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다층 그래핀으로 형성된 펠리클막; 및상기 펠리클막의 하부에 부착 또는 결합되고, 가운데 부분에 상기 그래핀막을 노출시키는 관통 개구가 형성된 프레임 지지체를 포함하고, 상기 프레임 지지체는 n-형 도펀트 물질이 도핑된 결정질 실리콘(n-type Si) 또는 p-형 도펀트 물질이 도핑된 결정질 실리콘(p-type Si)으로 형성된 실리콘 프레임부; 및 상기 실리콘 프레임부와 동일한 평면 형상을 갖고 상기 실리콘 프레임보다 작은 두께를 가지며 상기 그래핀막과 상기 실리콘 프레임부 사이에 배치되어 상기 실리콘 프레임부와 상기 그래핀막 사이의 원소 확산을 방지하는 확산 방지 프레임부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 펠리클 구조체
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제1항에 있어서,상기 펠리클막은 1 내지 50 nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는, 펠리클 구조체
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 프레임부는 700 내지 800㎛의 두께를 갖고, 상기 확산 방지 프레임부는 25 nm 이상 1 ㎛ 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는, 펠리클 구조체
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제1항에 있어서,상기 확산 방지 프레임부는 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)로 형성된 것을 특징으로 하는, 펠리클 구조체
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실리콘 기판 상에 확산 방지층, 비정질 탄소층, 금속 촉매층 및 상기 금속 촉매층의 금속보다 높은 녹는점을 갖는 금속으로 형성된 캡핑층을 순차적으로 형성하는 제1 단계; 상기 비정질 탄소층을 열처리하여 그래핀층으로 변환시키는 제2 단계; 상기 촉매층 및 상기 캡핑층을 제거하는 제3 단계; 상기 실리콘 기판의 하부면 상에 마스크 패턴을 형성하는 제4 단계; 상기 마스크 패턴에 의해 노출된 상기 실리콘 기판 및 확산 방지층 영역을 라디컬 식각 공정을 통해 식각하여 프레임 지지체를 형성하는 제5 단계; 및 상기 마스크 패턴을 제거하는 제6 단계를 포함하는, 펠리클 구조체의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 실리콘 기판은 인(P), 비소(As) 또는 안티몬(Sb)이 0
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제5항에 있어서,상기 확산 방지층은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 25 nm 이상 1 ㎛ 이하의 두께로 증착하여 형성된 것을 특징으로 하는, 펠리클 구조체의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 촉매층은 니켈(Ni)로 형성되고, 상기 캡핑층은 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 또는 탄탈륨(Ta)으로 형성된 것을 특징으로 하는, 펠리클 구조체의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 비정질 탄소층을 상기 그래핀층으로 변환시키는 열처리는 700 내지 1000℃에서 수소(H2), 질소(N2) 또는 불활성 가스 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 펠리클 구조체의 제조방법
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10
제5항에 있어서,상기 마스크 패턴은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx), PDMS 또는 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는, 펠리클 구조체의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 5단계는 ClF3, ClF2, ClF, Cl2, CF4, C4F8, SF6 및 NXO으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 플라즈마로부터 추출된 라디컬을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는, 펠리클 구조체의 제조방법
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