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1) 금속을 포함하는 도전층과 절연층이 존재하는 기판을 제공하는 단계;2) 상기 기판에 몰리브데늄 전구체와 산소 기체를 공급하여 상기 도전층 상에 산화몰리브데늄 층을 증착시키는 단계;및3) 칼코겐 소스를 첨가하고 저온 플라즈마를 발생시켜 칼코게나이드 박막을 형성하는 단계를 포함하는, 원자층 증착법(ALD)을 이용한 칼코지나이드 박막의 선택적 증착방법
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제1항에 있어서,상기 2) 단계의 증착 온도는 50 ~ 150℃인 것을 특징으로 하는 칼코지나이드 박막의 선택적 증착방법
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제1항에 있어서,상기 2) 단계는 산소 기체와 상기 도전층의 해리성 화학흡착 반응을 통하여 상기 도전층 상에 활성 산소종을 형성하는 단계;및상기 활성 산소종과 몰리브데늄 전구체를 반응시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 칼코지나이드 박막의 선택적 증착방법
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제1항에 있어서,상기 몰리브데늄 전구체는 몰리브덴 헥사카보닐(Molybdenum Hexacarbonyl), 몰리브덴펜타클로라이드(Molybdenum Pentachloride) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 칼코지나이드 박막의 선택적 증착방법
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제1항에 있어서,상기 칼코겐 소스는 S, Se, Te, H2S, H2Se, H2Te, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 것인 칼코지나이드 박막의 선택적 증착방법
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제1항에 있어서,상기 도전층은 산소 기체와의 해리성 화학흡착 반응을 일으킬 수 있는 촉매 활성을 갖는 금속인 것을 특징으로 하는 칼코지나이드 박막의 선택적 증착방법
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제6항에 있어서, 상기 금속은 노블 금속이며, 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir) 또는 루테늄(Ru) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 칼코지나이드 박막의 선택적 증착방법
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제1항에 있어서,상기 절연층은 실리콘산화물층인 것을 특징으로 하는 칼코지나이드 박막의 선택적 증착방법
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제1항에 있어서,상기 3) 단계에서 저온 플라즈마의 온도는 350 ~ 450℃인 것을 특징으로 하는 칼코지나이드 박막의 선택적 증착방법
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