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하부 기판; 및상기 하부 기판에 형성된 적외선 센서를 포함하고,상기 적외선 센서는:상기 하부 기판의 상부면에 형성되어 검출회로와 전기적으로 연결되는 금속 패드;상기 금속 패드와 동일한 평면에 배치되고 상기 하부 기판의 상부면에 형성되고 적외선 대역을 반사하는 반사층;상기 반사층을 덮도록 배치되고 광경로 거리를 변경하는 투과층;상기 투과층의 상부에 이격되어 형성되고 적외선을 흡수하여 저항을 변화시키는 흡수판; 및상기 금속 패드의 상부에 형성되어 상기 흡수판을 지지하고 상기 금속 패드와 상기 흡수판을 전기적으로 연결하는 앵커를 포함하고,상기 반사층의 상부면과 상기 흡수판의 하부면 사이의 거리는 특정 적외선 파장에서 파장/4 보다 작은 것을 특징으로 하는 멤스 소자
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제1 항에 있어서,상기 반사층의 상부면과 상기 흡수판의 하부면 사이의 광 경로 거리는 특정 적외선 파장에서 파장/4 에 대응하는 것을 특징으로 하는 멤스 소자
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제2 항에 있어서,상기 투과층은 실리콘 산화막이고,상기 투과층의 두께는 0
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제2 항에 있어서,상기 투과층은 실리콘 질화막이고,상기 투과층의 두께는 0
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제2항에 있어서,상기 투과층은 비정질 실리콘막이고,상기 투과층의 두께는 0
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제2항에 있어서,상기 투과층은 나노 구조 패턴을 포함하고,상기 나조 구조 패턴은 복수의 홀들 또는 복수의 트렌치들을 포함하는 것을 특징으로 하는 멤스 소자
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7
제2항에 있어서,상기 투과층은 그 상부면에 함몰된 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 멤스 소자
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8
제1 항에 있어서,상기 앵커의 하부는 상기 투과층에 매몰되는 것을 특징으로 하는 멤스 소자
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하부 기판에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 반사층과 금속 패드를 형성하는 단계;상기 반사층의 측면에 보조 층간 절연막을 형성하고 상기 반사층과 금속 패드의 상부면을 노출시키는 단계;상기 금속 패드, 상기 반사층 및 상기 보조 층간 절연막 상에 투과층을 형성하는 단계; 및상기 금속 패드에 연결된 앵커 및 상기 투과층과 이격되어 배치되고 상기 앵커에 의하여 지지되는 흡수판을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 멤스 소자의 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 반사층의 측면에 보조 층간 절연막을 형성하고 상기 반사층과 금속 패드의 상부면을 노출시키는 단계는: 상기 금속 패드 및 상기 반사층 상에 보조 층간 절연막을 증착하고 상기 보조 층간 절연막의 상부를 제거하여 상기 금속 패드 및 상기 반사층을 노출시키는 것을 특징으로 하는 멤스 소자의 제조 방법
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11
제9 항에 있어서,상기 금속 패드에 연결된 앵커 및 상기 투과층과 이격되어 배치되고 상기 앵커에 의하여 지지되는 흡수판을 형성하는 단계는:상기 투과층 상에 희생층 및 제1 절연층을 형성한 후 상기 금속 패드를 노출하는 콘택 홀을 형성하는 단계;상기 콘택 홀이 형성된 상기 하부 기판 상에 앵커 도전막을 증착하고 상기 앵커 도전막을 패터닝하여 상기 콘택 홀을 채우는 앵커를 형성하는 단계;상기 앵커가 형성된 하부 기판 상에 흡수층을 형성하고 상기 흡수층을 패터닝하여 분리하는 단계;상기 흡수층 상에 저항층 및 제2 절연층을 형성하고 상기 제2 절연층, 상기 저항층, 상기 흡수층, 및 상기 제1 절연층을 패터닝하여 상기 희생층을 노출시키는 단계; 및상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 멤스 소자의 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 투과층은 비정질 실리콘, 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막 중에서 적어도 하나를 포함하고,상기 희생층은 비정질 카본층 또는 폴리이미드층인 것을 특징으로 하는 멤스 소자의 제조 방법
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