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고불소계 용제에 용해성을 가지는 고불소화 단분자 포토레지스트 및 이를 이용한 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2020001057
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 본 발명은 고불소계 용제에 용해성을 가지는 고불소화 단분자 포토레지스트 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 고불소계 용제에 용해 가능한 신규 화합물을 제공하여 네거티브형, 포지티프형 패턴을 제작할 수 있으며, 포토리소그라피 공정 중 도포(coating) 및 현상(develop) 과정을 유기용매나 수용액의 도움 없이 고불소계 용제만을 이용하여 유기전자재료 박막에 대한 화학적 침해의 가능성을 줄일 수 있으며, 후속 열처리(post-exposure bake) 또한 요구 되지 않아 패턴 형성 시 물리적, 화학적 침해를 최소화할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL C07C 309/76 (2006.01.01) G03F 7/038 (2006.01.01) G03F 7/033 (2006.01.01) G03F 7/039 (2006.01.01) G03F 7/20 (2006.01.01) G03F 7/26 (2006.01.01)
CPC C07C 309/76(2013.01) C07C 309/76(2013.01) C07C 309/76(2013.01) C07C 309/76(2013.01) C07C 309/76(2013.01) C07C 309/76(2013.01)
출원번호/일자 1020180130667 (2018.10.30)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2080079-0000 (2020.02.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20200221) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.10.30)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진균 인천광역시 연수구
2 강새은 인천광역시 부평구
3 손종찬 경기도 오산시 오산로*

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태백 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 이노플렉스 *차 ***호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-1072198-90
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.03.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0104724-27
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.10.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0724871-27
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-1235126-82
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.11.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1235127-27
8 등록결정서
Decision to grant		 2020.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0109969-13
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
하기 화학식 2로 표시되는 화합물:[화학식 2]상기 화학식 2에서 n은 3 내지 9의 정수임
3 3
하기 화학식 3으로 표시되는 화합물:[화학식 3]상기 화학식 3에서 n은 3 내지 9의 정수임
4 4
청구항 제 2항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 고불소화 단분자 포토레지스트
5 5
청구항 제 2항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 고불소화 단분자 네거티브형 포토레지스트
6 6
청구항 제 4항에 따른 포토레지스트를 고불소계 용제와 혼합한 후 기판에 도포하는 제 1공정;상기 기판을 가열 처리하여 포토레지스트 막을 형성하는 제 2공정;상기 포토레지스트 막에 마스크를 올리고, 노광하는 제 3공정; 및상기 포토레지스트 막을 현상액으로 현상하여 기판 상에 패턴을 형성하는 제 4공정;을 포함하는 네거티브형 패턴 형성 방법
7 7
상기 제 6항에 있어서,상기 제 2 공정의 가열 처리는 60 내지 80℃에서 30초 내지 2분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
청구항 제 4항에 따른 고불소화 단분자 포토레지스트와 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 포함하는 고불소화 고분자 바인더를 포함하는 고불소화 포토레지스트
11 11
청구항 제 4항에 따른 고불소화 단분자 포토레지스트와 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 포함하는 고불소화 고분자 바인더를 포함하는 고불소화 포지티브형 포토레지스트
12 12
청구항 제 10항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 포토레지스트를 고불소계 용제와 혼합한 후 기판에 도포하는 제 1공정;상기 기판을 가열 처리하여 포토레지스트 막을 형성하는 제 2공정;상기 포토레지스트 막에 마스크를 올리고, 노광하는 제 3공정; 및상기 포토레지스트 막을 현상액으로 현상하여 기판 상에 패턴을 형성하는 제 4공정;을 포함하는 포지티브형 패턴 형성 방법
13 13
상기 제 12항에 있어서,상기 제 2 공정의 가열 처리는 60 내지 80℃에서 30초 내지 2분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 인하대학교산학협력단 산업핵심기술개발사업 고불소계 재료 기반 포토리소그라피 패터닝 공정을 통한 10μm급 OLED픽셀 제조기술 개발