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제1 저항과 상기 제1 저항보다 큰 제2 저항 중 어느 하나로 프로그램되는 노멀 메모리 셀;상기 노멀 메모리 셀과 로우 라인을 공유하고, 상기 제2 저항으로 프로그램된 더미 메모리 셀;상기 로우 라인을 선택하는 로우 디코더;상기 노멀 메모리 셀에 연결된 노멀 컬럼 라인;상기 더미 메모리 셀에 연결된 더미 컬럼 라인; 및상기 노멀 컬럼 라인으로부터 제1 전류를 제공받고, 상기 더미 컬럼 라인으로부터 제2 전류를 제공받고, 상기 제1 전류와 상기 제2 전류의 차이를 출력하는 제1 전류 감산기를 포함하는, 비휘발성 메모리 장치
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제 1항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리 장치는 저항성 메모리 장치인, 비휘발성 메모리 장치
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제 1항에 있어서, 상기 제1 전류 감산기와 연결되는 아날로그-디지털 컨버터를 더 포함하고, 상기 아날로그-디지털 컨버터는 상기 제1 전류 감산기로부터 인풋 전류를 제공받고,상기 인풋 전류는 상기 제1 전류와 상기 제2 전류의 차이인, 비휘발성 메모리 장치
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제 3항에 있어서, 상기 아날로그-디지털 컨버터는 기준 전류를 출력하는, 제2 전류 감산기를 포함하고,상기 기준 전류는 n/2*(제3 전류 - 제4 전류) 이고,상기 제3 전류는 상기 제1 저항으로 프로그램된 상기 노멀 메모리 셀에 흐르는 전류이고,상기 제4 전류는 상기 제2 저항으로 프로그램된 상기 노멀 메모리 셀에 흐르는 전류이고,상기 n은 자연수인, 비휘발성 메모리 장치
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제 4항에 있어서, 상기 아날로그-디지털 컨버터는 상기 인풋 전류와 상기 기준 전류를 비교하는, 비휘발성 메모리 장치
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제 3항에 있어서, 상기 아날로그-디지털 컨버터는 상기 제1 저항으로 프로그램된 상기 노멀 메모리 셀의 개수를 출력하는, 비휘발성 메모리 장치
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제1 로우 라인과 컬럼 라인에 연결되고, 제1 저항으로 프로그램된 제1 노멀 메모리 셀을 제공하고,상기 제1 노멀 메모리 셀과 상기 컬럼 라인을 공유하고, 상기 제1 로우 라인과 다른 제2 로우 라인에 연결되고, 상기 제1 저항보다 큰 제2 저항으로 프로그램된 제2 노멀 메모리 셀을 제공하고, 상기 제1 노멀 메모리 셀과 상기 제1 로우 라인을 공유하고, 상기 컬럼 라인과 다른 더미 컬럼 라인에 연결되고, 상기 제2 저항으로 프로그램된 제1 더미 메모리 셀을 제공하고,상기 제2 노멀 메모리 셀과 상기 제2 로우 라인을 공유하고, 상기 더미 컬럼 라인에 연결되고, 상기 제2 저항으로 프로그램된 제2 더미 메모리 셀을 제공하고, 상기 제1 및 제2 로우 라인을 선택하여, 상기 컬럼 라인으로부터 제1 전류를 수신하고, 상기 더미 컬럼 라인으로부터 제2 전류를 수신하고, 상기 제1 전류에서 상기 제2 전류의 차를 계산하는 것을 포함하는 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
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제 7항에 있어서, 상기 제1 전류와 상기 제2 전류의 차이를 아날로그-디지털 컨버터로 제공하는, 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
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제 8항에 있어서, 기준 전류를 제공하는 것을 더 포함하고, 상기 기준 전류는 n/2*(제3 전류 - 제4 전류) 이고,상기 제3 전류는 상기 제1 노멀 메모리 셀에 흐르는 전류이고, 상기 제4 전류는 상기 제2 노멀 메모리 셀에 흐르는 전류이고,상기 n은 자연수인, 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
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10
제 9항에 있어서, 인풋 전류와 상기 기준 전류를 비교하는 것을 더 포함하고, 상기 인풋 전류는 상기 제1 전류와 상기 제2 전류의 차이인, 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
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