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2차원 물질인 샘플의 표면을 원자층 단위로 처리할 수 있는 표면 처리 장치로서, 일 방향으로 길게 형성되는 튜브;상기 튜브에 형성되며, 전위차를 발생시킬 수 있는 전극들을 포함하는 플라즈마 발생기; 및상기 튜브 내에서 상기 플라즈마 발생기로부터 발생된 플라즈마에 의해 표면처리되는 샘플이 위치하며, 일 방향에서 상기 플라즈마 발생기가 점유한 영역의 경계 또는 그 외부에 설치되는 샘플홀더;를 포함하는 2차원 물질의 원자층 단위의 표면 처리 장치
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제1항에 있어서, 상기 튜브에 설치되며, 상기 튜브 내의 기체 분위기를 조절하는 기체조절기를 더 포함하고,상기 기체조절기에 의해 상기 튜브로 유입 및 유출되는 기체는 상기 플라즈마 발생기에서 상기 샘플홀더 방향으로 유동하는 것을 특징으로 하는 2차원 물질의 원자층 단위의 표면 처리 장치
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제2항에 있어서,상기 기체조절기에 의해 주입되는 기체는 염소(Cl2), 사염화탄소(CCl4), 삼염화붕소(BCl3), 사불화탄소(CF4), 삼불화질소(NF3), 육불화에탄(C2F6), 플루오로포름(CHF3), 이불화메탄(CH2F2), 프레온 가스(CClF3), 하론가스(CBrF3), 육불화황(SF6), 산소(O2), 질소(N2), 아르곤(Ar), 수소(H2) 및 덱스트로메토르판제제(HBr)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 2차원 물질의 원자층 단위의 표면 처리 장치
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제1항에 있어서, 상기 2차원 물질은 MoS2, WS2, MoSe2, WSe2, ReS2, ReSe2, MoTe2, WTe2, ZrS2, ZrSe2, NbS2, NbSe2, GaSe, GaTe, InSe, Bi2Se3, 그래핀, 실리신 및 보로핀으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 2차원 물질의 원자층 단위의 표면 처리 장치
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제1항에 있어서, 상기 2차원 물질은 전이금속 칼코겐화합물이며, 상기 플라즈마 발생기에서 발생된 플라즈마에 의해 전이금속 칼코겐화합물의 칼코겐원소만 영향을 받는 것을 특징으로 하는 2차원 물질의 원자층 단위의 표면 처리 장치
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제1항에 있어서, 상기 샘플홀더를 상기 튜브 내에서 일방향으로 이동시켜, 상기 플라즈마 발생기와 상기 샘플홀더 사이의 거리를 조절하는 샘플홀더 위치조절기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 2차원 물질의 원자층 단위의 표면 처리 장치
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제6항에 있어서, 상기 샘플홀더 위치조절기는 상기 튜브의 외측에 이동가능하도록 설치된 자석 또는 전자석이고，상기 샘플홀더는 강자성체로서 상기 샘플홀더 위치조절기의 위치에 종속되어 움직이는 것을 특징으로 하는 원자층 단위의 표면 처리 장치
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2차원 물질의 원자층 단위의 표면 처리 장치를 이용한 2차원 물질의 원자층 단위의 표면 처리 방법으로서, 상기 2차원 물질의 원자층 단위의 표면 처리 장치는, 일 방향으로 길게 형성되는 튜브; 상기 튜브에 형성되며, 전위차를 발생시킬 수 있는 전극들을 포함하는 플라즈마 발생기; 및 상기 튜브 내에서 상기 플라즈마 발생기로부터 발생된 플라즈마에 의해 표면처리되는 샘플이 위치하며, 일 방향에서 상기 플라즈마 발생기가 점유한 영역의 경계 또는 그 외부에 설치되는 샘플홀더;를 포함하고， (a) 상기 샘플홀더에 2차원 물질을 샘플로써 위치시키는 단계; 및 (ｂ) 상기 플라즈마 발생기를 구동하여 전위차에 의해 발생된 플라즈마로 2차원 물질의 표면을 원자층 단위에서 처리하는 단계;를 포함하는 2차원 물질의 원자층 단위의 표면 처리 방법
