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유전체 층;상기 유전체 층의 일 면에 형성된 하부 금속층;상기 유전체 층에 대향하여 상기 하부 금속층의 일 면에 형성된 반도체 물질층;상기 하부 금속층에 대향하여 상기 반도체 물질층의 일 면에 형성된 전도성 필라멘트 층; 및상기 반도체 물질층에 대향하여 상기 전도성 필라멘트 층에 형성된 상부 금속층;을 포함하는 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 하부 금속층 및 상기 상부 금속층에 대한 전압의 인가에 따라서 상기 전도성 필라멘트 층 내에 전도성 필라멘트가 생성되는 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 반도체 물질층은, 그래핀(graphene), 2차원 전이금속 칼코겐 화합물(2D TMD: 2 dimensional Transition Metal Dichalcogenide), 육방정계 질화붕소(h-BN) 및 흑린(black phosphorus) 중 적어도 하나로 형성된 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 전도성 필라멘트 층은, 산화하프늄(HfO2), 이산화규소(SiO2), 질화규소(SiN), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 이산화지르코늄(ZrO2) 및 산화아연(ZnO) 중 적어도 하나로 형성된 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 하부 금속층은,상기 유전체 층에 형성된 제1 하부 금속층; 및상기 유전체 층에 대향하여 상기 제1 하부 금속층에 형성된 제2 하부 금속층;을 포함하거나, 또는상기 상부 금속층은,상기 전도성 필라멘트 층에 형성된 제1 상부 금속층; 및상기 전도성 필라멘트 층에 대향하여 상기 제1 상부 금속층에 형성된 제2 하부 금속층;을 포함하는 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 하부 금속층 및 상기 상부 금속층 중 적어도 하나는, 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 티타늄(Ti) 중 적어도 하나를 이용하여 형성된 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 유전체 층의 일 면에 형성되되, 상기 하부 금속층의 측방에 배치되는 제2 반도체 물질층;을 더 포함하는 반도체 소자
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유전체;상기 유전체에 형성된 제1 단자;상기 제1 단자와 이격되어 상기 유전체에 형성된 제2 단자;를 포함하되,상기 제1 단자는,상기 유전체 층의 일 면에 형성된 하부 금속층;상기 유전체 층에 대향하여 상기 하부 금속층의 일 면에 형성된 반도체 물질층;상기 하부 금속층에 대향하여 상기 반도체 물질층의 일 면에 형성된 전도성 필라멘트 층; 및상기 반도체 물질층에 대향하여 상기 전도성 필라멘트 층에 형성된 상부 금속층;을 포함하는 트랜지스터
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