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투명 전도성 기판;상기 투명 전도성 기판 상에 형성된 전자 전달층;상기 전자 전달층 상에 형성된 페로브스카이트 광흡수층;상기 페로브스카이트 광흡수층 상에 형성된 정공 전달층; 및상기 정공 전달층 상에 형성된 전극;을 포함하고,상기 정공 전달층은 금속-TFSI 염을 포함하는 것인,페로브스카이트 광전소자
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제 1 항에 있어서,상기 정공 전달층은 10-5 내지 10-2 cm2V-1s-1 의 정공 이동도를 가지는 것인,페로브스카이트 광전소자
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제 1 항에 있어서,상기 금속은 La, Y, Sc 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인,페로브스카이트 광전소자
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제 1 항에 있어서,상기 투명 전도성 기판은 FTO, ITO, IZO, ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, SnO2-Sb2O3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 광전소자
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제 1 항에 있어서,상기 전자 전달층은 SnO2, TiO2, ZrO, Al2O3, ZnO, WO3, Nb2O5, TiSrO3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 광전소자
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제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트 광흡수층은 각각 독립적으로 하기 화학식 1 또는 2 로서 표시되는 페로브스카이트 물질을 포함하는 것인, 페로브스카이트 광전소자:[화학식 1]RMX3[화학식 2]R4MX6(상기 화학식 1 및 화학식 2 에서,상기 R 은 알칼리금속, C1-24 의 치환된 또는 비치환된 알킬기이고, 상기 R 이 치환된 경우, 그 치환기는 아미노기, 수산화기, 시아노기, 할로겐기, 니트로기 또는 메톡시기이고,상기 M 은 Pb, Sn, Ge, Cu, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, Pd, Cd, Yb, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하는 것이고,상기 X 는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것임)
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제 1 항에 있어서,상기 정공 전달층은 Spiro-OMeTAD, PEDOT:PSS, G-PEDOT, PANI:PSS, PANI:CSA, PDBT, P3HT, PCPDTBT, PCDTBT, PTAA, MoO3, V2O5, NiO, WO3, CuI, CuSCN, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 광전소자
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제 1 항에 있어서,상기 전극은 Au, Ag, Pt, Ni, Cu, In, Ru, Pd, Rh, Mo, Ir, Os, C, 전도성 고분자, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 광전소자
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투명 전도성 기판 상에 전자 전달층을 형성하는 단계;상기 전자 전달층 상에 페로브스카이트 물질을 포함하는 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광흡수층 상에 금속-TFSI 염을 포함하는 용액을 코팅하여 정공 전달층을 형성하는 단계; 및상기 정공 전달층 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하는,페로브스카이트 광전소자의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 정공 전달층은 추가적인 산화공정을 수행하지 않고 형성되는 것인,페로브스카이트 광전소자의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 금속-TFSI 염은 TFSI 산(Trifluoromethanesulfonimide acid) 및 금속화합물의 산염기반응, 용해도 차에 의한 정제 및 재결정화, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 방법을 수행하여 합성되는 것인,페로브스카이트 광전소자의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 금속은 La, Y, Sc 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인,페로브스카이트 광전소자의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 페로브스카이트 광전소자를 포함하는, 페로브스카이트 태양전지
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