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볼로미터 멤스 소자 및 볼로미터 멤스 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022001958
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 멤스 소자는, 하부 기판; 및 상기 하부 기판에 형성된 적외선 센서를 포함한다. 상기 적외선 센서는, 상기 하부 기판의 상부면에 형성되어 검출회로와 전기적으로 연결되는 금속 패드; 상기 금속 패드와 동일한 평면에 배치되고 상기 하부 기판의 상부면에 형성되고 적외선 대역을 반사하는 반사층; 상기 반사층을 덮도록 배치되고 광경로 거리를 변경하는 투과층; 상기 투과층의 상부에 이격되어 형성되고 적외선을 흡수하여 저항을 변화시키는 흡수판; 및 상기 금속 패드의 상부에 형성되어 상기 흡수판을 지지하고 상기 금속 패드와 상기 흡수판을 전기적으로 연결하는 앵커를 포함한다. 상기 반사층의 상부면과 상기 흡수판의 하부면 사이의 거리는 특정 적외선 파장에서 파장/4 보다 작다.
Int. CL G01J 5/20 (2022.01.01) G01J 5/08 (2022.01.01) B81C 1/00 (2006.01.01) B81B 7/00 (2017.01.01)
CPC G01J 5/20(2013.01) G01J 5/0853(2013.01) B81C 1/00031(2013.01) B81C 1/00039(2013.01) B81C 1/00063(2013.01) B81C 1/00087(2013.01) B81B 7/0032(2013.01) B81B 2201/0278(2013.01)
출원번호/일자 1020220012855 (2022.01.28)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0019739 (2022.02.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/분할
원출원번호/일자 10-2020-0029504 (2020.03.10)
관련 출원번호 1020200029504
심사청구여부/일자 Y (2022.01.28)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오재섭 대전광역시 유성구
2 박종철 대전광역시 유성구
3 김태현 대전광역시 유성구
4 김광희 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 누리 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2022.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2022-0110950-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부 기판; 및상기 하부 기판에 형성된 적외선 센서를 포함하고,상기 적외선 센서는:상기 하부 기판의 상부면에 형성되어 검출회로와 전기적으로 연결되는 금속 패드;상기 금속 패드와 동일한 평면에 배치되고 상기 하부 기판의 상부면에 형성되고 적외선 대역을 반사하는 반사층;상기 반사층을 덮도록 배치되고 광경로 거리를 변경하는 투과층;상기 투과층의 상부에 이격되어 형성되고 적외선을 흡수하여 저항을 변화시키는 흡수판; 및상기 금속 패드의 상부에 형성되어 상기 흡수판을 지지하고 상기 금속 패드와 상기 흡수판을 전기적으로 연결하는 앵커를 포함하고,상기 투과층은 상기 흡수판의 적외선 흡수율을 증가시키는 것을 특징으로 하는 멤스 소자
2 2
제1 항에 있어서,상기 반사층의 상부면과 상기 흡수판의 하부면 사이의 광 경로 거리는 특정 적외선 파장에서 파장/4 에 대응하는 것을 특징으로 하는 멤스 소자
3 3
제2 항에 있어서,상기 투과층은 실리콘 산화막이고,상기 투과층의 두께는 0
4 4
제2 항에 있어서,상기 투과층은 실리콘 질화막이고,상기 투과층의 두께는 0
5 5
제2항에 있어서,상기 투과층은 비정질 실리콘막이고,상기 투과층의 두께는 0
6 6
제2항에 있어서,상기 투과층은 나노 구조 패턴을 포함하고,상기 나조 구조 패턴은 복수의 홀들 또는 복수의 트렌치들을 포함하는 것을 특징으로 하는 멤스 소자
7 7
제2항에 있어서,상기 투과층은 그 상부면에 함몰된 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 멤스 소자
8 8
제1 항에 있어서,상기 앵커의 하부는 상기 투과층에 매몰되는 것을 특징으로 하는 멤스 소자
9 9
제1 항에 있어서, 상기 투과층과 상기 흡수판 사이의 물리적 거리는 상기 투과층의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 멤스 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자통신연구원 국가과학기술연구회연구운영비지원(R&D)(주요사업비) 국방 무기체계용 핵심 반도체 부품 자립화 플랫폼 개발