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제1 영역 및 제2 영역을 갖는 기판을 준비하는 단계;상기 기판의 상기 제1 영역 상에, 선택적으로, 인히비터 패턴을 형성하는 단계; 및상기 기판의 상기 제2 영역 상에, 선택적으로, 상기 인히비터 패턴보다 얇은 두께를 갖는 박막 패턴을 제조하는 단계를 포함하는 박막 구조체의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 인히비터 패턴을 형성하는 단계는, 상기 기판의 상기 제1 영역 상에, 선택적으로, 제1 분자층을 형성하는 단계;열 및/또는 광이 제공되는 환경에서, 상기 제1 분자층 상에, 선택적으로, 제2 분자층을 형성하는 단계를 포함하는 박막 구조체의 제조 방법
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제 2항에 있어서, 상기 제1 분자층을 형성하는 단계에서, 상기 제1 분자층의 제1 분자의 헤드 그룹이 상기 기판의 상기 제1 영역 상에 흡착되고,상기 제2 분자층을 형성하는 단계에서, 열 또는 광에 의해, 상기 제1 분자층의 제1 분자의 테일 그룹이 상기 제2 분자층의 제2 분자의 헤드 그룹과 결합되는 것을 포함하는 박막 구조체의 제조 방법
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제 3항에 있어서,상기 제1 분자층을 형성하는 단계는, 상기 제2 분자층을 형성하는 단계에서 제공되는 열보다 낮은 온도의 열을 제공하는 단계를 더 포함하는 박막 구조체의 제조 방법
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제 4항에 있어서,상기 제2 분자층을 형성하는 단계에서 제공되는 열이 높을수록, 상기 제1 분자층의 상기 제1 분자의 테일 그룹 및 상기 제2 분자층의 상기 제2 분자의 헤드 그룹의 결합 속도가 빨라지는 것을 포함하고, 상기 제2 분자층을 형성하는 단계에서 제공되는 열은, 100℃ 이상 300℃ 미만인 것을 포함하는 박막 구조체의 제조 방법
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제 3항에 있어서,상기 제2 분자층을 형성하는 단계에서 광이 제공된 경우, 상기 기판의 상기 제2 영역에 상에, 선택적으로, OH 작용기가 증가하는 것을 포함하는 박막 구조체의 제조 방법
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제 2항에 있어서, 상기 인히비터 패턴을 형성하는 단계는,열 또는 광 중에서 적어도 어느 하나가 제공되는 환경에서, 상기 제2 분자층 상에, 선택적으로, 제3 분자층을 형성하는 단계를 더 포함하되,상기 제2 분자층의 제2 분자의 테일 그룹이 상기 제3 분자층의 제3 분자의 헤드 그룹과 결합하는 것을 포함하는 박막 구조체의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 인히비터 패턴을 형성하는 단계 및 상기 박막 패턴을 형성하는 단계는, 하나의 단위 공정으로 정의되고, 상기 단위 공정이 복수회 반복되는 것을 포함하는 박막 구조체의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 기판의 상기 제1 영역은, 상기 제2 영역보다 금속의 비율이 높은 것을 포함하는 박막 구조체의 제조 방법
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기판;제1 분자 및 제2 분자가 적층되고 결합된 것을 포함하고, 서로 이격되어 배치된 인히비터 패턴; 및상기 인히비터 패턴보다 얇은 두께를 갖고, 상기 인히비터 패턴 사이에 선택적으로 배치된 박막 패턴을 포함하는 박막 구조체
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제 10항에 있어서,상기 인히비터 패턴은, 상기 제1 분자 및 상기 제2 분자가 적층되고 결합된 것 상에, 선택적으로, 제3 분자가 더 적층되고 결합된 것을 더 포함하는 박막 구조체
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제 11항에 있어서,상기 제3 분자는, 상기 인히비터 패턴의 최외곽에 배치된 aromatic 분자인 것을 포함하는 박막 구조체
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제 10항에 있어서,상기 제1 분자는, alkenethiol, dithiol 또는 phenyl dithiol 중에서 어느 하나인 것을 포함하고,상기 제2 분자는, alkene인 것을 포함하고, 상기 박막 패턴은, SiO2, HfO2, TiN 또는 Ru 중에서 어느 하나를 포함하고,상기 기판은, 산화물, 질화물, 또는 금속 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 포함하는 박막 구조체
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