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수직으로 성장되어, 기판 상에 정렬된 나노로드; 및상기 나노로드상에 형성된 전이금속 칼코게나이드(TMC) 층을 포함하며, 상기 전이금속 칼코게나이드(TMC)층의 모서리 영역(edge site)이 노출된 것이고, 상기 전이금속 칼코게나이드(TMC) 층은 2차원 구조인 것을 특징으로 하는 가스센서
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제 1항에 있어서, 상기 전이금속 칼코게나이드 층은 상기 나노로드 표면 상에서 무질서한 방향성을 갖는 것을 특징으로 하는 가스센서
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제1항에 있어서, 상기 나노로드의 길이는 평균 400 nm 이상인 것을 특징으로 하는 가스센서
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제 1항에 있어서, 상기 나노로드는 SiO2, SnO2, WO3, ZnO, Fe2O3, Fe3O4, NiO, TiO2, CuO, Cu2O, In2O3, Zn2SnO4, Co3O4, CeO2 PdO, LaCoO3, La2O3, NiCo2O4, Ca2Mn3O8, V2O5, Bi2O5, ZrO2, AZO, Ag2V4O11, Ag2O, Al2O3, MnO2, Mn2O3, Nb2O5, InTaO4, InTaO4, CaCu3Ti4O12, Ag3PO4, BaTiO3, NiTiO3, SrTiO3, MoO3, Sr2Nb2O7, Sr2Ta2O7, 및 Ba0
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제 1항에 있어서, 전이금속 칼코게나이드 층은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 주석(Sn), 카드뮴(Cd), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 니켈(Ni), 철(Fe), 구리(Cu) 및 아연(Zn) 중 어느 하나의 전이금속 원자와 셀레늄(Se), 황(S), 인(P) 및 텔루륨(Te) 중 적어도 하나의 칼코겐 원자가 결합된 전이금속 칼코게나이드 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서
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제 1항에 있어서, 전이금속 칼코게나이드 층은 Au, Pd, Co, Pt, Rh, Ru, Ni, Cr, Ir, Ag, Zn, W, Sn, Sr, In, Pb, Fe, Cu, V, Ta, Sb, Sc, Ti, Mn, Ga 및 Ge 로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 촉매를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서
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제 1항에 있어서,상기 나노로드는 SiO2 이며,상기 전이금속 칼코게나이드 층은 MoS2 또는 SnS2 인 가스센서
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제 1항에 있어서, 상기 전이금속 칼코게나이드 층은 2가지 이상의 물질 층간 헤테로 접합(hetero junction)을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서
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제 8항에 있어서, 상기 나노로드는 SnO2 이며,상기 전이금속 칼코게나이드 층은 SnS 인 가스센서
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기판상에 수직한 방향을 따라 복수의 나노로드를 형성하는 단계:상기 나노로드 표면에 전이금속 칼코게나이드 층을 형성하는 단계; 를 포함하며, 상기 전이금속 칼코게나이드(TMC)층의 모서리 영역(edge site)이 노출된 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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제10항에 있어서,기판상에 수직한 방향을 따라 복수 개의 나노로드를 형성하는 단계는,글랜싱 앵글 증착법 (Glancing Angle Deposition, GLAD)에 의해서 수행되는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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제10항에 있어서,나노로드 표면에 전이금속 칼코게나이드 층을 형성하는 단계는,열 증착(thermal Evaporation)법, 화학기상증착법 (Chemical Vapor Deposition) 또는 스퍼터링(Sputtering)법을 이용하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 전이금속 칼코게나이드 층은 2가지 이상의 물질 층간 헤테로 접합(hetero junction)을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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