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결정성 탄소층; 상기 결정성 탄소층 상에 형성되어 있고, 전자 결핍 상태(electron deficient state) 탄소 원자들로 형성된 탄소 결함 구조를 포함하며, 상기 탄소 결함 구조의 형성부에 나노 스케일의 기공들이 형성된 무정형 탄소층; 및 상기 무정형 탄소층의 기공들 내에 형성된 고체 전해질 재료를 포함하는 전고체 전지용 음극
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제 1 항에 있어서, 상기 고체 전해질 재료는 황화물 고체 전해질 및 바인더를 포함하는 전고체 전지용 음극
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제 2 항에 있어서, 상기 황화물 고체 전해질은 하기 화학식 1의 황화물계 화합물을 포함하는 전고체 전지용 음극: [화학식 1] M1aM2bScX1d상기 화학식 1에서, M1은 알칼리 금속 및 알칼리 토금속에서 선택된 1종 이상이며, M2은 Sb, Sn, Mg, Ba, B, Al, Ga, In, Si, Ge, Pb, N, P, As, Bi, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Hf, Ta, W 또는 La이고, X1은 F, Cl, Br, I, Se, Te 또는 O이고, 0003c#a≤6이고, 0003c#b≤6이고, 0003c#c≤6이고, 0≤d≤6이다
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제 2 항에 있어서, 상기 바인더는 아크릴계 바인더, 폴리비닐리덴 플루오라이드(PVDF)계 바인더, 폴리테트라풀루오로 에틸렌(PTFE)계 바인더 또는 부타디엔 고무계 바인더를 포함하는 전고체 전지용 음극
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제 1 항에 있어서, 상기 기공들은 0
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제 1 항에 있어서, 상기 결정성 탄소층은 복수의 탄소 섬유를 포함하고, 1 내지 50㎛의 두께를 갖는 전고체 전지용 음극
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제 1 항에 있어서, 무정형 탄소층은 1 내지 100 nm의 두께를 갖는 전고체 전지용 음극
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제 1 항에 있어서, 상기 무정형 탄소층에 삽입(intercalation)된 리튬 이온 또는 탄화 리튬 화합물과, 상기 리튬 이온 또는 탄화리튬 화합물을 중심으로 전착된 리튬 금속을 더 포함하는 전고체 전지용 음극
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제 8 항에 있어서, 상기 리튬 이온 또는 탄화 리튬 화합물과, 상기 리튬 금속은 상기 무정형 탄소층과 동일 평면 상에 2차원적으로 결합되어 있는 전고체 전지용 음극
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제 9 항에 있어서, 상기 리튬 이온 또는 탄화 리튬 화합물에서 유래한 리튬이 상기 전자 결핍 상태의 탄소 원자들에 전자를 제공하여, 상기 탄소 결함 구조에 결합되어 있는 전고체 전지용 음극
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제 1 항에 있어서, 상기 고체 전해질 재료는 상기 무정형 탄소층 상에 황화물 고체 전해질, 바인더 및 용매를 포함한 슬러리 조성물을 코팅하여 형성되는 전고체 전지용 음극
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양극 집전체와, 상기 양극 집전체 상에 형성된 리튬 복합 산화물계 양극 활물질층을 포함한 양극; 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항의 음극; 및상기 양극 및 음극 사이에 개재된 추가의 고체 전해질층을 포함하는 전고체 전지
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제 12 항에 있어서, 상기 고체 전해질층은 바인더 및 황화물 고체 전해질을 포함하는 전고체 전지
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