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제８항에 있어서,상기 2차원 물질의 원자층 단위의 표면 처리 장치는, 상기 튜브에 설치되며 상기 튜브 내의 기체 분위기를 조절하는 기체조절기를 더 포함하고,상기 (ｂ) 단계가 수행되는 동안 상기 기체조절기에 의해 상기 튜브로 기체를 유입 및 유출시키되, 상기 기체는 상기 플라즈마 발생기에서 상기 샘플홀더 방향으로 유동하는 것을 특징으로 하는 2차원 물질의 원자층 단위의 표면 처리 방법
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제９항에 있어서,상기 기체조절기에 의해 주입되는 기체는 염소(Cl2), 사염화탄소(CCl4), 삼염화붕소(BCl3), 사불화탄소(CF4), 삼불화질소(NF3), 육불화에탄(C2F6), 플루오로포름(CHF3), 이불화메탄(CH2F2), 프레온 가스(CClF3), 하론가스(CBrF3), 육불화황(SF6), 산소(O2), 질소(N2), 아르곤(Ar), 수소(H2) 및 덱스트로메토르판제제(HBr)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는2차원 물질의 원자층 단위의 표면 처리 방법
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제８항에 있어서, 상기 2차원 물질은 MoS2, WS2, MoSe2, WSe2, ReS2, ReSe2, MoTe2, WTe2, ZrS2, ZrSe2, NbS2, NbSe2, GaSe, GaTe, InSe, Bi2Se3, 그래핀, 실리신 및 보로핀으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 2차원 물질의 원자층 단위의 표면 처리 방법
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제8항에 있어서, 상기 2차원 물질은 전이금속 칼코겐화합물이며, 상기 플라즈마 발생기에서 발생된 플라즈마에 의해 전이금속 칼코겐화합물의 칼코겐원소만 영향을 받는 것을 특징으로 하는 2차원 물질의 원자층 단위의 표면 처리 방법
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제８항에 있어서， 상기 2차원 물질의 원자층 단위의 표면 처리 장치는,상기 샘플홀더를 상기 튜브내에서 일방향으로 이동시켜, 상기 플라즈마 발생기와 상기 샘플홀더 사이의 거리를 조절하는 샘플홀더 위치조절기를 더 포함하고,상기 (a) 단계는 상기 샘플홀더 위치조절기에 의해 상기 샘플홀더가 이동하여 그 위치가 결정되는 것을 특징으로 하는 2차원 물질의 원자층 단위의 표면 처리 방법
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제８항에 있어서, 상기 2차원 물질의 원자층 단위의 표면 처리 장치는, 상기 튜브에 설치되며 상기 튜브 내의 기체 분위기를 조절하는 기체조절기를 더 포함하고, 상기 (c) 단계가 수행되는 동안 상기 기체조절기에 의해 상기 튜브로 수소를 유입 및 유출시키되, 수소는 상기 플라즈마 발생기에서 상기 샘플홀더 방향으로 유동하며,상기 2차원 물질은 전이금속 칼코겐화합물이고, 상기 기체조절기에 의해 수소 기체가 상기 튜브로 유입되며, 상기 플라즈마 발생기에서 발생된 수소 플라즈마에 의해 전이금속 칼코겐화합물의 칼코겐원소만 영향을 받는 것을 특징으로 하는 2차원 물질의 원자층 단위의 표면 처리 방법
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2차원 물질인 전이금속 칼코겐화합물로써，칼코겐 원소만 선택적으로 표면 처리된 것을 특징으로 하는 표면처리된 2차원 물질．
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제15항에 있어서， 상기 전이금속 칼코겐화합물은 MoS2이며，칼코겐 원소인 Ｓ만 선택적으로 제거된 것을 특징으로 하는 표면처리된 2차원 물질．
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