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제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 형성된 제 1 전자 수집층;상기 제 1 전자 수집층 상에 형성된 제 1 광활성층;상기 제 1 광활성층 상에 형성된 제 1 정공 수집층;상기 제 1 정공 수집층 상에 형성된 금속층;상기 금속층 상에 형성된 제 2 전자 수집층;상기 제 2 전자 수집층 상에 형성된 제 2 광활성층;상기 제 2 광활성층 상에 형성된 제 2 정공 수집층; 및상기 제 2 정공 수집층 상에 형성된 제 2 전극;을 포함하며, 상기 제 2 전자 수집층은 금속 산화물 및 중성고분자를 포함하며, 상기 제 2 전자 수집층은 재결합 영역(recombination zone)을 형성하고, 전력변환효율은 12% 내지 17%인 것인, 탠덤형 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전자 수집층은 상기 금속 산화물 100 중량부를 기준으로 상기 중성고분자가 5 중량부 내지 10 중량부로 포함되는 것인, 탠덤형 태양전지
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3
제 1 항에 있어서, 상기 중성고분자는 하기 화학식 1로서 표시되는 화합물을 포함하는 것인, 탠덤형 태양전지:[화학식 1](상기 n은 500 내지 100,000의 정수이고, 상기 R은 탄소수 3개 이하의 지방족 사슬인 것임)
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제 3 항에 있어서, 상기 중성고분자는 하기 화학식 2로서 표시되는 화합물을 포함하는 것인, 탠덤형 태양전지:[화학식 2](상기 n은 500 내지 100,000의 정수인 것임)
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전자 수집층의 일면이 분화구 모양의 돌출부를 구비하는 것인, 탠덤형 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 금속층의 두께는 5 nm 내지 10 nm인 것인, 탠덤형 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 금속층의 투명도는 45% 내지 70%인 것인, 탠덤형 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 금속층은 p-타입 금속을 포함하는 것인, 탠덤형 태양전지
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삭제
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제 1 전극 상에 제 1 전자 수집층을 형성하는 단계; 상기 제 1 전자 수집층 상에 제 1 광활성층을 형성하는 단계;상기 제 1 광활성층 상에 제 1 정공 수집층을 형성하는 단계;상기 제 1 정공 수집층 상에 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층 상에 제 2 전자 수집층을 형성하는 단계; 상기 제 2 전자 수집층 상에 제 2 광활성층을 형성하는 단계; 상기 제 2 광활성층 상에 제 2 정공 수집층을 형성하는 단계; 및상기 제 2 정공 수집층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 제 2 전자 수집층은 금속 산화물 및 중성고분자를 포함하며, 상기 제 2 전자 수집층은 재결합 영역(recombination zone)을 형성하는 것인, 탠덤형 태양전지의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 중성고분자는 하기 화학식 1로서 표시되는 화합물을 포함하는 것인, 탠덤형 태양전지의 제조 방법:[화학식 1](상기 n은 500 내지 100,000의 정수이고, 상기 R은 탄소수 3개 이하의 지방족 사슬인 것임)
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제 12 항에 있어서, 상기 중성고분자는 하기 화학식 2로서 표시되는 화합물을 포함하는 것인, 탠덤형 태양전지의 제조 방법:[화학식 2](상기 n은 500 내지 100,000의 정수인 것임)
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제 11 항에 있어서, 상기 제 2 전자 수집층의 일면이 분화구 모양의 돌출부로 형성되는 것인, 탠덤형 태양전지의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 금속층의 두께는 5 nm 내지 10 nm로 형성되는 것인, 탠덤형 태양전지의 제조 방법
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