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실리콘 기판;상기 실리콘 기판 상에 배치되되, 산소원소 및 제1물질을 함유하는 개재층;상기 개재층 상에 배치되되, 제2물질로 이루어진 층과 제3물질로 이루어진 층이 교번하여 적층된, 반응성 적층 구조체;상기 반응성 적층 구조체 상에 배치된 캡핑층; 및상기 반응성 적층 구조체와 상기 캡핑층 사이에 개재된 본딩층;을 포함하되,상기 제2물질과 상기 제3물질은 서로 상이하며, 상기 제1물질과 산소원소의 친화도는 실리콘과 산소원소의 친화도 보다 상대적으로 더 낮은 것을 특징으로 하는,멤스 패키지
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제 1 항에 있어서,상기 개재층에서 산소원소의 함량 비율은 상기 제1물질의 화학양론적 산화물에서 산소원소의 함량 비율 보다 작은 것을 특징으로 하는, 멤스 패키지
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제 1 항에 있어서,상기 개재층의 열전도도는 상기 제1물질의 화학양론적 산화물의 열전도도보다 더 높은 것을 특징으로 하는, 멤스 패키지
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제 1 항에 있어서,상기 캡핑층은 실리콘 캡핑층이며, 상기 본딩층은 주석(Sn)층과 금(Au)층이 적층된 형태인 것을 특징으로 하는,멤스 패키지
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5
제 1 항에 있어서,상기 개재층과 상기 실리콘 기판 사이에 형성된 실리콘 산화막을 더 포함하되,상기 실리콘 산화막은 상기 개재층을 구성하는 산소가 상기 실리콘 기판을 구성하는 실리콘과 반응하여 형성된 것을 특징으로 하는,멤스 패키지
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2물질은 Sc, Ti, Y, Zr, Nb, La 및 Hf으로 이루어진 제1군, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Ir 및 Pt으로 이루어진 제2군 및 Al 및 Si으로 이루어진 제3군 중의 어느 하나인 군에서 선택된 물질이며, 상기 제3물질은 상기 제1군, 상기 제2군 및 상기 제3군 중의 다른 어느 하나의 군에서 선택된 물질이며,상기 제1물질은 상기 제1군, 상기 제2군 및 상기 제3군 중에서 선택된 임의의 물질인 것을 특징으로 하는,멤스 패키지
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7
제 1 항에 있어서, 상기 캡핑층과 접하는 시드층 및 상기 시드층의 일면 중 캡핑층과 접하는 면의 반대면 상에 형성되는 게터층을 포함하는 게터 구조체를 더 포함하는, 멤스 패키지
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8
제 7 항에 있어서, 상기 게터 구조체의 시드층은 Ru층을 포함하는,멤스 패키지
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9
제 7 항에 있어서, 상기 게터층은 Ti층 혹은 Zr층을 포함하는, 멤스 패키지
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10
제 7 항에 있어서, 상기 게터층은 Ti층 및 Zr층을 포함하는 다층 박막 구조를 가지는, 멤스 패키지
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실리콘 기판을 제공하는 단계;상기 실리콘 기판 상에 산소원소 및 제1물질을 함유하는 개재층을 형성하는 단계;상기 개재층 상에 제2물질로 이루어진 층과 제3물질로 이루어진 층이 교번하여 적층된 반응성 적층 구조체를 형성하는 단계;상기 반응성 적층 구조체 상에 본딩층을 개재하여 캡핑층을 배치하는 단계;상기 반응성 적층 구조체의 국소 부위에 개시자극을 인가하여 제2물질로 이루어진 층과 제3물질로 이루어진 층의 상호반응으로 인하여 열을 발생시키는 단계;를 포함하되,상기 제2물질과 상기 제3물질은 서로 상이하며, 상기 제1물질과 산소원소의 친화도는 실리콘과 산소원소의 친화도 보다 상대적으로 더 낮은 것을 특징으로 하는,멤스 패키지의 제조 방법
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12
제 11 항에 있어서,상기 열을 발생시키는 단계 이후에 상기 열에 의하여 상기 개재층을 구성하는 산소와 상기 실리콘 기판을 구성하는 실리콘이 반응하여 상기 개재층과 상기 실리콘 기판 사이에 실리콘 산화막을 형성하는 단계; 및상기 열에 의하여 상기 반응성 적층 구조체와 상기 캡핑층을 상기 본딩층을 매개로 하여 본딩하는 단계;를 더 포함하는,멤스 패키지의 제조 방법
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13
제 12 항에 있어서,상기 개재층을 형성하는 단계에서, 상기 개재층에서 상기 산소원소의 함량 비율은 상기 제1물질의 화학양론적 산화물에서 산소원소의 함량 비율 보다 작으며, 상기 개재층의 열전도도는 상기 실리콘 산화막의 열전도도 보다 더 높은 것을 특징으로 하는, 멤스 패키지의 제조 방법
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제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2물질은 Sc, Ti, Y, Zr, Nb, La 및 Hf으로 이루어진 제1군, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Ir 및 Pt으로 이루어진 제2군 및 Al 및 Si으로 이루어진 제3군 중의 어느 하나인 군에서 선택된 물질이며, 상기 제3물질은 상기 제1군, 상기 제2군 및 상기 제3군 중의 다른 어느 하나의 군에서 선택된 물질이며,상기 제1물질은 상기 제1군, 상기 제2군 및 상기 제3군 중에서 선택된 임의의 물질인 것을 특징으로 하는,멤스 패키지의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 반응성 적층 구조체 상에 본딩층을 개재하여 캡핑층을 배치하는 단계에 있어서, 상기 캡핑층은 상기 본딩층이 개재되는 면에 게터 구조체가 형성된 것인, 멤스 패키지의 제조 방법
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제 15 항에 있어서, 상기 게터 구조체는 상기 캡핑층과 접하는 시드층 및 상기 시드층의 일면 중 캡핑층과 접하는 면의 반대면 상에 형성되는 ,멤스 패키지
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제 16 항에 있어서,상기 게터 구조체의 시드층은 Ru층을 포함하고, 상기 게터층은 Ti층 혹은 Zr층을 포함하는, 멤스 패키지의 제조 방법
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