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레지스트 화합물, 이를 사용한 패턴 형성 방법, 및 이를 사용한 반도체 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020011361
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 레지스트 화합물, 이를 사용한 패턴 형성 방법, 및 반도체 소자 제조 방법이 제공된다. 본 발명에 따르면, 레지스트 화합물은 아래의 화학식 1로 표시될 수 있다. [화학식 1]
Int. CL G03F 7/004 (2006.01.01) G03F 7/027 (2006.01.01) G03F 7/32 (2006.01.01) G03F 7/20 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01)
CPC G03F 7/004(2013.01) G03F 7/004(2013.01) G03F 7/004(2013.01) G03F 7/004(2013.01) G03F 7/004(2013.01)
출원번호/일자 1020190016033 (2019.02.12)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0098784 (2020.08.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.02.12)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진균 인천광역시 연수구
2 정석헌 인천광역시 미추홀구
3 오현택 인천광역시 계양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2019-0145779-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.01.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.03.17 수리 (Accepted) 9-1-2020-0011942-78
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0470347-03
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.09.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0956696-30
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2020-0956695-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
아래의 화학식 1로 레지스트 화합물
2 2
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1에서, R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6 중에서 적어도 하나는 아래의 화학식 2로 표시되는 레지스트 화합물
3 3
제 2항에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 물질은 아래의 화학식 2-1 내지 화학식 2-3으로 표시되는 물질들 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 레지스트 화합물
4 4
제 2항에 있어서, 상기 화학식1에서, R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6 중에서 다른 하나는 화학식 3으로 표시되는 레지스트 화합물
5 5
제 2항에 있어서, 상기 화학식 1에서, R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6 중에서 다른 하나는 화학식 4 또는 화학식 5로 표시되는 레지스트 화합물
6 6
제 5항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 물질은 아래의 화학식 6G으로 표시되는 물질을 포함하는 레지스트 화합물
7 7
제 1항에 있어서, 상기 레지스트 화합물은 100℃ 내지 180℃의 유리 전이 온도를 갖는 레지스트 화합물
8 8
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1은 아래의 화학식 6으로 표시되는 물질을 포함하는 레지스트 화합물
9 9
제 1항에 있어서, 상기 레지스트 화합물을 사용한 패턴 형성 방법
10 10
기판 상에 아래의 화학식 1로 표시되는 화합물을 도포하여, 레지스트막을 형성하는 것; 및상기 레지스트막을 패터닝하는 것을 포함하는 반도체 소자 제조 방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 화학식 1의 R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6 중에서 적어도 하나는 탄소수 1 내지 20의 퍼할로겐화 알킬(perhalogenated alkyl) 또는 탄소수 1 내지 20의 퍼할로겐화 알킬 에테르(perhalogenated alkyl ether) 할로겐화 알킬를 포함하는 반도체 소자 제조 방법
12 12
제 10항에 있어서, 상기 화학식 1의 R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6 중에서 다른 하나는 탄소수 3 내지 20의 알케닐기를 포함하는 반도체 소자 제조 방법
13 13
제 10항에 있어서, 상기 레지스트막을 패터닝하는 것은: 상기 레지스트막 상에 빛을 조사하는 것; 및상기 현상액을 사용하여, 상기 레지스트막의 일부를 제거하는 것을 포함하고, 상기 빛은 전자선 또는 극자외선을 포함하고, 상기 현상액은 고불소계 용액을 포함하는 반도체 소자 제조 방법
14 14
제 10항에 있어서, 상기 화학식 1에서, R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6 중에서 적어도 어느 하나는 아래의 화학식 2로 표시되는 반도체 소자 제조 방법
15 15
제 14항에 있어서, 상기 화학식1에서, R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6 중에서 다른 하나는 화학식 3, 화학식 4, 또는 화학식 5로 표시되는 반도체 소자 제조 방법
16 16
제 14항에 있어서, 상기 화학식 2에서, X1, X2, 및 X3는 불소이고, R10은 탄소수 1 내지 18의 퍼플루오르화 알킬(perflouroalkyl) 또는 탄소수 1 내지 18의 퍼할로겐화 알킬 에테르 플루오르화 알킬(perflouroalkyl ether flouroalkyl)인 반도체 소자 제조 방법
17 17
제 10항에 있어서, 상기 레지스트 화합물은 아래의 화학식 6으로 표시되는 반도체 소자 제조 방법
18 18
제 10항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 물질은 아래의 화학식 6G으로 표시되는 물질을 포함하는 반도체 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.