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기판 상에 Cu 필름을 증착하는 단계; 및상기 Cu 필름을 상기 황 전구체와 반응시켜 CuS 필름을 형성하는 단계;를 포함하는,투명 전도성 물질의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 CuS 필름을 형성하는 단계에서, 상기 황 전구체는 상기 Cu 필름 상에 화학양론비를 초과하여 공급되는 것인, 투명 전도성 물질의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 투명 전도성 물질의 제조 방법은, 상기 CuS 필름을 열처리하는 단계를 추가 포함하는 것인, 투명 전도성 물질의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 CuS 필름을 열처리하는 단계는 50℃ 내지 250℃ 의 온도 조건에서 수행되는 것인, 투명 전도성 물질의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 투명 전도성 물질의 제조 방법은, 상기 CuS 필름을 도핑하는 단계를 추가 포함하는 것인, 투명 전도성 물질의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 CuS 필름은 F, Cl, Br, I, O, Se, Te, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것에 의해 도핑되는 것인, 투명 전도성 물질의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 Cu 필름을 상기 황 전구체와 반응시키는 단계는 15℃ 내지 30℃ 에서 수행되는 것인, 투명 전도성 물질의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 Cu 필름을 상기 황 전구체와 반응시키는 단계는 상압 조건 하에서 수행되는 것인, 투명 전도성 물질의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 황 전구체는 H2S, (NH4)2S, S8, SO2, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 투명 전도성 물질의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 Cu 필름을 증착하는 단계는 스퍼터링, 전자빔 증착법, 진공 증착법, 분자빔 증착법, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것에 의해 수행되는 것인, 투명 전도성 물질의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되고, 1 nm 내지 20 nm 의 두께를 가지는, 투명 전도성 물질
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제 11 항에 있어서,상기 투명 전도성 물질은 적외선 또는 가시광선 영역의 빛에 대하여 70% 이상의 광투과도를 갖는 것인, 투명 전도성 물질
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제 11 항에 있어서, 상기 투명 전도성 물질의 성능지수(figure of merit)는 30 내지 70 인, 투명 전도성 물질
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제 11 항에 있어서,상기 투명 전도성 물질의 곡률 반경은 0
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제 11 항에 따른 투명 전도성 물질을 포함하는, 전자 소자
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