| 1 |
1
게이트 전극;상기 게이트 전극에 중첩하여 배치되고, 비정질 매트릭스와 상기 비정질 매트릭스 내에 분산된 다수의 결정립들을 구비하는 인듐 산화물 채널층;상기 게이트 전극과 상기 채널층 사이에 배치된 게이트 절연막; 및상기 채널층의 양측 단부들에 각각 전기적으로 접속하는 소오스 및 드레인 전극들을 포함하는 박막트랜지스터
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 다수의 결정립들은 서로 다른 방향으로 결정화된 것들인 박막트랜지스터
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 결정립들은 수 nm의 직경을 갖는 박막트랜지스터
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 인듐 산화물 채널층은 수 내지 수십 nm의 두께를 갖는 박막트랜지스터
|
| 5 |
5
청구항 4에 있어서,상기 인듐 산화물 채널층은 3 내지 10nm의 두께를 갖는 박막트랜지스터
|
| 6 |
6
청구항 5에 있어서,상기 인듐 산화물 채널층은 6 내지 8 nm의 두께를 갖는 박막트랜지스터
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서,상기 인듐 산화물 채널층은 In2O3층인 박막트랜지스터
|
| 8 |
8
게이트 전극, 게이트 절연막, 채널층, 및 소오스 및 드레인 전극들을 구비하는 박막트랜지스터 제조방법에 있어서, 상기 채널층은 인듐 산화물 채널층이고, 상기 인듐 산화물 채널층은, 챔버 내에 상기 채널층이 형성될 기판을 투입하고 상기 챔버의 유출구를 닫은 상태에서 인듐 전구체를 공급하여 상기 챔버 내 반응압력을 증가시켜 상기 인듐 전구체를 상기 기판 표면 상에 흡착시키는 인듐 전구체 가압 도징 단계; 인듐 전구체 가압 도징 단계 후, 상기 챔버를 퍼지하는 인듐 전구체 퍼지 단계; 상기 인듐 전구체 퍼지 단계 후, 산화제를 상기 챔버 내로 공급하여 상기 기판 상에 흡착된 인듐 전구체를 산화시켜 인듐 산화물을 형성하는 산화제 공급 단계; 및 상기 산화제 공급 단계 후, 상기 챔버를 퍼지하는 산화제 퍼지 단계를 포함하는 단위 사이클을 다수회 진행하여 형성하는,박막트랜지스터 제조방법
|
| 9 |
9
청구항 8에 있어서,상기 인듐 산화물 채널층은 비정질 매트릭스와 상기 비정질 매트릭스 내에 분산된 다수의 결정립들을 구비하는, 박막트랜지스터 제조방법
|
| 10 |
10
청구항 8에 있어서,상기 인듐 산화물 채널층은 In2O3층인, 박막트랜지스터 제조방법
|
| 11 |
11
청구항 8에 있어서,상기 인듐 전구체 가압 도징 단계와 상기 인듐 전구체 퍼지 단계는 인듐 전구체 서브 사이클을 구성하고,상기 산화제 공급 단계 전에, 상기 인듐 전구체 서브 사이클을 다수회 수행하는 박막트랜지스터 제조방법
|
| 12 |
12
청구항 8에 있어서, 상기 산화제 공급단계는 상기 챔버의 유출구를 닫은 상태에서 상기 산화제를 공급하여 상기 챔버 내 반응압력을 증가시킨 상태에서 진행하는 산화제 가압 도징 단계로 진행하는 박막트랜지스터 제조방법
|
| 13 |
13
청구항 12에 있어서, 상기 산화제 가압 도징 단계와 상기 산화제 퍼지 단계는 산화제 서브 사이클을 구성하고,상기 단위 사이클은 상기 산화제 서브 사이클을 연속하여 다수회 수행하는 것을 포함하는 박막트랜지스터 제조방법
|
| 14 |
14
청구항 8에 있어서,상기 챔버의 온도는 80 내지 150 ℃의 범위 내에 있는 박막트랜지스터 제조방법
|
| 15 |
15
청구항 8에 있어서,상기 인듐 전구체는 인듐과 [((C1-C5)알킬)n실릴]m아미노기(n은 1, 2, 또는 3이고 m은 1 또는 2)인 리간드를 구비하는 인듐-유기화합물인 박막트랜지스터 제조방법
|
| 16 |
16
청구항 15에 있어서,상기 리간드는 [((C1-C5)알킬)n실릴]m아미노기(n은 3이고 m은 2)인 박막트랜지스터 제조방법
|
| 17 |
17
청구항 16에 있어서,상기 인듐 전구체는 InCA-1 ([1,1,1-trimethyl-N-(trimethylsilyl)silanaminato]indium)인 박막트랜지스터 제조방법
|
| 18 |
18
비정질 매트릭스와 상기 비정질 매트릭스 내에 분산된 다수의 결정립들을 구비하는 인듐 산화물층
|
| 19 |
19
청구항 18에 있어서,상기 다수의 결정립들은 서로 다른 방향으로 결정화된 것들인 인듐 산화물층
|
| 20 |
20
청구항 18에 있어서,상기 결정립들은 수 nm의 직경을 갖는 인듐 산화물층
|
