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기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 금속을 포함하는 제1 전구체, 및 벤젠 고리를 포함하는 제2 전구체를 제공하여, 상기 제1 및 제2 전구체가 반응된 금속 유기물을 형성하는 단계; 및상기 금속 유기물 상에, 상기 금속을 포함하는 제3 전구체, 및 산소(O)를 포함하는 제4 전구체를 제공하여, 상기 제3 및 제4 전구체가 반응된 금속 산화물을 형성하는 단계를 포함하는 유-무기 하이브리드 박막의 제조 방법
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제1 항에 따른 방법으로 제조된 유-무기 하이브리드 박막은, 상기 금속 산화물을 포함하는 박막과 비교하여 동일한 두께에서 광 투과도가 더 높은 것을 포함하는 유-무기 하이브리드 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 금속 유기물 및 상기 금속 산화물의 비율에 따라, 광투과성 및 전기 전도도가 제어되는 것을 포함하는 유-무기 하이브리드 박막의 제조 방법
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제3 항에 있어서, 상기 금속 유기물 형성 단계, 및 상기 금속 산화물 형성 단계는 각각 복수회 반복 수행되고, 상기 금속 유기물 및 상기 금속 산화물의 비율은, 상기 금속 유기물 형성 단계의 반복 횟수, 및 상기 금속 산화물 형성 단계의 반복 회수 비율에 따라 제어되는 것을 포함하는 유-무기 하이브리드 박막의 제조 방법
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제3 항에 있어서, 상기 금속 산화물 형성 단계에 대한 상기 금속 유기물 형성 단계의 수행 비율이 1/49 이하로 반복 수행되는 경우, 도체(conductor) 특성을 나타내는 것을 포함하는 유-무기 하이브리드 박막의 제조 방법
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제3 항에 있어서, 상기 금속 산화물 형성 단계에 대한 상기 금속 유기물 형성 단계의 수행 비율이 1/49 이상 1/24 미만으로 반복 수행되는 경우, 반도체(semiconductor) 특성을 나타내는 것을 포함하는 유-무기 하이브리드 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 금속은 인듐(In)을 포함하는 유-무기 하이브리드 박막의 제조 방법
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제7 항에 있어서, 상기 제1 전구체 및 상기 제3 전구체는 서로 다른 것을 포함하는 유-무기 하이브리드 박막의 제조 방법
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기판; 및상기 기판 상에 배치되고, 금속 유기물 및 금속 산화물을 포함하는 하이브리드 박막을 포함하되, 상기 하이브리드 박막은, 상기 금속 산화물의 함유량이 상기 금속 유기물의 함유량 보다 많은 것을 포함하는 유-무기 하이브리드 박막
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제9 항에 있어서, 상기 금속은, 인듐(In)을 포함하는 유-무기 하이브리드 박막
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제10 항에 있어서, 상기 금속 산화물을 포함하는 무기 박막과 비교하여, 광투과성이 높은 것을 포함하는 유-무기 하이브리드 박막
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제10 항에 있어서, 상기 금속 산화물을 포함하는 무기 박막과 비교하여, 유연성(flexibility)이 높은 것을 포함하는 유-무기 하이브리드 박막
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제9 항에 있어서, 상기 금속은 알루미늄(Al)을 포함하는 유-무기 하이브리드 박막의 제조 방법
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제13 항에 따른 유-무기 하이브리드 박막을 포함하는 봉지 구조체
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