후단 공정을 이용한 3차원 플래시 메모리 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 희생막을 형성하는 단계는, 상기 스트링 간 절연막 중 상기 적어도 하나의 희생막이 형성된 부분을 제외한 나머지 적어도 일부분을 식각하는 단계를 더 포함하고, 상기 제2 블록에 상부 스트링을 형성하는 단계는, 상기 나머지 적어도 일부분이 식각된 공간에 연결 스트링을 형성하는 단계를 더 포함하는 후단 공정을 이용한 3차원 플래시 메모리 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 희생막을 형성하는 단계는, 상기 스트링 간 절연막의 적어도 일부분을 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 식각하는 단계; 및 상기 적어도 일부분이 상기 제2 방향으로 식각된 공간에 상기 적어도 하나의 희생막을 형성하는 단계를 포함하는 후단 공정을 이용한 3차원 플래시 메모리 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 중간 배선층은, 상기 하부 스트링 및 상기 상부 스트링에 대한 소스 전극 또는 드레인 전극 중 어느 하나로 선택적으로 사용 가능한, 후단 공정을 이용한 3차원 플래시 메모리 제조 방법
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제1 방향으로 연장 형성되어 교대로 적층된 희생층과 절연층에 상기 제1 방향과 수직되는 방향으로 형성된 스트링을 각기 포함하는 두 개의 블록들을 준비하는 단계; 상기 두 개의 블록들 중 제1 블록의 상부 영역에 스트링 간 절연막을 생성하는 단계; 상기 스트링 간 절연막의 적어도 일부분을 식각하여, 상기 적어도 일부분이 식각된 공간에 적어도 하나의 희생막을 형성하는 단계; 상기 적어도 하나의 희생막이 형성된 스트링 간 절연막의 상부 영역에 상기 두 개의 블록들 중 상기 제1 블록을 제외한 제2 블록을 적층하는 단계; 상기 제1 블록에 포함되는 희생층, 상기 적어도 하나의 희생막 및 상기 제2 블록에 포함되는 희생층을 식각하는 단계; 및 상기 적어도 하나의 희생막이 식각된 공간에 적어도 하나의 중간 배선층으로 사용될 전극층과, 상기 제1 블록에 포함되는 희생층이 식각된 공간 및 상기 제2 블록에 포함되는 희생층이 식각된 공간에 워드라인으로 사용될 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 적어도 하나의 희생막을 형성하는 단계는,상기 적어도 하나의 희생막이 식각된 공간에 형성될 상기 적어도 하나의 중간 배선층이 상기 제1 블록에 포함되는 스트링의 채널층의 적어도 일부분 및 상기 제2 블록에 포함되는 스트링의 채널층의 적어도 일부분과 맞닿도록 상기 적어도 일부분을 식각하는 단계를 포함하는 후단 공정을 이용한 3차원 플래시 메모리 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 적어도 하나의 희생막을 형성하는 단계는, 상기 스트링 간 절연막 중 상기 적어도 하나의 희생막이 형성된 부분을 제외한 나머지 적어도 일부분을 식각하는 단계; 및 상기 나머지 적어도 일부분이 식각된 공간에 적어도 하나의 채널 연결부-상기 적어도 하나의 채널 연결부는 상기 제1 블록에 포함되는 스트링의 채널층과 상기 제2 블록에 포함되는 스트링의 채널층을 연결시킴-를 형성하는 단계를 더 포함하는 후단 공정을 이용한 3차원 플래시 메모리 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 나머지 적어도 일부분을 식각하는 단계는, 상기 나머지 적어도 일부분이 식각된 공간에 형성될 상기 적어도 하나의 채널 연결부가 상기 제1 블록에 포함되는 스트링의 채널층의 적어도 일부분 및 상기 제2 블록에 포함되는 스트링의 채널층의 적어도 일부분과 맞닿도록 상기 나머지 적어도 일부분을 식각하는 단계를 포함하는 후단 공정을 이용한 3차원 플래시 메모리 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 적어도 하나의 희생막을 형성하는 단계는, 상기 스트링 간 절연막 중 상기 적어도 하나의 희생막이 형성된 부분을 제외한 나머지 적어도 일부분을 식각하는 단계; 및 상기 나머지 적어도 일부분이 식각된 공간에 연결 스트링을 형성하는 단계를 더 포함하는 후단 공정을 이용한 3차원 플래시 메모리 제조 방법
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