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하기 화학식 1로 표시되는 화합물:[화학식 1]상기 화학식 1에서,R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 수소, (C10∼C15)알킬 트리티오카보네이트((C10∼C15)alkyl trithiocarbonate), (C2∼C5)알킬 다이티오카보네이트((C2∼C5)alkyl dithiocarbonate), (C2∼C5)알킬 다이티오카바메이트((C2∼C5)alkyldithiocarbamate), 시아노-4-(C2∼C5)알킬 카복실산(cyano-4-(C2∼C5)alkyl carboxylic acid), 시아노 (C2∼C4)알킬 에스터(cyano-(C2∼C4)alkyl ester), (C2∼C5)알킬 다이티오에스터((C2∼C5)alkyl dithioester), α-브로모이소부티릴(α-bromoisobutyryl) 및 (C2∼C5)다이알킬 니트록실((C2∼C5)dialkyl nitroxyl)로 이루어진 군에서 선택되며,r은 (C1∼C10)의 알킬기이고, n은 3 내지 9의 정수이며 x, y 및 z는 각 단량체의 평균 몰(mole) 비를 나타낸 것으로서, x : y : z는 (0
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제 1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:[화학식 1-1]상기 화학식 1-1에서,r은 (C1∼C10)의 알킬기이고, n은 3 내지 9의 정수이며 x, y 및 z는 각 단량체의 평균 몰(mole) 비를 나타낸 것으로서, x : y : z는 (0
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제 2항에 있어서,화학식 1-1로 표시되는 화합물은 다분산지수(polydispersity index)가 1
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제 1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 a로 표시되는 단량체와 하기 화학식 b로 표시되는 단량체 및 하기 화학식 c로 표시되는 단량체가 (0
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청구항 제 1항 또는 제 2항에 따른 화합물을 포함하는 주쇄 절단형 고불소화 고분자 포토레지스트
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청구항 제 1항 또는 제 2항에 따른 화합물을 포함하는 주쇄 절단형 고불소화 고분자 포지티브형 포토레지스트
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청구항 제 5항 또는 제 6항에 따른 포토레지스트를 고불소계 용제와 혼합한 후 기판에 도포하는 제 1공정;상기 기판을 열처리하여 포토레지스트 막을 형성하는 제 2공정;상기 포토레지스트 막에 마스크를 올리고, 노광하는 제 3공정; 및상기 포토레지스트 막을 현상액으로 현상하여 기판 상에 패턴을 형성하는 제 4공정;을 포함하는 포지티브형 패턴 형성 방법
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청구항 제 7항에 있어서,상기 제 2 공정의 열처리는 60 내지 90 ℃에서 30초 내지 2분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 포지티브형 패턴 형성 방법
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투명 전극 상에 청구항 제 5항 또는 제 6항에 따른 포토레지스트를 고불소계 용제와 혼합하여 포토레지스트 용액을 제조한 후, 전극에 도포하는 제 1공정;상기 포토레지스트 용액을 도포하여 형성한 박막을 노광한 후, 현상액으로 현상하여 포지티브형 패턴을 투명 전극 상에 형성하는 제 2공정; 및상기 형성된 패턴 상에 유기물층을 진공 증착하는 제 3공정;을 포함하는 유기전자소자 제조방법
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청구항 제 9항에 있어서,상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층, 전자 저지층, 발광층, 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송 기능과 전자 주입기능을 동시에 갖는 기능층으로 이루어진 군에서 선택되어 1층 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자 제조방법
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청구항 제 9항에 있어서,상기 유기전자소자 제조방법은 제 1공정 내지 제 3공정을 2 내지 4회 반복 수행하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자 제조방법
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청구항 제 9항에 따른 제조방법으로 제조된 것인 유기전자소자
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청구항 제 12항에 있어서,상기 유기전자소자는 유기발광다이오드, 유기포토다이오드, 유기박막트랜지스터, 유기발광트랜지스터 및 유기태양전지로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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유기전자소자를 이루는 다층 유기박막층 위에 청구항 제 5항 또는 제 6항에 따른 포토레지스트를 고불소계 용제와 혼합하여 포토레지스트 용액을 제조한 후, 도포하는 제 1공정;상기 포토레지스트 용액을 도포하여 형성한 포토레지스트 박막을 노광한 후, 현상액으로 현상하여 포지티브형 패턴을 다층 유기박막층 위에 형성하는 제 2공정; 및상기 형성된 패턴으로 건식각 공정을 통해 하부 다층 유기박막층을 제거하는 제 3공정;을 포함하는 유기전자소자 제조방법
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청구항 제 14항에 있어서,상기 유기박막층은 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층, 전자 저지층, 발광층, 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송 기능과 전자 주입기능을 동시에 갖는 기능층으로 이루어진 군에서 선택되어 1층 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자 제조방법
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청구항 제 14항에 있어서,상기 유기전자소자 제조방법은 제 1공정 내지 제 3공정을 2 내지 4회 반복 수행하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자 제조방법
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청구항 제 14항에 따른 제조방법으로 제조된 것인 유기전자소자
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청구항 제 17항에 있어서,상기 유기전자소자는 유기발광다이오드, 유기포토다이오드, 유기박막트랜지스터, 유기발광트랜지스터 및 유기태양전지로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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