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정렬된 탄소나노튜브를 포함하는 채널 소자

  • 기술번호 : KST2021004765
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 정렬된 탄소나노튜브를 포함하는 채널 소자에 관한 것으로써, 보다 상세하게는, 탄소나노튜브를 수직으로 정렬시킴으로써, 전도성 및 전하 이동도가 증가되고 가동-정지(on-off) 비율이 높은 채널 소자에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 29/772 (2006.01.01)
CPC H01L 29/0669(2013.01) H01L 51/0048(2013.01) H01L 21/02118(2013.01) H01L 21/02606(2013.01) H01L 51/0039(2013.01) H01L 29/772(2013.01)
출원번호/일자 1020190131358 (2019.10.22)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0047575 (2021.04.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.10.22)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주용호 전라북도 완주군
2 이승기 전라북도 완주군
3 유일환 전라북도 완주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박민흥 대한민국 서울시 강남구 강남대로 **길 ** 화성빌딩 *층(와이즈업특허법률사무소)
2 최웅근 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 *** (역삼동) *층(새온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-1078207-98
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0653252-56
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.11.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1198211-76
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2020-1198207-93
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0163436-80
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2021.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2021-0429772-20
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2021.04.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0429773-76
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 및 반도체성-단일벽탄소나노튜브(s-SWCNT)가 상기 기판 상에 수직으로 형성되는 막;을 포함하는, 정렬된 탄소나노튜브를 포함하는 채널 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 막은, 상기 s-SWCNT가 약 15°이하로 정렬되는 것을 특징으로 하는, 정렬된 탄소나노튜브를 포함하는 채널 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 s-SWCNT은, 선형 패킹 밀도가 10단일벽탄소나노튜브(SWCNT)/㎛이상인 것을 특징으로 하는, 정렬된 탄소나노튜브를 포함하는 채널 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 기판은, 소수성인 것을 특징으로 하는, 정렬된 탄소나노튜브를 포함하는 채널 소자
5 5
기판의 하측이 매질과 접촉시켜 준비하는 단계; 유기 용액 중에 선택적으로 폴리머 코팅된 반도체성-단일벽탄소나노튜브(semiconductor-selective-polymer-wrapped s-SWCNT)가 분산된 액체 용액을 상기 매질에 부유시키는 단계; 상기 액체 용액이 공기-액체 계면에서 상기 매질로 확산되고, 상기 선택적으로 폴리머 코팅된 반도체성-단일벽탄소나노튜브가 상기 기판 상에 일정 간격 이격되어 증착되는 단계; 상기 기판을 상기 매질로 침지시켜 상기 기판이 침지되는 방향으로 상기 선택적으로 폴리머 코팅된 반도체성-단일벽탄소나노튜브를 수직으로 증착시키는 단계; 및 상기 기판을 회수하는 단계;를 포함하는, 정렬된 탄소나노튜브를 포함하는 채널 소자 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 선택적으로 폴리머 코팅된 반도체성-단일벽탄소나노튜브에서 상기 폴리머를 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 정렬된 탄소나노튜브를 포함하는 채널 소자 제조 방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 선택적으로 폴리머 코팅된 반도체성-단일벽탄소나노튜브가 상기 기판 상에 일정 간격 이격되어 증착되는 단계 및 상기 기판을 상기 매질로 침지시키는 단계를 반복하는 것을 특징으로 하는, 정렬된 탄소나노튜브를 포함하는 채널 소자 제조 방법
8 8
제5항에 있어서, 상기 용매는, 유기 용매로 클로로폼(chloroform), 디크롤로메탄, N,N-디메틸포름아미드, 벤젠, 디클로로벤젠, 톨루엔 및 자일렌 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 정렬된 탄소나노튜브를 포함하는 채널 소자 제조 방법
9 9
제5항에 있어서, 상기 폴리머는, 폴리플루오렌 유도체인 것을 특징으로 하는, 정렬된 탄소나노튜브를 포함하는 채널 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.