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물질막의 선택적 제조 방법 및 금속 패턴의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2021005707
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 물질막의 선택적 제조 방법이 제공된다. 상기 물질막의 선택적 제조 방법은, 안티-그로스(Anti-Growth) 패턴이 형성된 베이스 기판을 준비하는 단계, 상기 안티-그로스 패턴이 형성된 상기 베이스 기판 상에 금속을 포함하는 제1 전구체를 제공하는 단계, 및 상기 제1 전구체가 제공된 상기 베이스 기판 상에, 상기 안티-그로스 패턴에 대한 친화도 및 상기 베이스 기판에 대한 친화도가 다른 제2 전구체를 제공하여, 상기 안티-그로스 패턴이 형성된 상기 베이스 기판 상에 상기 제1 전구체 및 상기 제2 전구체가 반응된 물질막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL C23C 16/04 (2006.01.01) C23C 16/16 (2006.01.01) C23C 16/40 (2006.01.01) C23C 16/26 (2006.01.01) C23C 16/02 (2006.01.01) C23C 16/56 (2006.01.01)
CPC C23C 16/04(2013.01) C23C 16/16(2013.01) C23C 16/402(2013.01) C23C 16/403(2013.01) C23C 16/26(2013.01) C23C 16/0272(2013.01) C23C 16/042(2013.01) C23C 16/56(2013.01)
출원번호/일자 1020190143170 (2019.11.11)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0056554 (2021.05.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.11.11)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진성 경기도 성남시 분당구
2 김혜미 서울특별시 은평구
3 이정훈 서울특별시 광진구
4 이승환 인천광역시 계양구
5 백건호 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-1152080-01
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.07.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
안티-그로스(Anti-Growth) 패턴이 형성된 베이스 기판을 준비하는 단계; 상기 안티-그로스 패턴이 형성된 상기 베이스 기판 상에 금속을 포함하는 제1 전구체를 제공하는 단계; 및상기 제1 전구체가 제공된 상기 베이스 기판 상에, 상기 안티-그로스 패턴에 대한 친화도 및 상기 베이스 기판에 대한 친화도가 다른 제2 전구체를 제공하여, 상기 안티-그로스 패턴이 형성된 상기 베이스 기판 상에 상기 제1 전구체 및 상기 제2 전구체가 반응된 물질막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 안티-그로스 패턴 상에 증착되는 상기 물질막의 증착률과, 상기 안티-그로스 패턴 사이의 노출된 상기 베이스 기판 상에 증착되는 상기 물질막의 증착률은 서로 다른 것을 포함하는 물질막의 선택적 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 안티-그로스 패턴 상에 증착되는 상기 물질막의 증착률은, 상기 안티-그로스 패턴 사이의 노출된 상기 베이스 기판 상에 증착되는 상기 물질막의 증착률 보다 낮은 것을 포함하는 물질막의 선택적 제조 방법
3 3
제1 항에 있어서, 상기 제2 전구체가 물(H2O)을 포함하는 경우, 상기 안티-그로스 패턴은 소수성이고, 상기 베이스 기판은 친수성인 것을 포함하는 물질막의 선택적 제조 방법
4 4
제1 항에 있어서, 상기 물질막 형성 단계는, 150℃ 이상 200℃ 이하의 온도에서 수행되는 것을 포함하는 물질막의 선택적 제조 방법
5 5
제1 항에 있어서, 상기 안티-그로스 패턴은, 실리콘 산화물(SiO2), 알루미늄 산화물(Al2O3), 및 그라파이트(Graphite) 중 어느 하나를 포함하는 물질막의 선택적 제조 방법
6 6
제5 항에 있어서, 상기 안티-그로스 패턴이 그라파이트를 포함하는 경우, 상기 안티-그로스 패턴은, 인듐 알콕사이드(Indium alkoxide)가 열처리되어 형성되는 것을 포함하는 물질막의 선택적 제조 방법
7 7
제1 항에 있어서, 상기 금속은 루테늄(Ruthenium, Ru)을 포함하는 물질막의 선택적 제조 방법
8 8
제7 항에 있어서, 상기 금속은, 0가 코어(core) 및 카르보닐(-CO) 리간드(ligand)를 포함하는 물질막의 선택적 제조 방법
9 9
제1 항에 있어서, 상기 안티-그로스 패턴은 절연성이고, 상기 베이스 기판은 전도성인 것을 포함하는 물질막의 선택적 제조 방법
10 10
제1 항에 있어서, 상기 물질막 형성 단계 이후, 상기 물질막이 형성된 상기 베이스 기판 상에 식각 소스를 제공하여, 상기 안티-그로스 패턴 사이의 노출된 상기 베이스 기판 상에 금속 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 식각 소스는, 상기 안티-그로스 패턴을 식각하여 상기 안티-그로스 패턴 및 상기 안티-그로스 패턴 상에 증착된 상기 물질막을 함께 제거하고, 상기 안티-그로스 패턴 사이의 노출된 상기 베이스 기판 상에 증착된 상기 물질막은 잔존시키며, 상기 금속 패턴은, 상기 안티-그로스 패턴 사이에 노출된 상기 베이스 기판 상에 잔존된 상기 물질막으로 정의되는 것을 포함하는 금속 패턴의 제조 방법
11 11
안티-그로스(Anti-Growth) 패턴이 형성된 베이스 기판을 준비하는 단계; 상기 안티-그로스 패턴이 형성된 상기 베이스 기판 상에, 금속을 포함하는 제1 전구체 및 상기 안티-그로스 패턴에 대한 친화도 및 상기 베이스 기판에 대한 친화도가 다른 제2 전구체를 반응시켜, 상기 안티-그로스 패턴 및 상기 안티-그로스 패턴 사이의 노출된 상기 베이스 기판을 덮는 물질막을 형성하는 단계; 및 상기 안티-그로스 패턴 사이의 노출된 상기 베이스 기판을 덮는 물질막은 잔존시키고, 상기 안티-그로스 패턴 상에 형성된 물질막 및 상기 안티-그로스 패턴을 함께 제거하여, 상기 베이스 기판 상에 금속 패턴을 형성하는 단계를 포함하되,상기 물질막 형성 단계에서, 상기 안티-그로스 패턴 상에 증착되는 상기 물질막의 증착률은, 상기 안티-그로스 패턴 사이의 노출된 상기 베이스 기판 상에 증착되는 상기 물질막의 증착률 보다 낮은 것을 포함하는 금속 패턴의 제조 방법
12 12
제11 항에 있어서, 상기 안티-그로스 패턴이 형성된 베이스 기판을 준비하는 단계는,베이스 기판 상에 안티-그로스 박막을 형성하는 단계; 상기 안티-그로스 박막 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴 사이의 노출된 상기 안티-그로스 박막을 제거하는 단계; 및 상기 마스크 패턴 및 상기 베이스 기판 사이의 상기 안티-그로스 박막은 잔존시키고, 상기 마스크 패턴은 제거하는 단계를 포함하는 금속 패턴의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국산업기술평가관리원 산업기술혁신사업 / 산업핵심기술개발사업 / 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(RCMS) 3nm급 이하 패터닝을 위한 자기제어 유기박막 소재 및 선택적 금속 증착 기술 개발