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기판;상기 기판 상에 형성된 하부전극;상기 하부전극 상에 형성되며 페로브스카이트로 이루어진 광활성층;상기 광활성층 상에 형성되며, 2 이상의 층으로 이루어진 하이브리드 구조를 갖는 전하 차단 및 수송층; 및상기 전하 차단 및 수송층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 광전 소자
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제1항에 있어서,상기 광활성층은, 유기물로 이루어진 유기물층 및, 무기물로 이루어진 무기물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제2항에 있어서,상기 유기물층 상에 상기 무기물층이 형성된 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 유기물층은, PTAA(poly(triarylamine)), P3HT(poly[3-hexylthiophene]), PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate)), spiro-MeOTAD(2,2',7'-tetrakis-(N,N-di-p-methoxyphenyl-amine)-9,9'spirobifluorene), MDMO-PPV(poly[2-methoxy-5-(3',7'-dimethyloctyloxyl)]-1,4-phenylene vinylene), MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2''-ethylhexyloxy)-p-phenylene vinylene]), P3OT(poly(3-octylthiophene)), P3DT(poly(3-decylthiophene)), P3DDT(poly(3-dodecylthiophene)), PPV(poly(p-phenylene vinylene)), TFB(poly(9,9'-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl)diphenylamine)), PCPDTBT(poly[2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl[4,4-bis(2-ethylhexyl-4H-cyclopenta[2,1-b:3,4-b']dithiophene-2,6-diyl)]]), Si-PCPDTBT(poly[(4,4'-bis(2-ethylhexyl)dithieno[3,2-b:2adiazole)-4,7-diyl]), PBDTTPD(poly((4,8-diethylhexyloxyl)benzo([1,2-b:4,5-b']dithiophene)-2,6-diyl)-alt-((5-octylthieno[3,4-c]pyrrole-4,6-dione)-1,3-diyl)), PFDTBT(poly[2,7-(9-(2-ethylhexyl)-9-hexyl-fluorene)-alt-5,5-(4',7,-di-2-thienyl-2',1',3'-benzothiadiazole)]), PFO-DBT(poly[2,7-
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 무기물층은 MoO3, NiO, ZnO, SnO2, TiOx, TiO2, Al2O3, LiF, CsCO3 및 Ca 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제1항에 있어서,10-8A/cm2 보다 작은 암전류 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제1항에 있어서,350nm 내지 650nm의 파장 범위에서 외부양자효율이 70% 이상인 것을 특징으로 하는 광전 소자
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제1항에 있어서,350nm 내지 650nm의 파장 범위에서 외부 양자 효율이 10% 이내의 편차를 갖는 것을 특징으로 하는 광전 소자
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기판 상에 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극 상에 페로브스카이트로 이루어진 광활성층을 형성하는 단계;상기 광활성층 상에, 2 이상의 층으로 이루어진 하이브리드 구조를 갖는 전하 차단 및 수송층을 형성하는 단계; 및상기 전하 차단 및 수송층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 광전 소자의 형성 방법
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제9항에 있어서,상기 광활성층을 형성하는 단계는,(a) 상기 하부전극 상에 수 마이크로미터 크기의 포토레지스트 패턴을 선택적으로 형성하는 단계;(b) 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 부재 상에 자가조립단분자막(Self-Aseembled Monolayer, SAM)을 형성하는 단계;(c) 상기 하부전극 상에 형성된 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;(d) 상기 하부전극 상의 포토레지스트 패턴이 제거된 부분에 용액 공정을 이용하여 페로브스카이트 전구체 용액을 도포하여 코팅하는 단계; (e) 상기 페로브스카이트 전구체 용액을 결정화시키는 동시에 또는 그 후에 페로브스카이트 결정립을 성장시켜 단결정 페로브스카이트 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 소자의 형성 방법
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제9항에 있어서,상기 광활성층을 형성하는 단계는,(a') 상기 하부전극 상에 포토레지스트 패턴을 선택적으로 형성하는 단계;(b') 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 부재 상에 자가조립단분자막(Self-Aseembled Monolayer, SAM)을 형성하는 단계;(c') 상기 하부전극 상에 형성된 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;(d') 상기 하부전극 상의 포토레지스트 패턴이 제거된 부분에 용액 공정을 이용하여 페로브스카이트 전구체 용액을 도포하는 단계; 및(e') 상기 하부전극을 어닐링(annealing)하여 다결정 페로브스카이트 패턴을 선택적으로 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 소자의 형성 방법
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제9항에 있어서,상기 광활성층을 형성하는 단계는,(a") 상기 하부전극 상에 포토레지스트 패턴을 선택적으로 형성하는 단계;(b") 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 하부전극 상에 자가조립단분자막(Self-Aseembled Monolayer, SAM)을 형성하는 단계;(c") 상기 하부전극 상에 형성된 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;(d') 상기 하부전극 상의 포토레지스트 패턴이 제거된 부분에 용액 공정으로 이용하여 페로브스카이트 전구체 용액을 도포하는 단계; 및 (e') 상기 페로브스카이트 전구체 용액이 도포된 부재를 반용매(anti-solvent)에 침지시켜 다결정 페로브스카이트를 선택적으로 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 소자의 형성 방법
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