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주기적인 금속 패턴 구조를 이용하여 Q 인자가 향상된 인덕터 소자로서,주 금속 루프가 형성된 반도체 칩;상기 반도체 칩 위에 배치되며, 주기적인 금속 패턴을 갖는 구조체; 및상기 반도체 칩과 상기 구조체 사이에 갭을 형성하며, 상기 반도체 칩과 상기 구조체를 전기적으로 연결하는 범프를 포함하되,상기 주기적인 금속 패턴은 복수의 단일 금속 패턴이 일정 간격을 두고 주기적으로 배치되는 구조로서, 다수의 공진을 유발하여 상기 주 금속 루프와 커플링 되며, 상기 인덕터 소자의 Q 인자의 값을 증가시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는, 인덕터 소자
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제1항에 있어서,상기 단일 금속 패턴은 직사각형으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 인덕터 소자
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제4항에 있어서,상기 단일 금속 패턴과 이웃하는 단일 금속 패턴 사이의 간격은 80 um 이상으로 설정되는 것을 특징으로 하는, 인덕터 소자
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제1항에 있어서,상기 범프의 높이는 상기 반도체 칩과 상기 구조체 사이의 갭의 두께를 결정하고, 상기 갭의 두께는 상기 주 금속 루프와 상기 주기적인 금속 패턴의 커플링 계수와 연관되는 것을 특징으로 하는, 인덕터 소자
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제6항에 있어서,상기 범프의 높이는 80 um 이하로 설정되는 것을 특징으로 하는, 인덕터 소자
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제1항에 있어서,상기 구조체에서 상기 주기적인 금속 패턴이 형성되는 면적은, 상기 반도체 칩의 면적보다 작게 설정되는 것을 특징으로 하는, 인덕터 소자
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제1항에 있어서,상기 주 금속 루프의 지름은 50 um 이상이며, 감긴 횟수는 1회 이상인 것을 특징으로 하는, 인덕터 소자
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제1항에 있어서,상기 반도체 칩과 상기 구조체 사이에 갭에는 공기 또는 유전체가 채워지는 것을 특징으로 하는, 인덕터 소자
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제1항에 있어서,상기 주기적인 금속 패턴은 반도체 공정 또는 인쇄회로기판 기술을 통해 상기 구조체에 형성되는 것을 특징으로 하는, 인덕터 소자
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