맞춤기술찾기

이전대상기술

마그네트론 코스퍼터링을 이용한 신축성 전극의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2021012605
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마그네트론 코스퍼터링을 이용한 신축성 전극의 제조 방법에 관한 것이다. 이를 이용해 금속-고분자 하이브리드 전극을 제조한다. 본 발명에 의하면 기존 단일박막과 다르게 연속적으로 다층구조로 박막을 증착하여 고분자 물질과 금속을 코스퍼터링 함으로써 연신율이 향상된 박막을 제조할 수 있다. 그 결과, 다양한 응용성으로 주목받고 있는 스트레처블 전극의 응용 분야에서 그 적용 가능성을 높일 것으로 기대된다.
Int. CL H01B 13/008 (2006.01.01) H01B 7/06 (2006.01.01) H01B 13/00 (2006.01.01)
CPC H01B 13/008(2013.01) H01B 7/06(2013.01) H01B 13/0036(2013.01)
출원번호/일자 1020200047917 (2020.04.21)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0129866 (2021.10.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.04.21)
심사청구항수 15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김한기 경기도 수원시 장안구
2 윤선영 경기도 수원시 장안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2020-0408256-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고분자 타겟 및 금속 타겟을 준비하고, 마그네트론 코스퍼터링(magnetron co-sputtering) 방법을 이용하여 금속-고분자 하이브리드층을 제조하는,마그네트론 코스퍼터링을 이용한 신축성 전극의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 고분자 타겟은 PTFE, PVDF, TPA 중 어느 하나인,마그네트론 코스퍼터링을 이용한 신축성 전극의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 금속 타겟은 Ag, AgPdCu, Pd, Pt, Cu 중 어느 하나인,마그네트론 코스퍼터링을 이용한 신축성 전극의 제조 방법
4 4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된,신축성 전극
5 5
고분자 타겟 및 금속 타겟을 준비하고,마그네트론 코스퍼터링 방법을 이용하여 유기물층을 증착하고, 상기 유기물층 위에 금속-고분자 하이브리드층을 증착하며, 상기 하이브리드층 위에 다시 유기물층을 증착함으로써,유기물층/금속-고분자 하이브리드층/유기물층으로 이루어진 다층 전극을 제조하는,마그네트론 코스퍼터링을 이용한 신축성 다층 전극의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 고분자 타겟은 PTFE, PVDF, TPA 중 어느 하나인,마그네트론 코스퍼터링을 이용한 신축성 다층 전극의 제조 방법
7 7
제 5 항에 있어서,상기 금속 타겟은 Ag, AgPdCu, Pd, Pt, Cu 중 어느 하나인,마그네트론 코스퍼터링을 이용한 신축성 다층 전극의 제조 방법
8 8
제 5 항에 있어서,상기 유기물층 및 상기 하이브리드층의 고분자는 동일한 고분자 물질로 이루어진,마그네트론 코스퍼터링을 이용한 신축성 다층 전극의 제조 방법
9 9
제 5 항에 있어서,상기 유기물층 및 상기 하이브리드층의 증착은 한 챔버 내에서 연속적으로 성막이 이루어지는,마그네트론 코스퍼터링을 이용한 신축성 다층 전극의 제조 방법
10 10
제 5 항에 있어서,상기 유기물층의 두께와 상기 하이브리드층의 두께는,유기물층 두께 : 하이브리드층 두께가 3:1 이하인,마그네트론 코스퍼터링을 이용한 신축성 다층 전극의 제조 방법
11 11
제 5 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된,신축성 다층 전극
12 12
유기물층;금속-고분자 하이브리드층; 및 유기물층으로 이루어진,신축성 다층 전극
13 13
제 12 항에 있어서,상기 유기물층 및 상기 하이브리드층의 고분자는 동일한 고분자 물질로 이루어진,신축성 다층 전극
14 14
제 12 항에 있어서,상기 유기물층 및 상기 하이브리드 고분자층은 마그네트론 코스퍼터링법을 이용해 형성된,신축성 다층 전극
15 15
제 12 항에 있어서,상기 유기물층의 두께와 상기 하이브리드층의 두께는,유기물층 두께 : 하이브리드층 두께가 3:1 이하인,신축성 다층 전극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 미래나노텍(주) 소재부품기술개발(R&D) 130C이상 고온내구성과 투과도 88%이상의 유연 터치 센서
2 과학기술정보통신부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 개인기초연구(과기정통부)(R&D) 인체 혈관 모사형 유무기 하이브리드 투명 스트레처블 전극 개발