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기능기의 탈부착을 이용한 그래핀 나노홀의 형성방법 및 이에 의해 형성된 그래핀 나노홀을 가지는 그래핀 시트

  • 기술번호 : KST2022022505
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 그래핀 시트에 나노홀을 형성하기 위한 그래핀 나노홀의 형성방법으로서: (a) 그래핀 시트에 기능기가 결합된 영역을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 기능기가 결합된 영역이 형성된 그래핀 시트를 가열하여 상기 기능기가 결합된 영역을 제거하여 나노홀을 형성하는 단계;를 포함하는 그래핀 나노홀의 형성방법에 과한 것이다.
Int. CL C01B 32/194 (2017.01.01) B01J 19/08 (2015.01.01)
CPC C01B 32/194(2013.01) B01J 19/088(2013.01)
출원번호/일자 1020210065950 (2021.05.24)
출원인 (주)에스그래핀, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0158332 (2022.12.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.05.24)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (주)에스그래핀 대한민국 서울특별시 관악구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이관형 서울특별시 관악구
2 지은지 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인임앤정 대한민국 서울특별시 종로구 율곡로*길 *(수송동, 로얄팰리스스위트) ***호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2021-0591105-19
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2021.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2021-5205564-29
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.04.04 수리 (Accepted) 4-1-2022-5079741-71
4 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.08.11 수리 (Accepted) 4-1-2022-5189083-38
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.10.07 수리 (Accepted) 4-1-2022-5235636-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀 시트에 나노홀을 형성하기 위한 그래핀 나노홀의 형성방법으로서: (a) 그래핀 시트에 기능기가 결합된 영역을 형성하는 단계; 및(b) 상기 기능기가 결합된 영역이 형성된 그래핀 시트를 가열하여 상기 기능기가 결합된 영역을 제거하여 나노홀을 형성하는 단계;를 포함하는 그래핀 나노홀의 형성방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (a) 단계는 불소(F)를 포함하는 활성화 기체를 그래핀 시트와 반응시켜 기능기가 결합된 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 그래핀 나노홀의 형성방법
3 3
제2항에 있어서,상기 불소(F)를 포함하는 활성화 기체는 XeF2, CF4 및 SF6로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 그래핀 나노홀의 형성방법
4 4
제2항에 있어서,상기 (a) 단계의 압력은 0
5 5
제2항에 있어서,상기 (a) 단계에서 반도체성 촉매 또는 금속성 촉매를 함께 이용하는 것을 특징으로 하는 그래핀 나노홀의 형성방법
6 6
제2항에 있어서,상기 (a) 단계가 수행되는 압력 또는 반응시간에 형성되는 나노홀의 크기, 형상, 또는 밀도가 조절되는 것을 특징으로 하는 그래핀 나노홀의 형성방법
7 7
제1항에 있어서,상기 (a) 단계는 수소 또는 산소 플라즈마를 이용하여 기능기가 결합된 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 그래핀 나노홀의 형성방법
8 8
제1항에 있어서,상기 (b) 단계는 불활성 기체의 분위기 또는 진공 분위기에서 50 내지 500 ℃의 온도에서 1 내지 24시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 나노홀의 형성방법
9 9
나노홀이 형성된 그래핀 시트로서: 상기 나노홀의 모서리 중 적어도 일부가 지그재그 구조 또는 암체어 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 그래핀 시트
10 10
제9항에 있어서, 상기 나노홀은 (a) 그래핀 시트에 기능기가 결합된 영역을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 기능기가 결합된 영역이 형성된 그래핀 시트를 가열하여 상기 기능기가 결합된 영역을 제거하여 나노홀을 형성하는 단계에 의해 형성된 것인 그래핀 시트
11 11
나노홀이 형성된 그래핀 시트로서: 상기 나노홀의 모서리에는 기능기가 부착되는 것을 특징으로 하는 그래핀 시트
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.