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인-도핑된 흑연질 탄소 질화물로 이루어진 계면층을 포함하는 리튬이차전지용 음극, 이를 포함하는 리튬이차전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2022020907
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인-도핑된 흑연질 탄소 질화물로 이루어진 계면층을 포함하여 면방향의 리튬 성장을 유도할 수 있고 덴드라이트(Dendrite)의 성장과 전해질의 분해를 저감할 수 있는 리튬이차전지용 음극에 관한 것이다.
Int. CL H01M 4/134 (2010.01.01) H01M 4/62 (2006.01.01) H01M 4/1395 (2010.01.01) H01M 10/058 (2010.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01)
CPC H01M 4/134(2013.01) H01M 4/62(2013.01) H01M 4/622(2013.01) H01M 4/1395(2013.01) H01M 10/058(2013.01) H01M 10/052(2013.01)
출원번호/일자 1020210058425 (2021.05.06)
출원인 현대자동차주식회사, 기아 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0151327 (2022.11.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 현대자동차주식회사 대한민국 서울특별시 서초구
2 기아 주식회사 대한민국 서울특별시 서초구
3 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송종찬 경기도 수원시 영통구
2 신재욱 서울특별시 관악구
3 이지용 경기도 성남시 분당구
4 하성민 서울특별시 금천구
5 김희탁 대전광역시 유성구
6 노영일 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2021-0524042-71
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번호 청구항
1 1
리튬 금속층; 및상기 리튬 금속층 상에 위치하는 계면층;을 포함하고,상기 계면층은 인-도핑된 흑연질 탄소 질화물(phosphorous-doped graphitic carbon nitride)을 포함하는 리튬이차전지용 음극
2 2
제1항에 있어서,상기 계면층의 두께는 10㎚ 내지 5㎛인 리튬이차전지용 음극
3 3
제1항에 있어서,상기 인-도핑된 흑연질 탄소 질화물은 XRD(X-ray diffraction) 스펙트럼에서 얻어지는 (002) 결정면에 대한 피크와 (100) 결정면에 대한 피크의 피크 강도비(peak intensity ratio)인 I002/I100가 ---7 내지 8인 리튬이차전지용 음극
4 4
제1항에 있어서,상기 인-도핑된 흑연질 탄소 질화물은 P2p XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)에서 P=N 피크 및 P-N 피크가 발견되는 것인 리튬이차전지용 음극
5 5
제1항에 있어서,상기 인-도핑된 흑연질 탄소 질화물은 인 원소(P)의 원소 농도가 1at% 내지 2at%인 것인 리튬이차전지용 음극
6 6
제1항에 있어서,상기 계면층은 폴리아크릴산(Poly(acrylic acid), PAA), 폴리불화비닐리덴 (Polyvinylidene fluoride), PVDF), 폴리불화비닐리덴-헥사플루오르프로필렌 (Poly(vinylidene fluoride-co-hexafluoropropylene), PVDF-HFP) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나의 바인더를 더 포함하는 리튬이차전지용 음극
7 7
제6항에 있어서,상기 인-도핑된 흑연질 탄소 질화물 및 바인더의 질량비는 9 : 1 내지 5 : 5인 리튬이차전지용 음극
8 8
양극; 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 음극; 상기 양극과 음극 사이에 위치하는 분리막; 및상기 분리막에 함침된 전해질;을 포함하고,상기 분리막과 음극 사이에 상기 계면층이 위치하는 리튬이차전지
9 9
탄소 질화물 전구체 화합물 및 인 전구체 화합물을 포함하는 출발물질을 준비하는 단계;상기 출발물질을 반응시켜 인-도핑된 흑연질 탄소 질화물을 제조하는 단계;상기 인-도핑된 흑연질 탄소 질화물 및 바인더를 포함하는 용액을 준비하는 단계;상기 용액을 분리막의 일면에 도포하여 계면층 형성하는 단계;상기 계면층이 형성된 분리막의 일면 상에 음극을 리튬 금속층과 대향시키고, 상기 분리막의 타면을 양극과 대향시켜 전극 조립체를 제조하는 단계; 및상기 전극 조립체에 전해질을 주입하는 단계;를 포함하는 리튬이차전지의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 출발물질은 상기 탄소 질화물 전구체 화합물 70중량% 내지 85중량% 및 인 전구체 화합물 15중량% 내지 30중량%를 포함하는 리튬이차전지의 제조방법
11 11
제9항에 있어서,상기 탄소 질화물 전구체 화합물은 멜라민, 다이시안아마이드(Dicyanamide), 우레아(Urea) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 리튬이차전지의 제조방법
12 12
제9항에 있어서,상기 인 전구체 화합물은 헥사클로로트리포스파젠(Hexachlorotriphosphazene), 아미노에틸포스포닉산(Aminoethylphosphonic acid), 인산(Phosphoric acid) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 리튬이차전지의 제조방법
13 13
제9항에 있어서,상기 출발물질을 불활성 분위기에서 400℃ 내지 700℃로 2시간 내지 6시간 동안 반응시키는 것인 리튬이차전지의 제조방법
14 14
제9항에 있어서,상기 바인더는 폴리아크릴산(Poly(acrylic acid), PAA), 폴리불화비닐리덴 (Polyvinylidene fluoride), PVDF), 폴리불화비닐리덴-헥사플루오르프로필렌 (Poly(vinylidene fluoride-co-hexafluoropropylene), PVDF-HFP) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 리튬이차전지의 제조방법
15 15
제9항에 있어서,상기 인-도핑된 흑연질 탄소 질화물 및 바인더의 질량비는 9 : 1 내지 5 : 5인 리튬이차전지의 제조방법
16 16
제9항에 있어서,상기 용액을 분리막의 일면에 도포한 뒤, 상기 분리막의 타면에 진공을 걸어 상기 용액을 진공 여과하여 계면층을 형성하는 것인 리튬이차전지의 제조방법
17 17
제9항에 있어서,상기 계면층의 두께는 10㎚ 내지 5㎛인 리튬이차전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.