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기판이 투입된 챔버의 가스 유출구를 닫은 상태에서 상기 기판 상에 실리콘 전구체를 공급하여 상기 챔버 내 반응압력을 증가시켜 상기 실리콘 전구체를 상기 기판 표면 상에 흡착시키는 실리콘 전구체 가압 도징 단계;상기 실리콘 전구체 가압 도징 단계 후, 상기 챔버를 퍼지하는 실리콘 전구체 퍼지 단계;상기 실리콘 전구체 퍼지 단계 후, 반응가스를 상기 챔버 내로 공급하여 상기 기판 상에 흡착된 실리콘 전구체와 반응시키는 반응가스 공급 단계; 및상기 반응가스 공급 단계 후, 상기 챔버를 퍼지하는 반응가스 퍼지 단계를 포함하는 단위 사이클을 다수회 진행하여,상기 기판 상에 실리콘 절연막을 형성하는 절연막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 실리콘 전구체는 염화실란을 포함하는 절연막 제조방법
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청구항 2에 있어서,상기 실리콘 전구체는 SiCl4, SiH2Cl2, Si2Cl6 및 Si3Cl8로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 절연막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 실리콘 전구체는 캐리어 가스 없이 공급되는 절연막 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 반응압력은 수십 mTorr인 절연막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 실리콘 전구체는 SiCl4이고,상기 반응가스는 산화제이고,상기 절연막은 실리콘 산화막인 절연막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 실리콘 전구체 가압 도징 단계와 상기 실리콘 전구체 퍼지 단계는 실리콘 전구체 서브 사이클에 포함되고,상기 반응가스 공급 단계 전에, 상기 실리콘 전구체 서브 사이클을 다수회 수행하는 절연막 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 반응가스 공급단계는 상기 챔버의 가스 유출구를 닫은 상태에서 상기 반응가스를 공급하여 상기 챔버 내 반응압력을 증가시킨 상태에서 진행하는 반응가스 가압 도징 단계로 진행하는 절연막 제조방법
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청구항 8에 있어서, 상기 반응가스 가압 도징 단계와 상기 반응가스 퍼지 단계는 반응가스 서브 사이클에 포함되고,상기 단위 사이클은 상기 반응가스 서브 사이클을 연속하여 다수회 수행하는 것을 포함하는 절연막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 반응가스는 H2O, H2O2, O2, 또는 O3을 포함하는 산화제 혹은 NH3 또는 N2H4를 포함하는 질화제인 절연막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 챔버의 온도는 20 내지 150 ℃의 범위 내에 있는 절연막 제조방법
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