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탠덤형 태양전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2021004695
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탠덤형 태양전지에 대한 것으로, 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 형성된 제 1 전자 수집층; 상기 제 1 전자 수집층 상에 형성된 제 1 광활성층; 상기 제 1 광활성층 상에 형성된 제 1 정공 수집층; 상기 제 1 정공 수집층 상에 형성된 금속층; 상기 금속층 상에 형성된 제 2 전자 수집층; 상기 제 2 전자 수집층 상에 형성된 제 2 광활성층; 상기 제 2 광활성층 상에 형성된 제 2 정공 수집층; 및 상기 제 2 정공 수집층 상에 형성된 제 2 전극;을 포함하며, 상기 제 2 전자 수집층은 금속 산화물 및 중성고분자를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 탠덤형 태양전지는 금속 산화물로 구성된 제 1 정공 수집층, p-타입 금속층 및 금속 산화물과 중성고분자를 포함하는 제 2 전자 수집층이 상호연결층 역할을 함으로써 Voc 1.61 V, FF 68.3%, PCE 14.05%를 달성하며, 100일 후에도 PCE가 10% 이상 유지할 정도로 안정성이 높은 고분자 태양전지를 제공한다.
Int. CL H01L 51/42 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 31/0256 (2006.01.01)
CPC H01L 51/424(2013.01) H01L 51/0032(2013.01) H01L 2031/0344(2013.01) Y02E 10/549(2013.01)
출원번호/일자 1020190157549 (2019.11.29)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2246070-0000 (2021.04.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20210429) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.11.29)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영규 대구광역시 수성구
2 김화정 대구광역시 수성구
3 서주역 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이형석 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로*길 **, 광성빌딩 **층 (역삼동)(케이엘피특허법률사무소)
2 김종선 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로*길 **, 광성빌딩 **층 (역삼동)(케이엘피특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-1238129-33
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.05.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0144036-74
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0747440-60
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2020-1419415-56
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.12.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1419436-15
8 등록결정서
Decision to grant
2021.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0291305-21
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번호 청구항
1 1
제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 형성된 제 1 전자 수집층;상기 제 1 전자 수집층 상에 형성된 제 1 광활성층;상기 제 1 광활성층 상에 형성된 제 1 정공 수집층;상기 제 1 정공 수집층 상에 형성된 금속층;상기 금속층 상에 형성된 제 2 전자 수집층;상기 제 2 전자 수집층 상에 형성된 제 2 광활성층;상기 제 2 광활성층 상에 형성된 제 2 정공 수집층; 및상기 제 2 정공 수집층 상에 형성된 제 2 전극;을 포함하며, 상기 제 2 전자 수집층은 금속 산화물 및 중성고분자를 포함하며, 상기 제 2 전자 수집층은 재결합 영역(recombination zone)을 형성하고, 전력변환효율은 12% 내지 17%인 것인, 탠덤형 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전자 수집층은 상기 금속 산화물 100 중량부를 기준으로 상기 중성고분자가 5 중량부 내지 10 중량부로 포함되는 것인, 탠덤형 태양전지
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 중성고분자는 하기 화학식 1로서 표시되는 화합물을 포함하는 것인, 탠덤형 태양전지:[화학식 1](상기 n은 500 내지 100,000의 정수이고, 상기 R은 탄소수 3개 이하의 지방족 사슬인 것임)
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 중성고분자는 하기 화학식 2로서 표시되는 화합물을 포함하는 것인, 탠덤형 태양전지:[화학식 2](상기 n은 500 내지 100,000의 정수인 것임)
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전자 수집층의 일면이 분화구 모양의 돌출부를 구비하는 것인, 탠덤형 태양전지
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 금속층의 두께는 5 nm 내지 10 nm인 것인, 탠덤형 태양전지
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 금속층의 투명도는 45% 내지 70%인 것인, 탠덤형 태양전지
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 금속층은 p-타입 금속을 포함하는 것인, 탠덤형 태양전지
10 10
삭제
11 11
제 1 전극 상에 제 1 전자 수집층을 형성하는 단계; 상기 제 1 전자 수집층 상에 제 1 광활성층을 형성하는 단계;상기 제 1 광활성층 상에 제 1 정공 수집층을 형성하는 단계;상기 제 1 정공 수집층 상에 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층 상에 제 2 전자 수집층을 형성하는 단계; 상기 제 2 전자 수집층 상에 제 2 광활성층을 형성하는 단계; 상기 제 2 광활성층 상에 제 2 정공 수집층을 형성하는 단계; 및상기 제 2 정공 수집층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 제 2 전자 수집층은 금속 산화물 및 중성고분자를 포함하며, 상기 제 2 전자 수집층은 재결합 영역(recombination zone)을 형성하는 것인, 탠덤형 태양전지의 제조 방법
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 중성고분자는 하기 화학식 1로서 표시되는 화합물을 포함하는 것인, 탠덤형 태양전지의 제조 방법:[화학식 1](상기 n은 500 내지 100,000의 정수이고, 상기 R은 탄소수 3개 이하의 지방족 사슬인 것임)
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 중성고분자는 하기 화학식 2로서 표시되는 화합물을 포함하는 것인, 탠덤형 태양전지의 제조 방법:[화학식 2](상기 n은 500 내지 100,000의 정수인 것임)
14 14
제 11 항에 있어서, 상기 제 2 전자 수집층의 일면이 분화구 모양의 돌출부로 형성되는 것인, 탠덤형 태양전지의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 금속층의 두께는 5 nm 내지 10 nm로 형성되는 것인, 탠덤형 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.