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원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 공정 기반의 수소 차단 제어막 형성 방법에 있어서,상기 ALD 공정을 적용하여 저온에서 제1 산화제 기반의 제1 산화제-산화물을 이용하여 대상체에 제1 보호층을 형성하는 단계; 및상기 ALD 공정을 적용하여 저온에서 제2 산화제 기반의 제2 산화제-산화물을 이용하여 상기 제1 보호층에 제2 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 ALD 공정 기반의 수소 차단 제어막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 보호층과 상기 제2 보호층은 적층 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 ALD 공정 기반의 수소 차단 제어막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 대상체에 대해서 상태 밀도(Density Of States, DOS)를 기준으로 상기 적층 구조로 형성된 상기 제1 보호층과 상기 제2 보호층의 수소 차단 정도를 수치적으로 출력하는 것을 특징으로 하는 ALD 공정 기반의 수소 차단 제어막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 산화제는 오존(O3)을 포함하고, 상기 제1 산화제-산화물은 오존-산화물을 포함하고,상기 제2 산화제는 물(H2O)을 포함하고, 상기 제2 산화제-산화물은 물-산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 ALD 공정 기반의 수소 차단 제어막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 산화제-산화물을 포함하는 제1 보호층이 수소에 노출되면, C-O 화학종이 수소 원자와 반응하여 C-OH 화학종을 생성하는 방식을 통해 수소를 트랩하고,상기 제2 산화제-산화물을 포함하는 제2 보호층이 수소에 노출되면, C-OH 화학종이 수소 원자와 반응하여 C-O 화학종을 생성하고 수소를 배출하는 것을 특징으로 하는 ALD 공정 기반의 수소 차단 제어막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 산화제-산화물을 포함하는 제1 보호층은 상기 대상체의 문턱 전압을 양의 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 ALD 공정 기반의 수소 차단 제어막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 산화제-산화물을 포함하는 제1 보호층이 수소에 노출되더라도, 상기 대상체는 문턱 전압을 유지하는 것을 특징으로 ALD 공정 기반의 수소 차단 제어막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 산화제-산화물을 포함하는 제2 보호층은 상기 대상체의 문턱 전압을 음의 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 ALD 공정 기반의 수소 차단 제어막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 산화제-산화물을 포함하는 제2 보호층이 수소에 노출되면, 상기 대상체는 문턱 전압을 음의 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 ALD 공정 기반의 수소 차단 제어막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 산화제-산화물과 상기 제2 산화제-산화물은 상기 대상체의 문턱 전압을 서로 반대 방향으로 이동시켜서 채널로서의 특성 변화를 방지하는 것을 특징으로 하는 수소 차단 제어막
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대상체에 형성되는 제1 산화제 기반의 제1 산화제-산화물을 포함하는 제1 보호층; 및상기 제1 보호층에 형성된 제2 산화제 기반의 제2 산화제-산화물을 포함하는 제2 보호층을 포함하는 수소 차단 제어막
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제11항에 있어서,상기 제1 보호층과 상기 제2 보호층은 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 공정을 기반으로 적층 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 수소 차단 제어막
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제11항에 있어서,상기 제1 산화제는 오존(O3)을 포함하고, 상기 제1 산화제-산화물은 오존-산화물을 포함하고,상기 제2 산화제는 물(H2O)을 포함하고, 상기 제2 산화제-산화물은 물-산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 차단 제어막
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제11항에 있어서,상기 산화물은 알루미늄 산화물, 실리콘 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 타이타늄 산화물, 아연 산화물, 또는 복합 산화물을 적용하는 것을 특징으로 하는 수소 차단 제어막
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제11항에 있어서,상기 제1 산화제-산화물을 포함하는 제1 보호층이 수소에 노출되면, C-O 화학종이 수소 원자와 반응하여 C-OH 화학종을 생성하는 방식을 통해 수소를 트랩하고,상기 제2 산화제-산화물을 포함하는 제2 보호층이 수소에 노출되면, C-OH 화학종이 수소 원자와 반응하여 C-O 화학종을 생성하고 수소를 배출하는 것을 특징으로 하는 수소 차단 제어막
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제11항에 있어서,상기 제1 산화제-산화물을 포함하는 제1 보호층은 상기 대상체의 문턱 전압을 양의 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 수소 차단 제어막
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제11항에 있어서,상기 제1 산화제-산화물을 포함하는 제1 보호층이 수소에 노출되더라도, 상기 대상체는 문턱 전압을 유지하는 것을 특징으로 하는 수소 차단 제어막
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제11항에 있어서,상기 제2 산화제-산화물을 포함하는 제2 보호층은 상기 대상체의 문턱 전압을 음의 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 수소 차단 제어막
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제11항에 있어서,상기 제2 산화제-산화물을 포함하는 제2 보호층이 수소에 노출되면, 상기 대상체는 문턱 전압을 음의 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 수소 차단 제어막
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20
제11항에 있어서,상기 제1 산화제-산화물과 상기 제2 산화제-산화물은 상기 대상체의 문턱 전압을 서로 반대 방향으로 이동시켜서 채널로서의 특성 변화를 방지하는 것을 특징으로 하는 수소 차단 제어막
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