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고분자 타겟 및 금속 타겟을 준비하고, 마그네트론 코스퍼터링(magnetron co-sputtering) 방법을 이용하여 금속-고분자 하이브리드층을 제조하는,마그네트론 코스퍼터링을 이용한 신축성 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 타겟은 PTFE, PVDF, TPA 중 어느 하나인,마그네트론 코스퍼터링을 이용한 신축성 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 타겟은 Ag, AgPdCu, Pd, Pt, Cu 중 어느 하나인,마그네트론 코스퍼터링을 이용한 신축성 전극의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된,신축성 전극
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고분자 타겟 및 금속 타겟을 준비하고,마그네트론 코스퍼터링 방법을 이용하여 유기물층을 증착하고, 상기 유기물층 위에 금속-고분자 하이브리드층을 증착하며, 상기 하이브리드층 위에 다시 유기물층을 증착함으로써,유기물층/금속-고분자 하이브리드층/유기물층으로 이루어진 다층 전극을 제조하는,마그네트론 코스퍼터링을 이용한 신축성 다층 전극의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 고분자 타겟은 PTFE, PVDF, TPA 중 어느 하나인,마그네트론 코스퍼터링을 이용한 신축성 다층 전극의 제조 방법
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7
제 5 항에 있어서,상기 금속 타겟은 Ag, AgPdCu, Pd, Pt, Cu 중 어느 하나인,마그네트론 코스퍼터링을 이용한 신축성 다층 전극의 제조 방법
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8
제 5 항에 있어서,상기 유기물층 및 상기 하이브리드층의 고분자는 동일한 고분자 물질로 이루어진,마그네트론 코스퍼터링을 이용한 신축성 다층 전극의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 유기물층 및 상기 하이브리드층의 증착은 한 챔버 내에서 연속적으로 성막이 이루어지는,마그네트론 코스퍼터링을 이용한 신축성 다층 전극의 제조 방법
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10
제 5 항에 있어서,상기 유기물층의 두께와 상기 하이브리드층의 두께는,유기물층 두께 : 하이브리드층 두께가 3:1 이하인,마그네트론 코스퍼터링을 이용한 신축성 다층 전극의 제조 방법
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11
제 5 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된,신축성 다층 전극
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유기물층;금속-고분자 하이브리드층; 및 유기물층으로 이루어진,신축성 다층 전극
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제 12 항에 있어서,상기 유기물층 및 상기 하이브리드층의 고분자는 동일한 고분자 물질로 이루어진,신축성 다층 전극
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제 12 항에 있어서,상기 유기물층 및 상기 하이브리드 고분자층은 마그네트론 코스퍼터링법을 이용해 형성된,신축성 다층 전극
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제 12 항에 있어서,상기 유기물층의 두께와 상기 하이브리드층의 두께는,유기물층 두께 : 하이브리드층 두께가 3:1 이하인,신축성 다층 전극
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