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수평 전하 저장층 기반의 3차원 플래시 메모리

  • 기술번호 : KST2022010043
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 수평 전하 저장층 기반의 3차원 플래시 메모리가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는, 기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 채널층; 상기 적어도 하나의 채널층에 연결되도록 수평 방향으로 연장 형성되는 복수의 워드라인들; 및 상기 복수의 워드라인들의 상면 또는 하면 중 어느 하나의 면에 접촉하며 수평 방향으로 연장 형성된 채, 상기 복수의 워드라인들에 인가되는 전압에 의해 상기 적어도 하나의 채널층으로부터 이동되는 전하를 저장하는 복수의 수평 전하 저장층들을 포함한다.
Int. CL H01L 27/11582 (2017.01.01) H01L 27/1157 (2017.01.01) H01L 27/11556 (2017.01.01) H01L 27/11524 (2017.01.01)
CPC H01L 27/11582(2013.01) H01L 27/1157(2013.01) H01L 27/11556(2013.01) H01L 27/11524(2013.01)
출원번호/일자 1020200175352 (2020.12.15)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0085356 (2022.06.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.12.15)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 서울특별시 성동구
2 최선준 경기도 남양주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2020-1361171-17
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2022.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2022-0249519-53
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2022.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 채널층; 상기 적어도 하나의 채널층에 연결되도록 수평 방향으로 연장 형성되는 복수의 워드라인들; 및 상기 복수의 워드라인들의 상면 또는 하면 중 일면에 각각 접촉하며 수평 방향으로 연장 형성된 채, 상기 복수의 워드라인들에 인가되는 전압에 의해 상기 적어도 하나의 채널층으로부터 이동되는 전하를 저장하는 복수의 수평 전하 저장층들을 포함하는 3차원 플래시 메모리
2 2
제1항에 있어서,상기 3차원 플래시 메모리는, 상기 복수의 워드라인들의 상면 또는 하면 중 상기 복수의 수평 전하 저장층들이 각각 접촉되는 일면과 반대되는 면에 각각 형성되는 복수의 에어 갭들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
3 3
제2항에 있어서,상기 복수의 에어 갭들은, 상기 복수의 워드라인들과 상기 적어도 하나의 채널층 사이의 브레이크다운을 방지하는 용도로 사용되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
4 4
제1항에 있어서,상기 복수의 수평 전하 저장층들 각각은, 상기 복수의 워드라인들 중 접촉되는 워드라인에 인가되는 전압에 의해 메모리 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
5 5
제1항에 있어서,상기 3차원 플래시 메모리는, 상기 적어도 하나의 채널층을 감싸도록 연장 형성된 채 상기 복수의 워드라인들 및 상기 복수의 수평 전하 저장층들과의 사이에 배치되는 적어도 하나의 산화막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
6 6
제5항에 있어서,상기 적어도 하나의 산화막은, 고유전율(High-K) 특성을 갖는 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
7 7
기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 채널층; 상기 적어도 하나의 채널층에 연결되도록 수평 방향으로 연장 형성되는 복수의 워드라인들; 및 상기 복수의 워드라인들의 상면 또는 하면 중 일면에 각각 접촉하며 수평 방향으로 연장 형성된 채, 상기 복수의 워드라인들에 인가되는 전압에 의해 상기 적어도 하나의 채널층으로부터 이동되는 전하를 저장하는 복수의 수평 전하 저장층들을 포함하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법에 있어서, 상기 적어도 하나의 채널층에 접지 전압을 인가하는 단계; 상기 복수의 워드라인들 중 프로그램 동작의 대상이 되는 대상 수평 전하 저장층과 접촉되는 어느 하나의 워드라인에 프로그램 전압을 인가하는 단계; 및 상기 대상 수평 전하 저장층과 접촉되는 상기 어느 하나의 워드라인에 상기 프로그램 전압이 인가됨에 응답하여, 상기 대상 수평 전하 저장층에 대한 프로그램 동작을 수행하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 프로그램 동작을 수행하는 단계는, 상기 복수의 워드라인들의 상면 또는 하면 중 상기 복수의 수평 전하 저장층들이 각각 접촉되는 일면과 반대되는 면에 각각 형성되는 복수의 에어 갭들을 이용하여, 상기 복수의 워드라인들과 상기 적어도 하나의 채널층 사이의 브레이크다운을 방지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
9 9
기판 상 수평 방향으로 연장 형성된 복수의 수평 전하 저장층들; 상기 복수의 수평 전하 저장층들의 상면 또는 하면 중 일면에 각각 접촉하며 수평 방향으로 연장 형성되는 복수의 제1 희생층들; 상기 복수의 수평 전하 저장층들의 상면 또는 하면 중 상기 복수의 제1 희생층들이 각각 접촉되는 일면과 반대되는 면에 각각 접촉하며 수평 방향으로 연장 형성되는 복수의 제2 희생층들; 및 상기 복수의 수평 전하 저장층들, 상기 복수의 제1 희생층들, 상기 복수의 제2 희생층들을 관통하며 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 채널층을 포함하는 반도체 구조체를 준비하는 단계; 상기 복수의 제1 희생층들을 제거하는 단계; 상기 복수의 제1 희생층들이 제거된 공간들에 복수의 워드라인들을 각각 형성하는 단계; 및 상기 복수의 제2 희생층들을 제거하여, 상기 복수의 제2 희생층들이 제거된 공간들로 상기 복수의 에어 갭들을 형성하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 준비하는 단계는, 상기 적어도 하나의 채널층을 감싸도록 연장 형성된 채 적어도 하나의 채널층과 상기 복수의 수평 전하 저장층들, 상기 복수의 제1 희생층들 및 상기 복수의 제2 희생층들 사이에 배치되는 적어도 하나의 산화막을 더 포함하는 상기 반도체 구조체를 준비하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020220085355 KR 대한민국 FAMILY
2 KR102353421 KR 대한민국 FAMILY
3 WO2022010194 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한양대학교 산학협력단 산업기술혁신사업 / 산업핵심기술개발사업 / 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(민간투자금) [민간] 차세대 VNAND 예측개발을 위한 스케일링 시나리오 및 기초 연구